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CSPSD 2025前瞻|南京郵電大學(xué)陳靜：智能TCAD技術(shù)—AI賦能微納電子器件的仿真、建模與設(shè)計(jì)

CSPSD 2025前瞻|上海大學(xué)任開琳：E型GaN HEMT和pFET的穩(wěn)定性增強(qiáng)研究

2025車用功率半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)培訓(xùn)會在廣州南沙成功舉辦

CSPSD 2025前瞻|東南大學(xué)魏家行：碳化硅功率MOSFET關(guān)鍵技術(shù)新進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|超芯星邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

CSPSD 2025前瞻|鎵和半導(dǎo)體邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

CSPSD 2025前瞻|愛發(fā)科邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

CSPSD 2025前瞻|南京郵電大學(xué)南通研究院邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

CSPSD 2025前瞻|揚(yáng)杰科技邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

CSPSD 2025前瞻|國聯(lián)萬眾邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

CSPSD 2025前瞻|矢量科學(xué)儀器邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

芯源新材料亮相2025 PCIM Europe

詳細(xì)日程| 2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）5月22-24日南京見!

CSPSD 2025前瞻|復(fù)旦大學(xué)劉盼：1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對比研究

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹：高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究

CSPSD 2025前瞻|英諾賽科孟無忌：GaN“上車”之路——氮化鎵在電動汽車中應(yīng)用方案與優(yōu)勢

深圳市半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金成立

鄔賀銓院士：人工智能重塑萬億元終端產(chǎn)業(yè)

CSPSD 2025前瞻|香港大學(xué)張宇昊：GaN和Ga2O3中的多維器件超結(jié)、多溝道和FinFET

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)張進(jìn)成:鎵系半導(dǎo)體功率器件研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|東南大學(xué)劉斯揚(yáng)：功率半導(dǎo)體集成技術(shù)研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|電子科技大學(xué)明鑫：面向AI服務(wù)器電源的低壓GaN驅(qū)動電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

CSPSD 2025前瞻|山東大學(xué)彭燕：基于金剛石/碳化硅新型異質(zhì)散熱結(jié)構(gòu)的器件應(yīng)用研究

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)徐光偉：基于摻雜調(diào)控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究

CSPSD 2025前瞻|浙江大學(xué)王珩宇：碳化硅功率器件空間電荷補(bǔ)償技術(shù)

中國管制中重稀土相關(guān)物項(xiàng)出口后首次批出口許可證

CSPSD 2025前瞻|中電科四十六所蘭飛飛：金剛石材料研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|揚(yáng)杰科技施俊：SiC功率器件的技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用、挑戰(zhàn)和未來趨勢

中國AI計(jì)算迎來重大突破!首批AGC架構(gòu)智算整機(jī)問世

CSPSD 2025前瞻|國聯(lián)萬眾王川寶：SiC電力電子芯片技術(shù)與SiC基GaN射頻芯片技術(shù)進(jìn)展

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