國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，合肥晶合集成電路股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種半導(dǎo)體器件的制作方法”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào) CN 118824953 A，申請(qǐng)日期為2024年9月。

專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件的制作方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述制作方法包括：提供一襯底，包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；在襯底上形成開(kāi)口長(zhǎng)邊方向平行于半導(dǎo)體器件溝道寬度方向第一圖案化光阻層，并暴露第一區(qū)域及兩側(cè)的部分淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；對(duì)第一區(qū)域進(jìn)行兩次傾斜離子注入，形成第一溝道摻雜區(qū)；重新形成開(kāi)口長(zhǎng)邊方向平行于半導(dǎo)體器件溝道寬度方向第二圖案化光阻層，并暴露第二區(qū)域及部分淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；對(duì)第二區(qū)域進(jìn)行兩次傾斜離子注入，形成第二溝道摻雜區(qū)；在溝道摻雜區(qū)上形成柵極；在柵極兩側(cè)形成輕摻雜區(qū)。通過(guò)本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件的制作方法，能夠提高半導(dǎo)體器件的性能。