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爍科晶體：全球首發(fā)12英寸（300mm）高純半絕緣碳化硅襯底

榮耀宣布股改完成！終于要上市了······

英諾賽科上市！港股“第三代半導(dǎo)體”第一股！

杭州鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵襯底技術(shù)突破，助力客戶實(shí)現(xiàn)2400V增強(qiáng)型晶體管

成都士蘭半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，降低外延自摻雜效應(yīng)

深圳晶源申請(qǐng)光刻膠模型優(yōu)化方法專利，能夠解決模型中存在的過(guò)擬合現(xiàn)象和一致性不佳的技術(shù)問(wèn)題

河北同光半導(dǎo)體申請(qǐng)具有 p/n 結(jié)結(jié)構(gòu)的碳化硅單晶柔性膜專利，實(shí)現(xiàn)碳化硅薄膜高效剝離且無(wú)損傷

無(wú)錫錕芯半導(dǎo)體取得一種IGBT的驅(qū)動(dòng)裝置專利，實(shí)現(xiàn)IGBT本體的快速裝拆

北京智慧能源研究院SiC外延片公開(kāi)招標(biāo)采購(gòu)項(xiàng)目公開(kāi)招標(biāo)公告

上海天岳申請(qǐng)一種三維方向應(yīng)力分布均勻的SiC襯底及SiC晶體專利，提高SiC襯底質(zhì)量

安徽格恩半導(dǎo)體申請(qǐng)GaN基化合物半導(dǎo)體激光元件專利，提升光束質(zhì)量因子

廣州華瑞升陽(yáng)申請(qǐng)寬禁帶半導(dǎo)體器件專利，降低寬禁帶半導(dǎo)體器件導(dǎo)通損耗和柵介質(zhì)層擊穿風(fēng)險(xiǎn)

長(zhǎng)光華芯“一種釋放氧化應(yīng)力的VCSEL芯片及其制備方法”專利獲授權(quán)

又見(jiàn)跨界收購(gòu)！“一代鞋王”擬入局存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域

宇電精密溫控獲評(píng)國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”，品牌空間亮相廈門(mén)地鐵

華工科技半導(dǎo)體激光裝備產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室啟動(dòng)

三星電子獲美47.45億美元芯片補(bǔ)貼

官宣！日產(chǎn)本田確認(rèn)合并！

24億元！惠科與綿投集團(tuán)簽訂增資擴(kuò)股協(xié)議

2024年中國(guó)半導(dǎo)體并購(gòu)31件模擬芯片和材料成熱點(diǎn)

一代鞋王跨界半導(dǎo)體，奧康國(guó)際籌劃增發(fā)收購(gòu)聯(lián)和存儲(chǔ)科技

現(xiàn)代汽車(chē)解散半導(dǎo)體戰(zhàn)略部門(mén)，原計(jì)劃自研5nm芯片

浙江材孜科技取得碳化硅單晶生長(zhǎng)裝置專利，有利于生長(zhǎng)空間的穩(wěn)定性

納維達(dá)斯半導(dǎo)體申請(qǐng) GaN 半橋電路等專利，提升電路性能

晶體材料及元器件廠商飛銳特完成數(shù)千萬(wàn)元A輪融資

華海清科自主研發(fā)清洗裝備已批量用于晶圓再生生產(chǎn)

士蘭微“用于LLC諧振變換器的恒流控制電路及恒流控制方法”專利獲授權(quán)

捷捷微電“一種縱向變摻雜的IGBT結(jié)構(gòu)及制備方法”專利公布

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

天域半導(dǎo)體向港交所遞交上市申請(qǐng)

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