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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財經(jīng)應(yīng)用

清華團隊闡釋層狀半導(dǎo)體芯片新材料的橫向結(jié)電子器件應(yīng)用

山海半導(dǎo)體推出國際先進水平32位超高分辨率ADC

牛津大學(xué)研發(fā)出特殊藍寶石光纖傳感器，破解了長達20年的技術(shù)瓶頸

應(yīng)用在智能照明領(lǐng)域的環(huán)境光傳感芯片

中科院物理所在8英寸碳化硅單晶研究取得新進展

金剛石MOSFET器件最新成果！在(111)金剛石襯底上成功制備高性能C-Si MOSFET器件

南科大深港微電子學(xué)院在寬禁帶半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得系列研究進展

蘇州大學(xué)揭建勝教授團隊提出有機半導(dǎo)體單晶薄膜制備新方法，遷移率變異系數(shù)僅9.8%

總投資近3000億？傳世界先進擬建首座12英寸

南科大深港微電子學(xué)院在寬禁帶半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得系列研究進展

能效有望突破1000倍，華中科大科研團隊新型存儲芯片取得重大進展

高溫工作垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器現(xiàn)狀與未來

中科院長春光機所梁靜秋團隊在紅光Micro-LED光電特性研究獲進展

中科院半導(dǎo)體所在氮化物材料生長界面研究方面取得新進展

中科院半導(dǎo)體所趙德剛團隊研制出室溫連續(xù)功率2W的GaN基大功率紫外激光器

北京大學(xué)沈波、許福軍團隊在高Al組分AlGaN的高效p型摻雜研究中獲重要進展

Wolfspeed：新型SBD和MOSFET封裝大幅縮減尺寸，提高功率密度

北大材料學(xué)院劉磊課題組在六方氮化硼材料的制備及其同位素效應(yīng)研究中取得系列進展

SiC模塊開啟電機驅(qū)動器更高功率密度

研究人員在5G通信和量子信息處理的高頻率下發(fā)現(xiàn)拓?fù)洮F(xiàn)象

首個集成在鈮酸鋰芯片上的激光器面世

中國半導(dǎo)體功率器件 TOP10

SiC MOSFET 高溫柵氧可靠性研究

IGBT模塊驅(qū)動技術(shù)綜述

6英寸晶圓高功率半導(dǎo)體激光芯片量產(chǎn)線

中科院化學(xué)所在印刷制備單一取向有機半導(dǎo)體單晶陣列方面取得進展

工信部：南理工在水系鋰離子電池研究方面取得新進展

Vicor 在2022底特律國際汽車設(shè)計工程展（WCX）上為 xEV 呈現(xiàn)最高功率密度的汽車解決方案

英偉達前副總裁花18個月，在中國造出了12nm全功能GPU芯片

中科院物理所孟慶波團隊在CsPbI3全無機鈣鈦礦太陽能電池取得新進展

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