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CSPSD 2025前瞻|愛發(fā)科王鶴鳴：面向功率器件制造的先進離子注入解決方案的集成工藝與創(chuàng)新

意見征集 | 北大光電院牽頭的異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測試方法標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

CSPSD 2025前瞻|昕感科技李道會：面向車規(guī)應(yīng)用的功率之”芯”SiC及封裝技術(shù)挑戰(zhàn)

最新報告嘉賓公布！2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD2025）

CSPSD 2025前瞻|北京大學(xué)魏進：GaN功率器件動態(tài)電阻與動態(tài)閾值電壓

西湖大學(xué)光電研究院仇旻當(dāng)選歐洲科學(xué)院院士

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CSPSD 2025前瞻|熾芯微電子朱正宇：功率器件封裝技術(shù)的發(fā)展及展望

英國南安普敦大學(xué)開設(shè)全球第二家電子束光刻工廠

美國芯片關(guān)稅征收倒計時，稅率高達(dá)100％？半導(dǎo)體廠商屏息以待

《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展報告（2024）》重磅發(fā)布

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)院微電子所黃森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

機構(gòu)預(yù)計美關(guān)稅政策將導(dǎo)致2026全球半導(dǎo)體市場萎縮

工信部：加快自動駕駛系統(tǒng)安全要求強制性國家標(biāo)準(zhǔn)研制

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所光電子材料與器件全國重點實驗室誠邀全球英才加盟

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標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

標(biāo)準(zhǔn) |華峰測控牽頭的3項SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測試方法形成征求意見稿

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SEMI：2024年全球半導(dǎo)體材料市場營收增長3.8% 大陸位居第二

TechInsights：美高關(guān)稅恐導(dǎo)致2026全球半導(dǎo)體市場萎縮34%

CSPSD 2025前瞻| 電子科技大學(xué)喬明：用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢與技術(shù)挑戰(zhàn)

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聯(lián)盟被評為“A級活躍度產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟”

40家外地半導(dǎo)體企業(yè)走進武漢產(chǎn)業(yè)一線看創(chuàng)新

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