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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財經(jīng)應(yīng)用

中國科學家在鍺錫材料分子束外延方面取得重要進展

碳化硅功率器件在車載充電機 OBC中的應(yīng)用簡述

微型成像系統(tǒng)應(yīng)用的介質(zhì)超構(gòu)透鏡進展及挑戰(zhàn)

大型電動汽車中電機控制器IGBT模塊驅(qū)動電路的設(shè)計思路簡述

加州大學伯克利分校研究人員開發(fā)出一種新型半導體激光器

三星宣布3納米芯片正式開始量產(chǎn) 采用新 GAA晶體管架構(gòu) 提高30%性能

復(fù)旦大學盧紅亮課題組在柔性氧化鎵光電探測器方面取得重要研究進展實現(xiàn)超靈敏的深紫外光探測率

高壓大功率芯片封裝的散熱研究與仿真分析

英特爾研究院最新研究在多波長集成光學領(lǐng)域取得新進展

我國研究者開發(fā)AlNO新型緩沖層，提升綠光LED效率方面獲重大進展

突破！世界首個原子級量子集成電路推出

4H-SiC紫外光電探測器最新成果

技術(shù)分享 | GaN器件驅(qū)動及簡化柵極驅(qū)動設(shè)計的方法

SiC 動態(tài)表征和測量方法簡述

西安交大在氧化物薄膜外延領(lǐng)域取得重要進展

三星計劃三年內(nèi)打造 3 納米 GAA（Gate-all-around）工藝

廣東省科學院半導體研究所新型顯示團隊在微器件巨量組裝和集成領(lǐng)域重要研究進展

工作溫度橫跨400度！工研院VLSI發(fā)表世界頂尖“磁性存儲器”技術(shù)

柵極驅(qū)動器以及 SiC MOSFET 柵極驅(qū)動分析

SiC MOS產(chǎn)品驅(qū)動設(shè)計之寄生導通問題分析與設(shè)計建議

廈門大學課題組在超高響應(yīng)度日盲光電探測紙研究重要進展

華為公布量子芯片新專利，若實現(xiàn)商用或革新當下硅基芯片技術(shù)

多層MoS2外延晶圓推動二維半導體器件應(yīng)用的研究進展

超結(jié) IGBT 最新研究進展

廈大蔡端俊教授課題組在實驗上第一次成功獲得二維半導體h-BN的n型導電

中科院上海光機所在單頻589nm光纖激光器研究方面取得進展

SiC MOSFET的Vgs門極電壓的選取及其影響

先進碳化硅技術(shù)助力儲能系統(tǒng)

清華大學團隊研制出國際首款實時超光譜成像芯片

上海交大材料學院郭益平教授課題組在柔性壓電傳感器的研究中取得新進展

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