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華為申請?zhí)蓟枰r底制備方法專利，使碳化硅襯底內(nèi)部應(yīng)力分布均勻

鄭州勢壘取得用于金剛石生長的 MPCVD 裝置專利，能有效隔離外界空氣維持真空工作環(huán)境

廣東中圖半導(dǎo)體申請高一致性圖形化襯底制備方法專利，解決圖形化襯底均一性降低問題

萬國半導(dǎo)體申請用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

東方晶源榮獲2025 IC風(fēng)云榜“年度領(lǐng)軍企業(yè)獎”

上海瑞華晟申請SiC/SiC復(fù)合材料制備方法專利，提升材料抗氧化性

南京集芯光電取得一種氮化鎵生長加熱爐專利，解決氮化鎵采取和附著問題，提高產(chǎn)量

蘇州立琻半導(dǎo)體申請p型AlGaN材料及其制備等專利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

用AI鏈接芯世界，此芯科技2024生態(tài)大會完美收官

環(huán)球晶圓獲芯片法案4.06億美元補貼，將建設(shè)美國首座大批量300毫米硅晶圓工廠

上海積塔半導(dǎo)體申請檢測晶圓位置的專利，能夠確保后續(xù)晶圓環(huán)切等工藝順利進行

浙江睿熙申請 VCSEL 集成晶圓及其制造方法專利，實現(xiàn)晶圓級別集成

森國科申請 MOSFET 結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，降低飽和電流

長飛先進武漢碳化硅基地設(shè)備進場

上海燁映微電子申請 GaN 晶體管與柵極驅(qū)動器合封專利，實現(xiàn)高頻能力

中科飛測第1000臺集成電路質(zhì)量控制設(shè)備出機

杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)申請一種功率開關(guān)器件專利，提高了器件的功率密度

成都氮矽科技申請 N 面增強型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

揚杰電子申請?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

上海積塔半導(dǎo)體申請?zhí)蓟杈w管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

中微公司宣布成功從美國國防部中國軍事企業(yè)清單中移除

博世獲16億元補貼，將投138億元發(fā)力8英寸SiC芯片！

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北方華創(chuàng)擬參設(shè)北京集成電路裝備產(chǎn)業(yè)投資并購二期基金

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