半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：近日，第37屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國(guó)際會(huì)議(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD)在日本熊本市（Kumamoto）舉辦。本網(wǎng)特派記者參加ISPSD2025，并在現(xiàn)場(chǎng)也遇見了聯(lián)盟和IFWS&SSLCHINA諸多老朋友，同時(shí)也了解了當(dāng)前最新技術(shù)&新方向，以下簡(jiǎn)單回顧一下熱點(diǎn)走向！
圖：ISPSD2025，日本·熊本市
圖：ISPSD 2025開幕大會(huì)主旨報(bào)告
ISPSD被認(rèn)為是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域的奧林匹克會(huì)議，一直以來(lái)都是國(guó)內(nèi)外產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界爭(zhēng)相發(fā)表重要成果的舞臺(tái)。ISPSD在歐洲、北美、中國(guó)、日本及其他地區(qū)輪流舉辦，中國(guó)大陸曾在2019年由浙江大學(xué)和CASA主辦，中國(guó)香港曾由港科大于 2015和2023年在香港主辦。
圖：ISPSD 2019開幕大會(huì)，中國(guó)·上海
圖：ISPSD2019現(xiàn)場(chǎng)照（記者ISPSD2025現(xiàn)場(chǎng)見到了聯(lián)盟及IFWS&SSLCHINA諸多老朋友）
作為IEEE旗下的功率半導(dǎo)體旗艦會(huì)議，ISPSD涵蓋了功率半導(dǎo)體器件、功率集成電路、功率集成、工藝、封裝和應(yīng)用等功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的所有方面，是功率器件領(lǐng)域最具影響力和規(guī)模最大的頂級(jí)國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議，也是功率半導(dǎo)體器件和功率集成電路領(lǐng)域技術(shù)討論的頂會(huì)。與各位同仁分享幾點(diǎn)現(xiàn)場(chǎng)所見所聞。
圖：ISPSD 2025 日程安排
隨著AI應(yīng)用爆發(fā)，氮化鎵研究成果百花齊放，現(xiàn)場(chǎng)討論度更高
圖：ISPSD 2025 Short Course現(xiàn)場(chǎng)
開幕大會(huì)前的Short Course中，一共有7個(gè)，分別涵蓋碳化硅襯底材料、氮化鎵功率器件、硅功率器件、功率IC 技術(shù)、EDA設(shè)計(jì)，可靠性與監(jiān)測(cè)、以及先進(jìn)封裝 等方向。
其中，碳化硅襯底材料由中國(guó)碳化硅上市公司山東天岳CTO 高超博士主講《200mm SiC襯底的開發(fā)和300mmSiC的機(jī)會(huì)與挑戰(zhàn)》。詳細(xì)分享了大尺寸碳化硅襯底的技術(shù)發(fā)展，闡述200毫米碳化硅襯底在批量生產(chǎn)中的進(jìn)展以及材料和器件方面的技術(shù)重點(diǎn)，對(duì)300 mmSiC襯底的開發(fā)進(jìn)展，并討論該行業(yè)300mm面臨的挑戰(zhàn)和機(jī)遇。
圖：ISPSD 2025開幕大會(huì)介紹
圖：Umesh K. Mishra帶來(lái)大會(huì)主旨報(bào)告
在開幕大會(huì)主旨報(bào)告環(huán)節(jié)，一共兩個(gè)大會(huì)報(bào)告：第一個(gè)是來(lái)自UCSB教授、Transphorm聯(lián)合創(chuàng)始人Umesh K. Mishra帶來(lái)大會(huì)主旨報(bào)告。Umesh教授也是我們老朋友，曾連續(xù)多年來(lái)中國(guó)參加IFWS&SSLCHINA。
圖：本網(wǎng)記者現(xiàn)場(chǎng)遇見了諸多聯(lián)盟和IFWS&SSLCHINA程序委員會(huì)專家和特邀嘉賓，并現(xiàn)場(chǎng)邀請(qǐng)參加2025年11月12-14日在廈門召開的IFWS & SSLCHINA 2025！
