天眼查顯示，上海新微半導(dǎo)體有限公司“垂直腔面發(fā)射激光器的外延結(jié)構(gòu)及其校驗(yàn)方法”專利公布，申請(qǐng)公布日為2024年12月27日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN119209203A。

本發(fā)明提供一種垂直腔面發(fā)射激光器的外延結(jié)構(gòu)及其校驗(yàn)方法，該校驗(yàn)方法通過采用Al的摩爾分?jǐn)?shù)大于60％的AlGaAs材料作為緩沖層的GaAs襯底的垂直腔面發(fā)射激光器的外延結(jié)構(gòu)進(jìn)行外延校驗(yàn)，在進(jìn)行外延校驗(yàn)時(shí)對(duì)AlGaAs緩沖層的外延生長進(jìn)行原位監(jiān)測，進(jìn)而減少試生產(chǎn)的次數(shù)，提高外延校驗(yàn)效率，此外，通過采用外延工藝于GaAs襯底上生長Al的摩爾分?jǐn)?shù)大于60％的AlGaAs緩沖層，同時(shí)在該外延工藝過程中于外延工藝腔室內(nèi)壁上沉積Al的摩爾分?jǐn)?shù)大于60％的AlGaAs材料作為內(nèi)壁保護(hù)層，以此來減少甚至避免外延生長時(shí)外延工藝腔室內(nèi)的雜質(zhì)顆粒掉落在外延生長的膜層表面形成缺陷，同時(shí)還可以去掉單獨(dú)于外延工藝腔室內(nèi)壁上沉積內(nèi)壁保護(hù)層的爐次，進(jìn)一步提高外延校驗(yàn)效率。