亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財經(jīng)應(yīng)用

面向可重構(gòu)整流電路的互補型柵控PN結(jié)電路研究

簡述晶圓級多層堆疊技術(shù)

高導(dǎo)熱金剛石/銅復(fù)合材料的制備與界面調(diào)控研究進(jìn)展

金剛石在GaN功率放大器熱設(shè)計中的應(yīng)用

一文讀懂氧化鎵半導(dǎo)體

WOLFSPEED：?使用碳化硅進(jìn)行雙向車載充電機(jī)設(shè)計

湖南三安發(fā)布最新1200V碳化硅MOSFET系列，包含1200V 80mΩ/20mΩ/16mΩ

一種基于基板埋入技術(shù)的新型SiC功率模塊封裝及可靠性優(yōu)化設(shè)計方法

哈爾濱工業(yè)大學(xué)科研團(tuán)隊通過選擇性生長方法制備了準(zhǔn)垂直金剛石肖特基二極管

自研基于 6 寸碳化硅晶圓的 6.5kV MOSFET功率模塊測試分析

打破電動汽車“里程焦慮”，主驅(qū)能效如何升級？

二維金剛石的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)若干進(jìn)展

中科院合肥研究院安光所團(tuán)隊在高分辨率激光外差光譜技術(shù)研究方面取得新進(jìn)展

高導(dǎo)熱金剛石材料的制備及器件應(yīng)用進(jìn)展

郝躍院士團(tuán)隊研制出國際最高功率優(yōu)值13.2 GW/cm2氧化鎵二極管并首次在氧化鎵中實現(xiàn)空穴超注入效應(yīng)

一種基于基板埋入技術(shù)的SiC功率模塊封裝及可靠性優(yōu)化設(shè)計

新型二維原子晶體材料Si?C??的構(gòu)筑

我國科學(xué)家成功制備白光鈣鈦礦發(fā)光二極管

外媒：日企將大規(guī)模量產(chǎn)氧化鎵器件

Wolfspeed：GaN HEMT 大信號模型

上海交大制冷所研究團(tuán)隊在高效彩色太陽能光伏電池板研究中取得新進(jìn)展

【成果轉(zhuǎn)化】6 英寸 650V-1200V 碳化硅外延片---產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)領(lǐng)域先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品轉(zhuǎn)化應(yīng)用目錄 (推廣篇)(2021年度)》

EUV光刻機(jī)在3nm的新挑戰(zhàn)

汽車功率器件的熱管理探討

武漢大學(xué)研究團(tuán)隊在鈣鈦礦太陽能電池研究取得多項進(jìn)展

中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所團(tuán)隊首次采用GNR邊緣接觸制備出目前世界上最小尺寸相變存儲單元器件

上海微系統(tǒng)所信息功能材料國家重點實驗室團(tuán)隊發(fā)布碳化硅單晶薄膜制備技術(shù)及集成光子應(yīng)用綜述

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院成功研制新原理機(jī)器視覺增強(qiáng)芯片

長春理工大學(xué)王登魁團(tuán)隊在制備CdSe量子點修飾ZnO微米線紫外光電探測器取得研究進(jìn)展

上海微系統(tǒng)所等實現(xiàn)硅基異質(zhì)集成的片上量子點發(fā)光

«上一頁 1 2 … 17 18 19 20 21 … 34 35 下一頁» 共1037條/35頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部