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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財(cái)經(jīng)應(yīng)用

中科院微電子所在氮化鎵—金剛石異質(zhì)集成方面取得新進(jìn)展

碳化硅功率器件技術(shù)綜述與展望

清華大學(xué)團(tuán)隊(duì)首次實(shí)現(xiàn)了具有亞1nm柵極長度的晶體管

瀾起科技：整個(gè)DDR5相關(guān)芯片價(jià)值量高于DDR4，DDR5第二子代芯片正在研發(fā)

電裝SiC功率半導(dǎo)體的誕生之路和未來的可能性

世界上首次用HVPE法在6英寸晶片上氧化鎵成膜成功

清華大學(xué)交叉信息研究院段路明課題組實(shí)現(xiàn)量子存儲(chǔ)器增強(qiáng)的非局域圖態(tài)制備

鄭州大學(xué)物理學(xué)院在自供能多色顯示研究方面取得進(jìn)展

中電科二所研制出山西省首片碳化硅芯片

西電周弘教授：超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵器件最新研究進(jìn)展

北大物理學(xué)院高鵬課題組揭示氮化物異質(zhì)結(jié)界面聲子輸運(yùn)機(jī)制

基于SiC逆變器的電動(dòng)汽車永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)研究

SK海力士開發(fā)出下一代智能內(nèi)存芯片技術(shù)PIM

中國科大潘建偉院士團(tuán)隊(duì)等與海外團(tuán)隊(duì)合作《Science》發(fā)文報(bào)道首次觀測到費(fèi)米超流中的熵波臨界發(fā)散

中科院蘇州納米所團(tuán)隊(duì)在石墨烯調(diào)控的氮化鎵遠(yuǎn)程外延機(jī)理研究獲新進(jìn)展

碳化硅激光剝離設(shè)備國產(chǎn)化中電科二所取得突破性進(jìn)展

首次成功將超薄半導(dǎo)體和超導(dǎo)體結(jié)合，實(shí)現(xiàn)以零電阻導(dǎo)電

中國科大郭光燦院士團(tuán)隊(duì)在硅基半導(dǎo)體自旋量子比特操控研究中取得進(jìn)展

國際首次 | β相氧化鎵功率品質(zhì)因子國際首次超越SiC理論極限

SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？

復(fù)旦大學(xué)袁澤興：基于玻璃封裝高穩(wěn)定鈣鈦礦納米晶色轉(zhuǎn)換材料的高速水下無線光通信

華南理工大學(xué)李國強(qiáng)教授：可見光通信系統(tǒng)中核心元器件研究

丹麥技術(shù)大學(xué)副教授歐海燕：碳化硅，一種新型的集成光子和量子集成光子平臺(tái)

光通信技術(shù)未來更加凸顯其重要性，聽專家學(xué)者們怎么說？！

中科院半導(dǎo)體所熒光型LED的OOK調(diào)制速率突破1Gbps

重慶郵電大學(xué)成功研發(fā)第三代半導(dǎo)體功率芯片

浙大發(fā)布兩款超導(dǎo)量子芯片關(guān)鍵指標(biāo)實(shí)現(xiàn)新突破

西電張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)最新成果：基于p-SnO帽層?xùn)诺母唛撝翟鰪?qiáng)型AlGaN/GaN HEMTs

一文看懂半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備

中科大在日盲紫外探測領(lǐng)域取得新進(jìn)展

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