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華潤(rùn)微“一種LIGBT器件及其制備方法”專利公布

英特爾將在日本新建芯片研發(fā)中心

采埃孚與Wolfspeed芯片項(xiàng)目或告吹德國(guó)工業(yè)復(fù)蘇再受打擊

首期規(guī)模120億元，武漢“江城基金”聚焦泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

東風(fēng)汽車已完成3款車規(guī)級(jí)芯片流片

Infinera獲美國(guó)《芯片法案》9300萬(wàn)美元資助

京東方“襯底基板、顯示基板以及光探測(cè)基板”專利獲授權(quán)

昂瑞微“一種芯片及其UserID檢測(cè)電路”專利獲授權(quán)

華虹宏力“一種嵌入式肖特基MOSFET制作方法”專利公布

杭州鎵仁半導(dǎo)體申請(qǐng)氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

江蘇集芯申請(qǐng)大尺寸碳化硅晶體生長(zhǎng)坩堝及生長(zhǎng)裝置專利，保證晶體中心位置和外側(cè)邊緣的生長(zhǎng)速率相一致

東風(fēng)汽車已完成3款車規(guī)級(jí)芯片流片

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件

國(guó)產(chǎn)芯片！紅旗發(fā)布了首臺(tái)1700V超高壓碳化硅功率模塊樣品

長(zhǎng)電科技“腔體式封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法”專利獲授權(quán)

三星解散LED業(yè)務(wù)，但仍繼續(xù)研發(fā)Micro LED

和研科技設(shè)備入選遼寧省首臺(tái)(套)目錄

武漢新芯取得清洗裝置及半導(dǎo)體制造設(shè)備專利，去除晶圓邊緣殘留物避免影響后續(xù)工藝

和其光電“用于光纖傳感器封裝的高精密多維調(diào)節(jié)對(duì)位系統(tǒng)及方法”專利獲授權(quán)

長(zhǎng)電科技“腔體式封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法”專利獲授權(quán)

通富微電擬出資2億元受讓滁州廣泰31.9%合伙份額

蔚來(lái)總裁秦力洪：半導(dǎo)體“萬(wàn)億市場(chǎng)”觀有些保守

方正微電子：2025年將具備16.8萬(wàn)片/年車規(guī)SiC MOS生產(chǎn)能力

捷捷微電前三季度凈利潤(rùn)同比預(yù)增120%至150%

晶盛機(jī)電：產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在全產(chǎn)業(yè)鏈核心裝備供應(yīng)能力，半導(dǎo)體大硅片設(shè)備國(guó)際領(lǐng)先，公司高品質(zhì)碳化硅襯底核心參數(shù)指標(biāo)達(dá)到行業(yè)一流

Wolfspeed獲得7.5億美元用于北卡羅來(lái)納州工廠建設(shè)

信越化學(xué)宣布進(jìn)軍半導(dǎo)體制造設(shè)備

國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體專用光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破，已通過(guò)量產(chǎn)驗(yàn)證！

浪潮華光參與制定的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《III族氮化物半導(dǎo)體材料中位錯(cuò)成像的測(cè)試透射電子顯微鏡法》正式發(fā)布

市場(chǎng)占有率穩(wěn)步攀升！北方華創(chuàng)前三季度凈利潤(rùn)41.3億元-47.5億元，同比預(yù)增43.19%-64.69%

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