市場(chǎng)對(duì)高效、清潔和可持續(xù)能源解決方案的需求日益增長，這推動(dòng)了功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，也要求人們更加關(guān)注先進(jìn)材料。在各種先進(jìn)材料中，碳化硅 (SiC) 作為一項(xiàng)顛覆性技術(shù)脫穎而出，它與傳統(tǒng)硅基器件相比優(yōu)勢(shì)明顯。
碳化硅兼具高導(dǎo)熱性、高擊穿電場(chǎng)和高帶隙等獨(dú)特性能，非常適合需要實(shí)現(xiàn)更高效率的大功率及高頻應(yīng)用場(chǎng)景。本文將探討碳化硅在汽車、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)用品等多種應(yīng)用場(chǎng)景中的影響，以突出展示其在電子產(chǎn)品變革中的關(guān)鍵作用。
對(duì)碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時(shí)，需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實(shí)用知識(shí)，幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)高效且可靠的解決方案。
I. 簡(jiǎn)介
電力電子技術(shù)幾乎已經(jīng)融入到我們生活中的方方面面。電力電子技術(shù)的發(fā)展與材料科學(xué)、半導(dǎo)體器件技術(shù)和系統(tǒng)設(shè)計(jì)方面的技術(shù)進(jìn)步緊密相連。自半導(dǎo)體材料發(fā)明以來，電子設(shè)備獲得了空前提升，開創(chuàng)了一個(gè)新的時(shí)代。隨著硅材料和器件的躍進(jìn)，半導(dǎo)體技術(shù)開始具有可擴(kuò)展性和高適應(yīng)性，而電力電子領(lǐng)域也成為了所有電子系統(tǒng)中充滿活力且不可或缺的一部分。碳化硅和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展開辟了新天地，可提供更高的效率和功率密度，能夠在更高溫度和電壓下工作，從而推動(dòng)電力電子系統(tǒng)不斷突破上限。借助這些新擴(kuò)展的能源能力，就能夠以最低損耗將能量從一種形式轉(zhuǎn)換為另一種形式，同時(shí)提高系統(tǒng)的功能性和可靠性，從而將電力電子技術(shù)拓展到可再生能源系統(tǒng)、電動(dòng)汽車和智能電網(wǎng)等重要領(lǐng)域。
II. 半導(dǎo)體領(lǐng)域中的重大變革并不常見
20 世紀(jì)中期，硅促成了晶閘管和晶體管等半導(dǎo)體器件的誕生，如圖 1 所示。通過可靠的開關(guān)功能，這些器件能夠?qū)﹄妷汉碗娏鬟M(jìn)行控制處理；但是，它們受到開關(guān)速度較慢和控制能力低下的限制。隨著硅技術(shù)的發(fā)展，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 器件技術(shù)得以實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，可提供更強(qiáng)大的電氣特性。1979 年，MOSFET 發(fā)明問世，其開關(guān)速度更快、工作頻率更高，非常適合中低電壓應(yīng)用。1985 年，IGBT 推出，其結(jié)合了 MOSFET 和雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn)，具有更高電壓能力、更快開關(guān)速度和更高效率，催生了電力電子系統(tǒng)的巨大進(jìn)步，推動(dòng)了先進(jìn)電路拓?fù)浜涂刂品椒ǖ陌l(fā)展。
圖 1：功率半導(dǎo)體技術(shù)的演變 [1]
這些技術(shù)進(jìn)步確立了明確的性能表征，可推動(dòng)在能效、功率密度和可靠性等方面的未來發(fā)展，助力不斷突破硅性能極限。如此一來，人們?cè)趯捊麕О雽?dǎo)體材料研究方面的力度也在不斷增強(qiáng)。與硅相比，碳化硅的帶隙為三倍、擊穿電場(chǎng)達(dá)到十倍，因此出現(xiàn)成為適合下一代功率器件的理想材料，如圖 2 中的雷達(dá)圖所示。
