天眼查顯示，上海華虹宏力半導體制造有限公司“一種嵌入式肖特基MOSFET制作方法”專利公布，申請公布日為2024年9月24日，申請公布號為CN118692914A。

本發(fā)明提供一種嵌入式肖特基MOSFET制作方法，包括提供襯底，襯底表面形成有外延層，在外延層上形成圖案化的硬質(zhì)掩膜層；以硬質(zhì)掩膜層為掩膜，對外延層進行初步刻蝕，在外延層中形成淺溝槽；對淺溝槽的側壁進行阱注入；以硬質(zhì)掩膜層為掩膜，對外延層進行再次刻蝕，在外延層中形成目標溝槽；在目標溝槽中形成柵介質(zhì)層和多晶硅，并進行阱推進，在目標溝槽的側壁形成阱區(qū)；對阱區(qū)進行離子注入形成源區(qū)；淀積層間介質(zhì)層并刻蝕形成接觸孔；對接觸孔底部進行肖特基注入形成肖特基接觸。本發(fā)明采用溝槽分布刻蝕，兩步刻蝕之間增加側壁阱注入，使阱區(qū)僅存在溝槽側壁，而不在接觸孔下方，從而在接觸孔下方能進一步形成肖特基接觸，達到提升恢復速度的效果。