Umesh教授他在報(bào)告重回顧GaN器件在電力電子應(yīng)用中的發(fā)展歷史，并對(duì)未來(lái)進(jìn)行預(yù)測(cè)。他認(rèn)為，隨著市場(chǎng)的不斷發(fā)展，GaN對(duì)于許多電力電子應(yīng)用來(lái)說(shuō)是一個(gè)非常令人興奮的解決方案，在許多方面，它可能比硅和碳化硅更重要。主要原因仍然是其優(yōu)越的材料性能，最重要的是AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)提供的高遷移率。水平GaN功率器件很有吸引力，因?yàn)楸３蛛妷旱恼麄€(gè)區(qū)域是一個(gè)高電子遷移率區(qū)域，它獨(dú)特地能夠提供雙向電壓關(guān)斷，這在許多應(yīng)用中都很重要，包括太陽(yáng)能逆變器、充電器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。水平器件也可以與其他器件集成智能功能。水平器件的缺點(diǎn)是芯片尺寸較大，需要場(chǎng)板來(lái)管理場(chǎng)，這些問(wèn)題可以通過(guò)超級(jí)結(jié)技術(shù)來(lái)緩解，目前多個(gè)研究機(jī)構(gòu)正在研究這些問(wèn)題。另一方面，垂直GaN器件對(duì)于小芯片尺寸和高電壓額定值具有吸引力，但電子遷移率明顯較低，需要低位錯(cuò)密度塊體襯底才能可靠運(yùn)行，這可能會(huì)增加成本。
圖：Junichi KITANO帶來(lái)大會(huì)主旨報(bào)告
另一個(gè)大會(huì)報(bào)告是：由日本中央鐵路公司的Junichi KITANO帶來(lái)的“日本中央新干線超導(dǎo)磁浮列車和新型功率半導(dǎo)體電力轉(zhuǎn)換”的報(bào)告。報(bào)告介紹，作為東海道新干線的后繼者，目前正在品川至名古屋之間進(jìn)行建設(shè)。由于安裝在車輛上的超導(dǎo)磁鐵與地面上的懸浮引導(dǎo)線圈之間的動(dòng)態(tài)電磁感應(yīng)，超導(dǎo)磁懸浮力可以在沒(méi)有控制的情況下懸浮10厘米，并在U型混凝土導(dǎo)軌內(nèi)以500公里/小時(shí)的超高速度行駛。超導(dǎo)磁懸浮懸浮和行駛的關(guān)鍵是超導(dǎo)磁鐵的強(qiáng)磁場(chǎng)和直線電機(jī)技術(shù)。半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換是超導(dǎo)磁懸浮列車的關(guān)鍵技術(shù)，自大容量晶閘管出現(xiàn)以來(lái)，它已經(jīng)與新半導(dǎo)體功率器件如光觸發(fā)晶閘管、GTO、IGBT、GCT和IEGT一起發(fā)展。此外，動(dòng)態(tài)WPT用于向懸浮而不接觸的車輛提供約1兆瓦的輔助電力，這里高頻半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換技術(shù)也很重要。碳化硅半導(dǎo)體的出現(xiàn)使得構(gòu)建高效系統(tǒng)成為可能。
圖：ISPSD2025：Charitat Young Researcher Award
圖：ISPSD2025：The Best Poster Award
會(huì)議期間，今年ISPSD2025最佳青年研究員以及最佳POSTER都頒發(fā)給了氮化鎵。麻省理工學(xué)院團(tuán)隊(duì)?wèi){借“直接光觸發(fā)全垂直氮化鎵功率鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管”的首次演示，獲得了最佳青年研究員獎(jiǎng)。中國(guó)科大楊樹教授團(tuán)隊(duì)的“低導(dǎo)通電阻和小溫度依賴性的垂直氮化鎵（GaN-on-GaN）溝槽型 MIS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管”獲得了最佳POSTER獎(jiǎng)。
圖：中國(guó)科大楊樹教授POSTER現(xiàn)場(chǎng)講解
碳化硅、氧化鎵、氮化鎵方向投稿數(shù)量最高，中國(guó)101篇居榜首
圖：ISPSD歷屆征文投稿數(shù)量統(tǒng)計(jì)，2025年350篇?jiǎng)?chuàng)新紀(jì)錄
ISPSD 2025共計(jì)收到稿件350篇，并創(chuàng)ISPSD征文數(shù)量新紀(jì)錄。今年ISPSD實(shí)際錄用176篇，錄用率為50.3%。
圖：ISPSD2025投稿論文各方向錄取統(tǒng)計(jì)
按照論文征集方向看，碳化硅（SiC）\氧化鎵（Ga2O3）方向和氮化鎵（GaN）方向投稿數(shù)量都超過(guò)100篇，是投稿數(shù)最高的兩個(gè)方向；功率集成設(shè)計(jì)（ICD）方向投稿數(shù)量增長(zhǎng)超過(guò)50%；低壓器件（LVT）方向、高壓器件（HV）方向、模組與封裝（PK）方向的投稿數(shù)量均有所下滑。但是6個(gè)方向的論文錄用比例均在50%以上。并且，在176篇錄用論文中，口頭報(bào)告（Oral）有58篇，海報(bào)報(bào)告（Poster）118篇。中國(guó)內(nèi)地錄用的84篇中，有16篇口頭報(bào)告，68篇海報(bào)報(bào)告。
據(jù)TPC成員透露消息，錄用的176篇來(lái)自12個(gè)國(guó)家，按國(guó)家入選數(shù)量統(tǒng)計(jì)排名（按第一作者所在國(guó)家統(tǒng)計(jì)），中國(guó)是入選論文數(shù)量最多的國(guó)家，共錄用101篇（中國(guó)內(nèi)地84篇，中國(guó)香港7篇，中國(guó)臺(tái)灣10篇），日本錄用34篇，德國(guó)錄用10篇，美國(guó)錄用7篇，韓國(guó)、瑞士和西班牙各錄用5篇，法國(guó)錄用4篇，加拿大錄用2篇，奧地利、新加坡和英國(guó)各錄用1篇。
