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北方華創(chuàng)申請工藝腔室及半導(dǎo)體工藝設(shè)備專利，雙重密封提高射頻線圈處的密封性

長飛先進(jìn)半導(dǎo)體申請功率器件及相關(guān)專利，降低功耗

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扭虧為盈！天岳先進(jìn)2024業(yè)績大突破

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長飛先進(jìn)順利通過汽車電子行業(yè)兩大核心標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證

杭華股份擬收購浙江迪克60%股權(quán) 強(qiáng)化顯示光刻膠領(lǐng)域布局

注冊資本1億華為成立北京引望

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國星光電這個系列光耦產(chǎn)品力拉滿

新微半導(dǎo)體“垂直腔面發(fā)射激光器的外延結(jié)構(gòu)及其校驗(yàn)方法”專利公布

前瞻|浙江大學(xué)任娜將出席“2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”并做報告

Wolfspeed第4代碳化硅技術(shù)：重新定義高功率應(yīng)用的性能和耐久性

突發(fā)！半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，停止為部分中國客戶服務(wù)

曝圖森未來關(guān)停廣州公司，已進(jìn)入解散清算流程

英飛凌達(dá)成200mm碳化硅（SiC）新里程碑：開始交付首批產(chǎn)品

日月光半導(dǎo)體取得一種封裝結(jié)構(gòu)專利，簡化了制造工藝

長園半導(dǎo)體設(shè)備取得芯片取料裝置和芯片生產(chǎn)系統(tǒng)專利，有效提高產(chǎn)品從膜片上取料的成功率

格至達(dá)智能取得IGBT功率模塊專利，保證可靠性和耐用性

雷軍：今年小米將保持超30%增速電動車的突破是亮點(diǎn)

青禾晶元新廠房開工，助力半導(dǎo)體先進(jìn)鍵合技術(shù)邁向新高度

比亞迪半導(dǎo)體“存儲器測試方法、存儲器測試裝置、存儲介質(zhì)和電子設(shè)備”專利公布

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臺積電等多家科技廠加速“美國制造” 赴美設(shè)廠抗關(guān)稅

北方華創(chuàng)“上電極裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備”專利公布

格恩半導(dǎo)體取得半導(dǎo)體激光器封裝模組專利，降低激光器芯片的熱失配和溫升幅度

紫光同芯“一種SGT器件及其制備方法”專利公布

理想汽車大動作！自研碳化硅功率芯片完成裝機(jī)：進(jìn)軍純電動

華潤微電子發(fā)布功率模塊新品，涉多領(lǐng)域應(yīng)用！

日本硅晶圓制造商Sumco宣布2026年底前停止宮崎工廠的硅晶圓生產(chǎn)

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