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揚杰電子申請新型多級溝道SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)與制造方法專利，方法制作工藝簡單

合肥晶合集成電路申請一種半導(dǎo)體器件的制作方法專利，能夠提高半導(dǎo)體器件的性能

無錫博通申請半橋GaN增強型開關(guān)器件及其制備方法專利，保證器件的高速開關(guān)

投資33億美元豐田與NTT合作開發(fā)AI自動駕駛技術(shù)

山東粵海金半導(dǎo)體取得專用碳化硅襯底Wafer倒角裝置專利，可實現(xiàn)自由設(shè)計倒角形狀

漢斯半導(dǎo)體取得一種 IGBT 模塊封裝外殼拋光裝置專利，拋光效率高

全球功率半導(dǎo)體龍頭聞泰科技：三季報強勢翻盤，盈利能力持續(xù)提升

榮耀“封裝芯片結(jié)構(gòu)及其加工方法、和電子設(shè)備”專利獲授權(quán)

深科達(dá)：擬收購深科達(dá)半導(dǎo)體少數(shù)股東所持40%的股權(quán)

東芝計劃到2030年實現(xiàn)兩位數(shù)的電源芯片市場份額

蘇州敏芯微電子申請力傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法專利，解決現(xiàn)有力傳感器力傳遞靈敏度低的問題

蘇州高視半導(dǎo)體申請基于晶圓檢測系統(tǒng)的晶圓檢測方法專利，降低晶圓缺陷的檢測成本

德州儀器擴大氮化鎵半導(dǎo)體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來的四倍

中芯國際申請光刻機焦距監(jiān)控相關(guān)專利，實現(xiàn)在線焦距監(jiān)控且對產(chǎn)品晶圓圖形影響小

晶盛機電8英寸碳化硅外延設(shè)備和光學(xué)量測設(shè)備順利實現(xiàn)銷售

華燦光電前三季度實現(xiàn)營收29.53億元，虧損達(dá)3.6億元

蜂巢能源將于2025年1月關(guān)閉歐洲業(yè)務(wù)

英特爾宣布擴容英特爾成都封裝測試基地

一文解開遠(yuǎn)山氮化鎵功率器件實現(xiàn)耐高壓的秘密

鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法(非銥坩堝)2英寸氧化鎵單晶

尼康官宣旗下首款半導(dǎo)體后端工藝用光刻機

華海清科“驅(qū)動機構(gòu)的保濕控制方法、晶圓清洗裝置、存儲介質(zhì)”專利公布

北方華創(chuàng)“一種進(jìn)氣管的清洗方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備”專利公布

精測電子收購芯盛智能11.93%股權(quán) 發(fā)力存儲測試裝備領(lǐng)域

英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000V，直流母線電壓最高可達(dá)1500 VDC，效率更高，設(shè)計更簡單

中國電科原副總經(jīng)理何文忠被逮捕

Wolfspeed擱置在德國建半導(dǎo)體工廠的計劃

上海華虹宏力申請接觸孔自對準(zhǔn)的MOSFET制造方法專利

廣東氣派科技申請 MOSFET 的封裝結(jié)構(gòu)專利，采用封裝結(jié)構(gòu)得到的 MOSFET 散熱性能佳

富特科技：已實現(xiàn)SiC半導(dǎo)體器件在產(chǎn)品中的量產(chǎn)應(yīng)用，且應(yīng)用技術(shù)已相對成熟

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