圖 2：硅、碳化硅和氮化鎵關(guān)鍵性能參數(shù)比較。
Wolfspeed 于 2011 年推出了業(yè)界首款碳化硅 MOSFET，自此后一直引領(lǐng)從硅到碳化硅的轉(zhuǎn)型，為功率轉(zhuǎn)換器技術(shù)開辟了新天地，這在本文所述的多種應(yīng)用中均有體現(xiàn)。
III. 可持續(xù)發(fā)展未來
電力電子技術(shù)是實(shí)現(xiàn)高效電能轉(zhuǎn)換、調(diào)節(jié)和控制的基礎(chǔ)技術(shù)。對(duì)于在可再生能源發(fā)電、電動(dòng)汽車和工業(yè)自動(dòng)化等多個(gè)行業(yè)中部署可持續(xù)能源解決方案，該領(lǐng)域中的創(chuàng)新至關(guān)重要。
A. 電動(dòng)汽車 (EV)
在向可持續(xù)發(fā)展未來轉(zhuǎn)型的過程中，電動(dòng)汽車扮演著至關(guān)重要的角色，因?yàn)樗鼈冇袧摿Υ蠓鶞p少溫室氣體排放、改善城市空氣質(zhì)量并降低對(duì)不可再生化石燃料資源的依賴。在電動(dòng)汽車中，電力電子設(shè)備通過逆變器、轉(zhuǎn)換器和電機(jī)控制器等關(guān)鍵組件，來管理和控制電池、電機(jī)及輔助系統(tǒng)之間的電力流。這些系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)多種功能，例如：將電池中的直流電 (DC) 轉(zhuǎn)換為電機(jī)所需的交流電 (AC)，調(diào)節(jié)各種車輛系統(tǒng)的電壓水平，管理電池的充電和放電，以及實(shí)現(xiàn)再生制動(dòng)以重新捕獲能量。隨著碳化硅材料和器件技術(shù)日趨成熟，現(xiàn)在可以在碳化硅中開發(fā)出既可靠又堅(jiān)固的電力系統(tǒng)，同時(shí)不影響效率或可持續(xù)性。根據(jù)麥肯錫最近發(fā)布的一份報(bào)告，到 2027 年，50% 以上的純電電動(dòng)汽車可能會(huì)采用碳化硅動(dòng)力總成，而目前這一比例約為 30% [2]。
A.1. 動(dòng)力總成系統(tǒng)
負(fù)責(zé)將 EV 從 A 點(diǎn)行駛至 B 點(diǎn)的最核心、最關(guān)鍵的系統(tǒng)是電動(dòng)汽車動(dòng)力總成系統(tǒng)。電動(dòng)汽車的動(dòng)力系統(tǒng)負(fù)責(zé)處理儲(chǔ)存在車輛電池系統(tǒng)中的能量，并將其輸送到車輪。驅(qū)動(dòng)一輛滿載的車輛所需的能量十分巨大，因此需要瞬時(shí)和可預(yù)測(cè)的能量傳輸。此外，車輛的續(xù)航能力主要取決于以最高效率和最小阻力提供動(dòng)力的能力。碳化硅 MOSFET 的持續(xù)演變使得工程師能夠設(shè)計(jì)出足夠堅(jiān)固耐用的動(dòng)力總成逆變器，以應(yīng)對(duì)高溫和極端濕度，同時(shí)提供相比硅 MOSFET 更高的電壓范圍和更快的開關(guān)速度。通過在電動(dòng)汽車的動(dòng)力總成系統(tǒng)中采用碳化硅 MOSFET，可減少高達(dá) 80% 的功率損耗，從而將行駛距離延長多達(dá) 10%。除了為日常駕駛者帶來效率提升這一好處外，碳化硅 MOSFET 的高效率還讓汽車系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員有機(jī)會(huì)采用比傳統(tǒng)設(shè)計(jì)更小、更輕、更高效的電機(jī)，同時(shí)提供強(qiáng)勁的性能。Wolfspeed 80 kHZ 三相參考設(shè)計(jì)（圖 3）就是一個(gè)基于碳化硅的逆變器示例。與同類硅基逆變器相比，該設(shè)計(jì)可以將功率密度提高至兩倍，并且可以嵌入在超低電感封裝結(jié)構(gòu)中。
圖 3：CRD300DA12E-XM3 300 kW 800 V 直流母線標(biāo)稱三相逆變器。
A.2. 快速充電系統(tǒng)
