基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的絕緣柵高電子遷移率晶體管（MIS-HEMT）器件具有高頻低導(dǎo)通、高柵極可靠性以及良好的尺寸微縮特性，有望應(yīng)用于航空航天、人工智能和芯片端供電等新興領(lǐng)域，為集成電路提供高能效電源管理方案。然而由于缺乏高質(zhì)量的本征氧化層，介質(zhì)/GaN界面存在高密度的界面態(tài)，這些界面態(tài)的緩慢充放電導(dǎo)致閾值電壓不穩(wěn)定性和動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻退化等問題，成為制約GaN基MIS-HEMT器件實(shí)用化的兩大難題。 

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。本次論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，南京郵電大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.ybx365.cn）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共同主辦。南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院（產(chǎn)教融合學(xué)院）、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。電子科技大學(xué)、南京郵電大學(xué)南通研究院、蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司、揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司等單位協(xié)辦。 

會(huì)議設(shè)有開幕大會(huì)&主旨報(bào)告，以及硅及寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件及集成應(yīng)用，超寬禁帶材料、器件及集成應(yīng)用，功率集成交叉與應(yīng)用，先進(jìn)封裝與異構(gòu)集成等4個(gè)平行論壇，將覆蓋晶圓造、芯片設(shè)計(jì)、芯片加工、模塊封裝、測(cè)試分析、軟件工具、設(shè)備制造、整機(jī)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。  

屆時(shí)，中國科學(xué)院微電子研究所，研究員黃森將受邀出席會(huì)議，并分享《高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成》的主題報(bào)告。報(bào)告將詳細(xì)介紹如何提高自主超薄勢(shì)壘AlGaN(<6 nm)/GaN增強(qiáng)型MIS-HEMT的可靠性，同時(shí)探討其與GaN基功率和驅(qū)動(dòng)控制電路集成的可行性，敬請(qǐng)關(guān)注！

嘉賓簡介 

黃森，中國科學(xué)院微電子研究所研究員，中科院大學(xué)博士生導(dǎo)師，IEEE高級(jí)會(huì)員，獲國家自然基金優(yōu)秀青年基金、中國科學(xué)院青促會(huì)優(yōu)秀會(huì)員等人才項(xiàng)目資助。2009年博士畢業(yè)于北京大學(xué)，長期致力于高性能GaN基功率器件工藝和物理研究，在新型增強(qiáng)型器件設(shè)計(jì)，高壓表面鈍化，低界面態(tài)工藝和高可靠柵介質(zhì)，以及大尺寸Si基GaN絕緣柵功率器件關(guān)鍵制程等方面取得若干具有國際影響力的創(chuàng)新成果。迄今在IEEE EDL/TED等電子器件權(quán)威期刊以及IEDM、ISPSD等微電子領(lǐng)域國際頂級(jí)會(huì)議上發(fā)表論文120余篇，申請(qǐng)美國專利8項(xiàng)，中國專利40余項(xiàng)，部分技術(shù)成果已經(jīng)被企業(yè)使用。作為負(fù)責(zé)人主持承擔(dān)了科技部重點(diǎn)研發(fā)、國家自然基金重點(diǎn)/面上項(xiàng)目、中科院前沿科學(xué)重點(diǎn)研究和中國科學(xué)院-裘槎基金會(huì)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室資助計(jì)劃等項(xiàng)目。2022年獲得中國電子學(xué)會(huì)自然科學(xué)二等獎(jiǎng)和中國儀器儀表學(xué)會(huì)技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)。 

中國科院微電子所寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)團(tuán)隊(duì)是國內(nèi)最早開展化合物半導(dǎo)體器件和電路研究的團(tuán)隊(duì)之一，建立了國內(nèi)第一批化合物半導(dǎo)體研發(fā)線，并引領(lǐng)該研究領(lǐng)域的發(fā)展。規(guī)劃方向主要依托研究所高頻高壓中心，開展GaN、SiC等化合物半導(dǎo)體在5G移動(dòng)通信、毫米波、以及電力電子器件方面的研究，逐步打造成國內(nèi)化合物半導(dǎo)體電路及器件方面的高端產(chǎn)品研發(fā)平臺(tái)、技術(shù)轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化平臺(tái)和技術(shù)服務(wù)共享平臺(tái)。

組織機(jī)構(gòu)

指導(dǎo)單位：

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

主辦單位：南京郵電大學(xué)極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.ybx365.cn）第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

承辦單位：南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院（產(chǎn)教融合學(xué)院）北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

協(xié)辦支持：電子科技大學(xué)南京郵電大學(xué)南通研究院蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司

