金剛石半導(dǎo)體具有超寬禁帶（5.45eV），高擊穿場(chǎng)強(qiáng)（10MV/cm）、高載流子飽和漂移速度、高熱導(dǎo)率（22 W/cmK）等材料特性，以及優(yōu)異的器件品質(zhì)因子（Johnson、Keyes、Baliga），采用金剛石襯底可研制高溫、高頻、大功率、抗輻照電子器件，克服器件的“自熱效應(yīng)”和“雪崩擊穿”等技術(shù)瓶頸，在5G/6G通信，微波/毫米波集成電路，探測(cè)與傳感等領(lǐng)域發(fā)展起到重要作用。目前，金剛石電子器件的發(fā)展受限于大尺寸、高質(zhì)量的單晶襯底。硅、藍(lán)寶石等襯底的商業(yè)化，為異質(zhì)外延單晶金剛石提供了前提條件。

近日，西安交大研究團(tuán)隊(duì)采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積（MPCVD）技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)2英寸異質(zhì)外延單晶金剛石自支撐襯底的批量化（如圖一所示）。通過(guò)對(duì)成膜均勻性、溫場(chǎng)及流場(chǎng)的有效調(diào)控，提高了異質(zhì)外延單晶金剛石成品率。襯底表面具有臺(tái)階流（step-flow）生長(zhǎng)模式（如圖二所示），可降低襯底的缺陷密度，提高晶體質(zhì)量。XRD（004）、（311）搖擺曲線半峰寬分別小于91 arcsec和111 arcsec（如圖三所示），達(dá)到世界領(lǐng)先水平。

圖一. 2英寸異質(zhì)外延單晶金剛石自支撐襯底照片

圖二. 異質(zhì)外延金剛石光學(xué)顯微鏡照片（a）放大100倍（b）放大500倍.

圖三. XRD測(cè)試結(jié)果（a）（004）面搖擺曲線；（b）（311）面搖擺曲線；（c）（311）面四重對(duì)稱；（d）極圖

西安交大寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究中心于2013年建立，實(shí)驗(yàn)室主任為國(guó)家級(jí)特聘專家王宏興教授。實(shí)驗(yàn)室經(jīng)過(guò)近10年的發(fā)展，已形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的金剛石半導(dǎo)體外延設(shè)備研發(fā)、單晶/多晶襯底生長(zhǎng)、電子器件研制等系列技術(shù)，已獲授權(quán)48項(xiàng)專利。與國(guó)內(nèi)相關(guān)大型通信公司，中國(guó)電科相關(guān)研究所等開展金剛石半導(dǎo)體材料與器件的廣泛合作，促進(jìn)了金剛石射頻功率電子器件、電力電子器件、MEMS等器件的實(shí)用性發(fā)展。