全球范圍都在向電動(dòng)汽車轉(zhuǎn)型，因此要求充電基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)重大進(jìn)展，以滿足廣泛部署的需求。雖然低功率車載充電器（小于 15 千瓦）足以在閑置期間進(jìn)行住宅充電，而且碳化硅開關(guān)比硅開關(guān)具有更高的反向極性操作性能，因此成為了雙向充電的理想選擇，但長途旅行和商業(yè)應(yīng)用卻需要大幅縮短充電時(shí)間，接近傳統(tǒng)加油站的加油速度。要實(shí)現(xiàn)這樣的更高充電速度，要求電池技術(shù)取得同步發(fā)展，并且開發(fā)出能夠支持快速能量傳輸且穩(wěn)固可靠的高功率充電基礎(chǔ)設(shè)施。碳化硅可實(shí)現(xiàn)更高開關(guān)速度和更大功率輸出，從而提供效率高得多的快速充電。這些因素促進(jìn)了碳化硅 MOSFET 和模塊在電動(dòng)汽車充電應(yīng)用中的激增；同時(shí)，為了滿足長途電動(dòng)化卡車和送貨車輛所需兆瓦級(jí)快速充電系統(tǒng)的需求，正在引入中壓等級(jí)技術(shù)。
A.3. 車載充電系統(tǒng)
車載電池充電機(jī)是電動(dòng)汽車保持動(dòng)力的關(guān)鍵：充電機(jī)將車主家中的交流電轉(zhuǎn)換為直流電，為電池充電。充電機(jī)通常還能進(jìn)行再生制動(dòng)，在制動(dòng)時(shí)從車輛本身獲取動(dòng)能以增加電量。得益于碳化硅器件技術(shù)，這些系統(tǒng)在輸出、尺寸和速度方面都表現(xiàn)出了高效性。對(duì)于基于碳化硅的車載充電系統(tǒng)，如果設(shè)計(jì)中具備雙向能量傳輸功能，則既能從電網(wǎng)接收能量，又能將能量回饋給電網(wǎng)，從而有助于穩(wěn)定將來的電網(wǎng)，甚至能在停電期間為車主的重要家用系統(tǒng)供電。
A.4. 車載DC/DC 轉(zhuǎn)換器
在現(xiàn)代汽車中，特別是電動(dòng)汽車中，車載 DC/DC 轉(zhuǎn)換器發(fā)揮著極為重要的作用；由于集成了信息娛樂、導(dǎo)航、照明和自動(dòng)控制等先進(jìn)系統(tǒng)，對(duì)電力的需求不斷升高。這類轉(zhuǎn)換器負(fù)責(zé)轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)來自電池的直流電，為相互依賴的各個(gè)系統(tǒng)提供正確的電壓，從而確保實(shí)時(shí)性能，防止因故障而影響車輛運(yùn)行。碳化硅技術(shù)的進(jìn)步正在革新這些 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的效率和性能。與傳統(tǒng)硅元件相比，碳化硅器件的電氣和熱性能更優(yōu)。它們能夠減少開關(guān)和傳導(dǎo)損耗以實(shí)現(xiàn)更高運(yùn)行效率，這不僅改善了能量轉(zhuǎn)換，而且還最大限度地減少了發(fā)熱。碳化硅器件能夠在更高溫度和更快開關(guān)速度下工作，從而增強(qiáng)復(fù)雜車輛系統(tǒng)實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)電壓的能力。此外，這些先進(jìn)技術(shù)還使功率轉(zhuǎn)換器體積更小、重量更輕，從而減輕了整車重量，并為其他組件騰出了空間。
B. 可再生能源
可再生能源是全球增長最快的能源，占全球發(fā)電能力的三分之一，而碳化硅技術(shù)在提高下一代儲(chǔ)能、太陽能和風(fēng)能系統(tǒng)的效率和功率密度方面扮演著舉足輕重的作用。根據(jù)國際能源署(IEA) 的數(shù)據(jù)，2023 年全球可再生能源裝機(jī)容量增加了近 50%，是二十年來增長最快的一年；預(yù)測(cè)顯示，2023 年至 2028 年間將新增近 3,700 千兆瓦的裝機(jī)容量 [3]。該增長主要由太陽能光伏發(fā)電 (PV) 和風(fēng)能推動(dòng)，因?yàn)檫@兩種能源相對(duì)于化石和非化石燃料替代品具有成本優(yōu)勢(shì)，預(yù)計(jì)這些能源將占增長量中的 95%。