大會(huì)主席：郭宇鋒

聯(lián)合主席：柏松 張波 趙璐冰

程序委員會(huì)：盛況 陳敬 張進(jìn)成 陸海 唐為華 羅小蓉 張清純 龍世兵 王來利 程新紅 楊媛 楊樹 張宇昊 劉斯揚(yáng) 章文通 陳敦軍 耿博 郭清 蔡志匡 劉雯  鄧小川 魏進(jìn) 周琦 周弘 葉懷宇 許晟瑞 張龍 包琦龍 金銳 姚佳飛 蔣其夢(mèng) 明鑫 周春華 等

組織委員會(huì)

主 任：姚佳飛  

副主任：涂長峰

成 員: 張茂林 周峰 徐光偉 劉盼 王珩宇 楊可萌 張珺 王曦 羅鵬 劉成 劉宇 馬慧芳 陳靜 李曼 賈欣龍等

主題方向

1. 硅基功率器件與集成技術(shù)

硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真與設(shè)計(jì)技術(shù)、器件測(cè)試表征技術(shù)、器件可靠性、器件制造技術(shù)、功率集成IC技術(shù)

2. 碳化硅功率器件與集成技術(shù)

碳化硅功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

3. 氮化鎵、III/V族化合物半導(dǎo)體功率器件與功率集成

氮化鎵功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半導(dǎo)體功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù) 

4. 氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術(shù)

氧化鎵/金剛石功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

5. 模組封裝與應(yīng)用技術(shù)

功率器件、模組與封裝技術(shù)、先進(jìn)封裝技術(shù)與封裝可靠性

6. 面向功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術(shù)

核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料；退火、刻蝕、離子注入等功率集成工藝平臺(tái)與制造技術(shù)；制造、封裝、檢測(cè)及測(cè)試設(shè)備等

7. 功率器件交叉領(lǐng)域

基于新材料（柔性材料、有機(jī)材料、薄膜材料、二維材料）的功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、制造與集成技術(shù)；人工智能驅(qū)動(dòng)的功率器件仿真，建模與設(shè)計(jì)、封裝與測(cè)試

會(huì)議日程

參會(huì)與擬邀單位

中電科五十五所、電子科技大學(xué)、英飛凌、華虹半導(dǎo)體、揚(yáng)杰科技、士蘭微、捷捷微電、英諾賽科、中科院上海微系統(tǒng)所、氮矽科技、中科院微電子所、中科院半導(dǎo)體所、三安半導(dǎo)體、芯聯(lián)集成、斯達(dá)半導(dǎo)體、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)、浙江大學(xué)、東南大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、清華大學(xué)、北京大學(xué)、廈門大學(xué)、南京大學(xué)、天津大學(xué)、長飛半導(dǎo)體、華為、溫州大學(xué)、明義微電子、海思半導(dǎo)體、瞻芯電子、基本半導(dǎo)體、華大九天、博世、中鎵半導(dǎo)體、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識(shí)電子、超芯星、南瑞半導(dǎo)體、西交利物浦大學(xué)、西安理工大學(xué)、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半導(dǎo)體、中科院納米所、平湖實(shí)驗(yàn)室、北京工業(yè)大學(xué)、南方科技大學(xué)、華南師范大學(xué)、立川、國電投核力創(chuàng)芯、華中科技大學(xué)等……

活動(dòng)參與：   

注冊(cè)費(fèi)2800元，5月15日前注冊(cè)報(bào)名2500元（含會(huì)議資料袋，23日午餐、歡迎晚宴、24日自助午餐及晚餐）

繳費(fèi)方式

①銀行匯款

開戶行：中國銀行北京科技會(huì)展中心支行

賬 號(hào)：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

②移動(dòng)支付

備注：通過銀行匯款/移動(dòng)支付，請(qǐng)務(wù)必備注：單位簡稱+姓名+南京，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請(qǐng)將報(bào)名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。

掃碼預(yù)報(bào)名

備注：此碼為預(yù)報(bào)名通道，完成信息提交后，需要對(duì)公匯款或者掃碼支付注冊(cè)費(fèi)。

論文投稿及報(bào)告咨詢：

賈老師  18310277858  jiaxl@casmita.com

姚老師  15951945951  jfyao@njupt.edu.cn

張老師  17798562651  mlzhang@njupt.edu.cn 

李老師  18601994986  linan@casmita.com

贊助、展示及參會(huì)聯(lián)系：

賈先生  18310277858   jiaxl@casmita.com

張女士  13681329411  zhangww@casmita.com

投稿模板下載：投稿模板_CSPSD2025.docx    文章?lián)駜?yōu)推薦到EI期刊《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)（英文）》。 

會(huì)議酒店

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