近日，備受矚目的第31屆半導體年度獎（Semiconductor of the Year 2025）頒獎典禮在日本東京舉行。中國半導體材料領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)——山東天岳先進科技股份有限公司，憑借其在碳化硅襯底材料技術(shù)上取得的革命性突破，榮獲由日本權(quán)威半導體媒體《電子器件產(chǎn)業(yè)新聞》頒發(fā)的“半導體電子材料”類金獎。
這是中國企業(yè)在該獎項設立31年以來的首次問鼎，也是該獎項歷史上首次將最高榮譽授予碳化硅襯底材料技術(shù)，標志著中國在半導體關(guān)鍵基礎(chǔ)材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了歷史性的重大突破，彰顯了中國新一代半導體材料技術(shù)的國際領(lǐng)先地位。
再獲行業(yè)高含金量權(quán)威認證
半導體年度獎由日本最具公信力的半導體產(chǎn)業(yè)專業(yè)媒體《電子器件產(chǎn)業(yè)新聞》主辦，旨在從全球范圍內(nèi)表彰在設備、器件及材料三大領(lǐng)域的杰出技術(shù)創(chuàng)新，其獎項以嚴苛的評選標準和極高的行業(yè)權(quán)威性著稱。在歷屆獲獎企業(yè)名單中，英偉達、索尼、美光等國際產(chǎn)業(yè)巨頭，以及東芝、住友電工、昭和電工等日企，是這份“黃金榜單”中的?？?。天岳先進作為31年來首家獲此殊榮的中國企業(yè)，成功躋身這一由全球頂尖公司組成的行列，不僅是國際上對天岳先進在碳化硅半導體材料領(lǐng)域獲得的成就的高度肯定，更是中國半導體產(chǎn)業(yè)整體實力躍升的又一里程碑。
襯底技術(shù)鑄就創(chuàng)新標桿
在電子材料領(lǐng)域，歷年金獎得主無一不是掌握核心專利、主導國際標準的全球行業(yè)領(lǐng)導者。天岳先進此次獲獎，是碳化硅襯底技術(shù)首度獲得該獎項的垂青，凸顯了半導體材料領(lǐng)域的技術(shù)演進方向，也是業(yè)內(nèi)對天岳先進在碳化硅襯底這一核心基礎(chǔ)環(huán)節(jié)不懈探索和新突破的高度認可。
碳化硅作為第三代半導體的基石，其襯底材料的品質(zhì)與制備技術(shù)直接決定了整個產(chǎn)業(yè)鏈的性能、成本和下游應用的普及度，是支撐新能源汽車、特高壓輸電、5G／6G通信、數(shù)據(jù)中心等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的根本所在。天岳先進此次歷史性獲獎的核心驅(qū)動力，源于其長期聚焦于碳化硅襯底材料技術(shù)，并在此領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了持續(xù)的創(chuàng)新突破。長期以來，高品質(zhì)、大尺寸碳化硅襯底的制備技術(shù)壁壘極高，是國際競爭的焦點。面對挑戰(zhàn)，天岳先進長期深耕襯底材料研發(fā)，通過技術(shù)攻堅與產(chǎn)業(yè)化推進，成功實現(xiàn)了從技術(shù)追趕到國際并跑再到關(guān)鍵領(lǐng)域引領(lǐng)的跨越。據(jù)悉，其在材料晶體生長、缺陷控制、加工工藝等核心環(huán)節(jié)取得的一系列突破性進展，不僅攻克了大尺寸化等世界級難題，更在材料性能上達到了國際領(lǐng)先水平，成為全球半導體材料領(lǐng)域的創(chuàng)新標桿。
中國半導體材料加快崛起
當前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)格局正經(jīng)歷深刻調(diào)整。天岳先進憑借在襯底材料技術(shù)上的深厚積累、持續(xù)突破與先發(fā)優(yōu)勢，展現(xiàn)出強勁的發(fā)展勢頭。此次榮獲半導體年度獎金獎，不僅是天岳先進發(fā)展歷程中的重要里程碑，更是中國半導體材料產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新道路上的一個縮影。天岳先進的發(fā)展歷程，有力證明了中國企業(yè)在突破半導體關(guān)鍵核心技術(shù)領(lǐng)域所具備的創(chuàng)新能力。
隨著第三代半導體在“雙碳”戰(zhàn)略與數(shù)字經(jīng)濟浪潮中迎來爆發(fā)式增長，天岳先進有關(guān)負責人表示，將以此次金獎為新起點，加速構(gòu)建覆蓋研發(fā)、量產(chǎn)到應用的全球核心競爭力，為未來科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入澎湃中國動能。
（來源：魯網(wǎng)）
