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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財經(jīng)應(yīng)用

昆明理工大學在溶液法生長高純3C-SiC晶體研究方面取得進展

碳化硅單晶襯底的常用檢測技術(shù)

聯(lián)合攻關(guān)成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功

廈大、華為合作，實現(xiàn)具有超低邊界熱阻的硅/多晶金剛石鍵合

量子半導體器件實現(xiàn)拓撲趨膚效應(yīng)

器件新突破！香港科技大學教授陳敬團隊成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點的實驗晶體管！

唐為華教授團隊通過熱重排工程和能帶調(diào)制實現(xiàn)可調(diào)諧的 Ga?O? 日盲光敏性能

清溢光電：已實現(xiàn)180nm工藝節(jié)點半導體芯片掩膜版的量產(chǎn)

中國科學院半導體研究所在脈沖型人工視覺芯片研制取得新進展

中科院物理所陳小龍團隊：晶圓級立方碳化硅單晶生長取得突破

北大團隊研發(fā)超低動態(tài)電阻氮化鎵高壓器件，耐壓能力大于6500V

中國科學家提出基于信號關(guān)聯(lián)的新量子傳感范式

首個由石墨烯制成的功能半導體問世?電子遷移率是硅的10倍

石墨烯芯片制造領(lǐng)域，重要里程碑→

新進展！西安交通大學實現(xiàn)2英寸單晶金剛石異質(zhì)外延自支撐襯底量產(chǎn)

上海光機所在高重頻高功率超快激光器研究取得進展

山東大學彭燕、徐現(xiàn)剛團隊在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復(fù)合襯底的進展

廈門大學林楷強教授團隊在二維半導體材料的激子研究方面取得新進展

4H-SiC 中基面位錯滑移帶表征和外延傳播

日本團隊：金剛石MOSFET研制取得最新進展

北京大學申請半導體器件結(jié)構(gòu)專利

中國科學院長春光機所黎大兵研究團隊喜獲吉林省技術(shù)發(fā)明一等獎

武漢大學袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運領(lǐng)域最新研究進展

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

太原理工大學和武漢大學在金剛石/氮化鎵薄膜生長工藝與熱物性表征領(lǐng)域研究進展

中科院半導體研究所公開一項集成光子芯片專利可提升光模塊性能

全球首顆！我國芯片領(lǐng)域取得重大突破！

九峰山實驗室著力破解太赫茲器件頻率瓶頸

中科大龍世兵課題組 | 基于交變柵壓調(diào)制的Ga2O3光電探測器

日本開發(fā)新技術(shù)，可實現(xiàn)GaN垂直導電

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