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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財(cái)經(jīng)應(yīng)用

簡(jiǎn)述碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

高壓碳化硅器件封裝國(guó)內(nèi)外研究進(jìn)展

西安交通大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)超寬禁帶半導(dǎo)體材料研究領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

中山大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)首次實(shí)現(xiàn)了基于ε-Ga2O3薄膜的SAW射頻諧振器

SiC MOSFET特性分析及應(yīng)用

電力電子中 IGBT 散熱器選型應(yīng)用

瀚天天成電子科技(廈門)有限公司招聘

國(guó)際首臺(tái)基于自主6.5kV/400A SiC MOSFET模塊的35kV/5MW電力電子變壓器順利通過(guò)全部型式試驗(yàn)

基于原子層沉積技術(shù)的具有常溫相變能力的鎢摻雜二氧化釩兼容于8寸晶圓及PI薄膜

簡(jiǎn)述使用不同類型GaN FET 設(shè)計(jì)提高系統(tǒng)設(shè)計(jì)功率密度

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)綜述

金剛石在器件散熱應(yīng)用中的研究動(dòng)態(tài)幾則

中國(guó)科大在高性能金剛石量子器件制備上取得重要進(jìn)展

保護(hù)IGBT和MOSFET免受ESD損壞

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告征求意見(jiàn)

山東大學(xué)成功研制高質(zhì)量4英寸氧化鎵晶體

自舉電路工作原理和自舉電阻和電容的選取

合肥工業(yè)大學(xué)在可重定義微波無(wú)源器件研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

韓科研團(tuán)隊(duì)研發(fā)新一代半導(dǎo)體氣敏傳感器

深圳大學(xué)劉新科研究員團(tuán)隊(duì)研發(fā)出自支撐GaN襯底上的高性能常關(guān)型PGaN柵極HEMT

山東大學(xué)與南砂晶圓團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底制備

解析電子封裝陶瓷基板

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告征求意見(jiàn)

一文了解金剛石半導(dǎo)體

南京大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)在下一代光電芯片制造領(lǐng)域獲重大突破！

技術(shù)分享：基于氮化鎵單晶襯底的增強(qiáng)型氮化鎵HEMTs

簡(jiǎn)述晶圓級(jí)多層堆疊封裝技術(shù)

研究人員利用氮化鎵開(kāi)發(fā)新型電子設(shè)備

蘇州納米所器件部樊士釗等JAP：利用電子通道襯度成像方法分析氮化鎵異質(zhì)結(jié)中的穿透位錯(cuò)和失配位錯(cuò)

南京大學(xué)余林蔚教授課題組實(shí)現(xiàn)面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超細(xì)晶硅納米線可靠生長(zhǎng)集成

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