預(yù)計(jì)到 2028 年，可再生能源將占全球發(fā)電量的 42% 以上，其中風(fēng)能和太陽能光伏發(fā)電將占 25%。要在可再生能源方面實(shí)現(xiàn)更高的投資回報(bào)率，特別是太陽能和風(fēng)能，需要持續(xù)提高效率、容量、功率密度和成本效益。Wolfspeed 最近與領(lǐng)先的地面電站可再生能源逆變器制造商 EPC 合作，實(shí)現(xiàn)了模塊化兩級(jí)系統(tǒng)架構(gòu)，如圖 4 所示。這種獨(dú)特的功率設(shè)計(jì)最終可實(shí)現(xiàn)低維護(hù)、易維修且可大規(guī)模生產(chǎn)的逆變器方法，從而支持快速部署可再生能源。有關(guān)如何利用 SiC 簡(jiǎn)化以前的三級(jí)系統(tǒng)的更多信息，請(qǐng)參閱 Wolfspeed 案例分析 [4]。
圖 4：采用 1200 V IGBT 的復(fù)雜 3 級(jí) NPC 系統(tǒng)架構(gòu)（左）
與采用 2300 V WolfPACK 功率模塊的大幅簡(jiǎn)化 2 級(jí)系統(tǒng)（右）的比較。簡(jiǎn)化后的 2 級(jí)系統(tǒng)減少了驅(qū)動(dòng)器數(shù)量，降低了控制復(fù)雜性，并提高了可擴(kuò)展性。
C. 人工智能革命及其對(duì)數(shù)據(jù)中心的影響
人工智能 (AI) 正推動(dòng)市場(chǎng)對(duì)數(shù)據(jù)中心前所未有的需求，這大幅增加了全球的能源消耗。如圖 5 所示，2021 年，Amazon、Google、meta 和 Microsoft 等大型科技公司的用電量達(dá)到 72 太瓦時(shí)，是 2017 年用電量的兩倍多；而隨著 ChatGPT 等生成式人工智能技術(shù)的興起，這種需求只會(huì)進(jìn)一步加劇。人工智能模型的能耗遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)應(yīng)用：每次人工智能查詢請(qǐng)求大約需要消耗 2.9 瓦時(shí)電量，是一次典型 Google 搜索所需能量的近十倍。
圖 5：美國數(shù)據(jù)中心潛在耗電量預(yù)測(cè)：2023-2030 年（EPRI，2024 年）。
2024 年的 EPRI 報(bào)告預(yù)測(cè)，到 2030 年，數(shù)據(jù)中心的耗電量將高達(dá)美國電力的 9.1%，因此，必須找到適用于人工智能工作負(fù)載的可持續(xù)解決方案 [5]。雖然一些公司在嘗試將服務(wù)器浸入海洋或使用積雪等冷卻方法，但碳化硅技術(shù)提供的解決方案更具實(shí)用性和成本效益。碳化硅器件發(fā)熱量較少，并且在高溫環(huán)境下仍能保持可靠性能，從而提高了能源效率，并減少了對(duì)外部冷卻的需求。
碳化硅具有更佳的性能表征和導(dǎo)熱能力，因此功率密度更加卓越，可將功率提高 40%，或?qū)⑾到y(tǒng)尺寸縮小 40%。如果全球所有數(shù)據(jù)中心都用碳化硅取代硅基元件，那么節(jié)省的能源可供曼哈頓地區(qū)使用一整年。在過去十年間，全球法規(guī)對(duì)提高外部電源效率的要求越來越高，而碳化硅和氮化鎵是能夠以最低系統(tǒng)成本滿足最嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)（如 80+ Titanium、ORV3 和 Energy Star 能效標(biāo)準(zhǔn)）的唯有材料。通過采用碳化硅，不僅能提高能效，而且還能確保數(shù)據(jù)中心符合不斷變化的監(jiān)管要求，同時(shí)最大限度減輕環(huán)境影響、降低運(yùn)營成本，并最大幅度提高計(jì)算能力。
IV. 碳化硅技術(shù)成熟度
隨著碳化硅器件在先進(jìn)應(yīng)用中的普及，對(duì)低缺陷率、高質(zhì)量碳化硅材料的需求日益增長。這些高質(zhì)量襯底和晶圓對(duì)于實(shí)現(xiàn)最佳器件性能與可靠性至關(guān)重要，因?yàn)橹T如微管和位錯(cuò)之類的缺陷會(huì)大幅降低效率并縮短使用壽命，尤其是在高壓系統(tǒng)中。Wolfspeed 不斷改進(jìn)生產(chǎn)工藝，生產(chǎn)出質(zhì)量更高、直徑更大且性能更穩(wěn)定的碳化硅晶體，從而提高可靠性和效率，如圖 6 所示。在過去幾十年中，碳化硅技術(shù)已經(jīng)從實(shí)驗(yàn)階段發(fā)展到廣泛商用階段，克服了早期在制造穩(wěn)定性和成本方面存在的挑戰(zhàn)。
