亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<button id="46y4i"><input id="46y4i"></input></button>

推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財經(jīng)應(yīng)用

量子點合成及其光電功能薄膜研究進展

淺析基于量子成像的下一代甚高靈敏度圖像傳感器技術(shù)

生效條件正在變化，摩爾定律到盡頭了嗎？

尋找合適的半導體技術(shù)，解決數(shù)據(jù)中心電源挑戰(zhàn)

紫外增強圖像傳感器的研究進展

有機光伏器件中載流子輸運的時空重復性

南京大學譚海仁課題組實現(xiàn)可量產(chǎn)化的全鈣鈦礦疊層光伏組件

二維半導體環(huán)柵晶體管和垂直互補晶體管的陣列驗證

北京理工大學在拓撲微納光子器件領(lǐng)域取得重要進展

中科院蘇州納米所趙志剛團隊Analytical Chemistry：量子點尺寸調(diào)控實現(xiàn)半導體SERS基底性能提升和無機小分子檢測

第四代SiC MOSFET 突破電力電子領(lǐng)域邊界

中科院金屬所發(fā)明一種光控二極管

簡述汽車芯片

25 kW SiC直流快充設(shè)計指南(第四部分)：DC-DC級的設(shè)計考慮因素和仿真

SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性及1 200V 產(chǎn)品參數(shù)分散性對并聯(lián)均流的影響

解析射頻微波電感器件之選用玻璃陶瓷基板

半導體材料的點空位缺陷工程用于環(huán)境修復以及可持續(xù)能源生產(chǎn)

南京大學、東南大學在雙層二維半導體外延生長核心技術(shù)取得新突破

中科院物理所在光致VO2非易失相變及智能光電傳感應(yīng)用方面取得新進展

又2項，華為再公開芯片相關(guān)專利

第四代半導體氧化鎵，浙大杭州科創(chuàng)中心新技術(shù)路線制備 2 英寸晶圓

設(shè)計基于SiC的電動汽車直流快速充電機

中科院成功制備8英寸碳化硅晶體

南京大學等突破雙層二維半導體外延生長核心技術(shù)

固體所在二維材料光電探測器研究方面取得新進展

國際首創(chuàng)！浙大杭州科創(chuàng)中心首次采用新技術(shù)路線成功制備2英寸氧化鎵晶圓

SiC功率模塊封裝技術(shù)及展望

上海光機所疫情期間封閉攻關(guān) 突破多項“卡脖子”技術(shù)

中國科大成功融合遠距離量子密鑰分發(fā)和光纖振動傳感

中國科大實現(xiàn)硅基量子芯片中自旋軌道耦合強度的高效調(diào)控

«上一頁 1 2 … 21 22 23 24 25 … 34 35 下一頁» 共1037條/35頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<li id="i6eis"></li>

<button id="i6eis"></button>

<li id="i6eis"><source id="i6eis"></source></li>

<li id="i6eis"></li>