近日，北方華創(chuàng)自主研發(fā)的兩款MOCVD（金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積）外延設(shè)備（型號(hào)：Satur N800/ Satur V700）順利通過行業(yè)龍頭客戶驗(yàn)收，并獲得批量重復(fù)訂單。

北方華創(chuàng)自2010年啟動(dòng)外延裝備的研發(fā)以來，經(jīng)過十余年的技術(shù)沉淀與創(chuàng)新突破，實(shí)現(xiàn)了在硅薄膜外延設(shè)備領(lǐng)域4英寸到12英寸全覆蓋，產(chǎn)品包括8英寸及以下的單片及多片大產(chǎn)能硅外延設(shè)備、12英寸硅外延設(shè)備，取得了多項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化成果，累計(jì)銷售突破千腔，先后榮獲“北京市科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎(jiǎng)”、首屆“國(guó)家卓越工程師團(tuán)隊(duì)”、“北京市模范集體”等重量級(jí)榮譽(yù)，成為中國(guó)硅薄膜外延裝備領(lǐng)域的引領(lǐng)者。 

憑借在硅外延設(shè)備領(lǐng)域的深厚積累，北方華創(chuàng)積極拓展化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備研發(fā)，形成了GaN（氮化鎵）、GaAs（砷化鎵）、SiC（碳化硅）等化合物半導(dǎo)體材料外延設(shè)備的系列化產(chǎn)品。

MOCVD設(shè)備是一種利用金屬有機(jī)化合物進(jìn)行金屬輸送的氣相外延生長(zhǎng)設(shè)備。它需要在原子尺度上實(shí)現(xiàn)復(fù)雜材料的納米精度控制、量子級(jí)界面控制。此外，還需具備高真空環(huán)境和高精度溫控系統(tǒng)，以確保材料的純度和生長(zhǎng)的穩(wěn)定性。 

Satur系列MOCVD設(shè)備

GaN MOCVD外延設(shè)備 

北方華創(chuàng)GaN MOCVD外延設(shè)備——Satur N800，面向8英寸硅基氮化鎵功率器件的特殊需求設(shè)計(jì)，具備大面積均勻溫度場(chǎng)、大范圍穩(wěn)定可調(diào)氣流場(chǎng)，以及多片式（Batch）大產(chǎn)能和自動(dòng)化配置，能夠滿足化合物半導(dǎo)體先進(jìn)器件對(duì)外延層組分、厚度和摻雜均勻性的高要求。目前，Satur N800已進(jìn)入國(guó)內(nèi)多家化合物半導(dǎo)體客戶端，順利通過芯片驗(yàn)證并穩(wěn)定運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)批量出貨，并不斷獲得重復(fù)訂單。 

GaAs MOCVD外延設(shè)備

北方華創(chuàng)GaAs MOCVD外延設(shè)備——Satur V700，成功突破了氣流場(chǎng)、溫度場(chǎng)、副產(chǎn)物控制等關(guān)鍵技術(shù)，具備高均勻性、大產(chǎn)能、低成本等優(yōu)勢(shì)。該設(shè)備不僅能夠滿足Micro LED行業(yè)的痛點(diǎn)需求，還可廣泛應(yīng)用于射頻、光電子等領(lǐng)域。目前，Satur V700已批量出貨多家客戶，并通過了嚴(yán)格的芯片驗(yàn)證，憑借其良好性能，持續(xù)獲得客戶的大量重復(fù)訂單。 

SiC外延設(shè)備

北方華創(chuàng)SiC外延設(shè)備——MARS iCE115/120S，工藝調(diào)試簡(jiǎn)單，維護(hù)操作便捷，一經(jīng)推出便迅速占領(lǐng)市場(chǎng)。其中MARS iCE120S兼容6/8英寸SiC外延，具備C2C能力，在SiC產(chǎn)業(yè)由6英寸向8英寸轉(zhuǎn)變的過渡期，為市場(chǎng)提供了良好的產(chǎn)品選擇。 

MARS iCE120S

隨著SiC外延技術(shù)的逐漸成熟，北方華創(chuàng)推出多片式6/8英寸兼容的SiC外延產(chǎn)品——Satur C960。該設(shè)備采用全新自主開發(fā)的溫控架構(gòu)、真空尾氣系統(tǒng)以及多功能模塊化設(shè)計(jì)，能夠?qū)崿F(xiàn)單爐9片6英寸或6片8英寸外延，具有高產(chǎn)能、低成本和長(zhǎng)運(yùn)行時(shí)間（Uptime）等優(yōu)勢(shì)，進(jìn)一步拓展了SiC外延產(chǎn)品市場(chǎng)。

 Satur C960

（來源：北方華創(chuàng)）