圖 6：Wolfspeed 晶圓演變里程碑。
Tairov 和 Tsvetkov 在 1978 年的工作為碳化硅研究活動(dòng)奠定了基礎(chǔ) [6]，也為未來的發(fā)展構(gòu)筑了基石。1987 年，碳化硅技術(shù)先行者 Cree Inc.（現(xiàn)為 Wolfspeed）成立；到 1992 年，該公司生產(chǎn)出第一片商用碳化硅襯底，標(biāo)志著技術(shù)上的重大飛躍。隨著零微管 (ZMP) 襯底的推出，實(shí)現(xiàn)了巨大突破，從而解決了微管問題，這是碳化硅材料中一種致命的器件故障缺陷。從1992 年的 25 毫米晶圓開始，到 2015 年的 200 毫米晶圓，晶圓從小尺寸到更大尺寸的過渡在提高制造效率和降低成本方面發(fā)揮了重要作用。
在這些尺寸增加的同時(shí)，Wolfspeed 通過降低位錯(cuò)密度和改善晶圓形狀，顯著提高了碳化硅襯底的質(zhì)量，從而帶來良率更高、更為可靠的碳化硅器件。Wolfspeed的 200 毫米碳化硅技術(shù)不斷完善，凸顯了實(shí)現(xiàn)碳化硅材料和器件在實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定性、大批量生產(chǎn)和質(zhì)量一致性的重要性，如圖 7 所示。這些進(jìn)步使得碳化硅技術(shù)在全球范圍內(nèi)趨于成熟，能夠應(yīng)用于上述復(fù)雜系統(tǒng)中。
V. 碳化硅技術(shù)的未來趨勢(shì)
碳化硅技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新正在塑造電力電子技術(shù)的未來，發(fā)展趨勢(shì)已不僅僅是傳統(tǒng)的可靠性問題，而是更加注重耐用性、效率和高級(jí)集成。隨著越來越多的工業(yè)和可再生能源應(yīng)用需要在更高母線電壓下運(yùn)行，寬禁帶 (WBG) 技術(shù)必須應(yīng)對(duì)這些眾多應(yīng)用實(shí)例所在的挑戰(zhàn)性環(huán)境。功率組件供應(yīng)商在評(píng)估用于在高壓、高頻應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最佳性能的關(guān)鍵措施時(shí)，必須超越數(shù)據(jù)表來考慮關(guān)鍵的可靠性標(biāo)準(zhǔn)，并考量哪些改進(jìn)甚至規(guī)范對(duì)于確保更高耐用性至關(guān)重要。例如，對(duì)于高海拔應(yīng)用，必須考慮宇宙射線粒子所導(dǎo)致的性能下降，因?yàn)檫@會(huì)對(duì)失效率 (FIT) 產(chǎn)生重大影響。對(duì)于可再生能源設(shè)施，可能需關(guān)注設(shè)施在潮濕環(huán)境中的性能，因此可能需要滿足溫度-濕度偏差 (THB) 規(guī)范。隨著建筑及農(nóng)用車輛 (CAV) 日益實(shí)現(xiàn)電氣化（圖 8），其中的器件必須承受因使用條件而產(chǎn)生的高溫，因此需要了解柵極氧化物所承受的應(yīng)力。最后這項(xiàng)要求也凸顯了碳化硅器件技術(shù)的持續(xù)發(fā)展以釋放未來潛力 [7]。
寬禁帶組件供應(yīng)商需要了解耐久性設(shè)計(jì)所帶來的日益嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，并認(rèn)真權(quán)衡設(shè)計(jì)上的取舍，以實(shí)現(xiàn)適當(dāng)?shù)男阅?，同時(shí)確保碳化硅在商業(yè)上仍能被長期使用的基于 IGBT 的可靠系統(tǒng)所接受。除了器件設(shè)計(jì)和加工創(chuàng)新之外，先進(jìn)封裝技術(shù)也將至關(guān)重要，其通過解決惡劣環(huán)境中常見的熱、電和機(jī)械問題，來充分發(fā)揮碳化硅的優(yōu)勢(shì)。
圖 8：建筑和農(nóng)業(yè)設(shè)備 OEM 正在考慮如何使主逆變器與推進(jìn)系統(tǒng)之外的子系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)電動(dòng)化。
電力電子技術(shù)領(lǐng)域的另一個(gè)明顯趨勢(shì)是，從單獨(dú)功率轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)變?yōu)榧啥雀叩南到y(tǒng)，同時(shí)更加強(qiáng)調(diào)整體能源管理，而非孤立電源功能。這種轉(zhuǎn)變涉及分析各系統(tǒng)組件之間的相互作用，不僅要提高功率，而且還要改善整體能效。此轉(zhuǎn)變也反映了功率轉(zhuǎn)換器技術(shù)的不斷發(fā)展，其推動(dòng)因素包括碳化硅等半導(dǎo)體器件取得的突破、新電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、創(chuàng)新型控制策略以及無縫式系統(tǒng)集成。效率更高、功率密度更大、集成度更高的解決方案很可能會(huì)在未來幾年主導(dǎo)電力電子領(lǐng)域的發(fā)展趨勢(shì)。
小結(jié)
從硅到碳化硅的轉(zhuǎn)型是電力電子領(lǐng)域中難得一遇的技術(shù)變革。與傳統(tǒng)硅相比，碳化硅具有更優(yōu)越的材料特性，如更高熱導(dǎo)率、更高擊穿電壓和更快開關(guān)速度，因此非常適合大功率、高溫和高效率應(yīng)用場(chǎng)景。隨著 Wolfspeed 不斷推動(dòng)碳化硅技術(shù)的進(jìn)步并持續(xù)大批量提供高質(zhì)量碳化硅產(chǎn)品，這種轉(zhuǎn)變已不僅僅是一種漸進(jìn)式改進(jìn)，而是一種基礎(chǔ)性變革，使各行各業(yè)均實(shí)現(xiàn)了前所未有的性能水平。通過利用碳化硅技術(shù)，各行業(yè)能夠在降低運(yùn)營成本和碳排放的同時(shí)，顯著提升績(jī)效。碳化硅的廣泛應(yīng)用標(biāo)志著電力電子和半導(dǎo)體領(lǐng)域的重大轉(zhuǎn)折點(diǎn)，因?yàn)樗_啟了以往無法通過硅實(shí)現(xiàn)的各種可能性，為未來數(shù)十年的能源管理和功率轉(zhuǎn)換技術(shù)塑造了光明前景。
參考文獻(xiàn)
1.Lorenz L., Erlbacher T., Hilt O., Future technology trends, Wide Bandgap Power Semiconductor Packaging: Materials, Components, and Reliability, pp. 3-53. 2018
2.McKinsey & Company, “Managing uncertainty in the silicon carbide wafer market,” Aug. 2024
3.International Energy Agency (IEA), “Renewables 2023,” License; CC BY 4.0, Apr. 2024
4.Magargee, “Keeping the lights on with Wolfspeed SiC,” Aug. 2024
5.EPRI, “Powering Intelligence: Analyzing Artificial Intelligence and Data Center Energy Consumption,” May 2024.
6.Yu. M. Tairov, V.F Tsvetkov “Investigation of growth processes of ingots of silicon carbide single crystals,” Journal of Crystal Growth, March 1978
7.Wheri Z., Godbold V., Schlegel M., Hudgins J.L. “Oxide Failures in SiC Power MOSFETs,” IEEE, Oct. 2023
(文章來源：Wolfspeed)