來(lái)源：芯思想
芯思想統(tǒng)計(jì)表顯示，ISPSD 2025中國(guó)內(nèi)地投稿占全球總比重為48%。其中在氮化鎵（GaN 66%）和氧化鎵（GaO 61%）方向具備優(yōu)勢(shì)；在碳化硅（SiC 40%）、功率集成設(shè)計(jì)（ICD 36%）、低壓器件（LVT 50%）方向研究上實(shí)力不俗；在封裝（PK 33%）研究方面呈現(xiàn)逐年上升趨勢(shì)，但是在高壓器件（HV 20%）方向研究上稍顯不足，有待進(jìn)一步加強(qiáng)。
來(lái)源：芯思想
根據(jù)芯思想統(tǒng)計(jì)表可清楚看出，ISPSD2025共有74個(gè)機(jī)構(gòu)有論文入選，按第一作者所在機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，學(xué)術(shù)界方面，前五位都是中國(guó)內(nèi)地高校，電子科技大學(xué)以17篇高居榜首；中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)以11篇排第二；復(fù)旦大學(xué)和浙江大學(xué)以7篇并列第三；東南大學(xué)6篇排名第五。工業(yè)界方面，東芝以6篇排名第一，三菱和英飛凌各以5篇并列第二，瑞薩和意法半導(dǎo)體以3篇并列第四。
圖：ISPSD 2025 POSTER展示交流
最后，現(xiàn)場(chǎng)公布了ISPSD 2026 將于5月24-28日在美國(guó)拉斯維加斯舉辦，General Chair: Alpha & Omega Semiconductor 的Dr. David Sheridan 擔(dān)任大會(huì)主席。英飛凌的 Dr. Sameh Khalil 擔(dān)任技術(shù)程序委員會(huì)主席。
圖：ISPSD名人堂大咖們與日本太鼓達(dá)人互動(dòng)
瞻芯電子與浙大聯(lián)合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果！
科研成果| 黃偉教授課題組的五項(xiàng)研究成果錄用于ISPSD 2025
突破行業(yè)盲區(qū)！理想自研SiC芯片團(tuán)隊(duì)在國(guó)際頂會(huì)發(fā)表重要成果
下一站，IFWS&SSLCHINA 2025，中國(guó)廈門見！
作為年度國(guó)際第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盛會(huì)——“第十一屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2025）”將于2025年11月12-14日在廈門召開。本屆論壇由廈門大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）共同主辦，惠新（廈門）科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。
國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)是由中國(guó)地區(qū)舉辦的、具備較強(qiáng)影響力的第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域年度盛會(huì)，是引領(lǐng)全球第三代半導(dǎo)體新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展，促進(jìn)相關(guān)產(chǎn)業(yè)、技術(shù)、人才、資金、政策合力發(fā)展的全球性、全產(chǎn)業(yè)鏈合作的高端平臺(tái)和高層次綜合性論壇。中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)是半導(dǎo)體照明領(lǐng)域最具規(guī)模、參與度最高的專業(yè)年度盛會(huì)。論壇聚焦前沿趨勢(shì)與熱點(diǎn)領(lǐng)域，內(nèi)容全面覆蓋原材料、工藝裝備、技術(shù)、產(chǎn)品及應(yīng)用領(lǐng)域，是國(guó)內(nèi)歷史最悠久、最具權(quán)威的LED行業(yè)論壇。IFWS&SSLCHINA兩大論壇強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，作為經(jīng)典行業(yè)年度國(guó)際盛會(huì)，迄今已覆蓋90多個(gè)國(guó)家及地區(qū)，演講嘉賓超過(guò)3700位，舉辦了457場(chǎng)峰會(huì)，專業(yè)觀眾超過(guò)46200位，提交學(xué)術(shù)論文5810篇，合作伙伴1915家。
IFWS&SSLCHINA2024現(xiàn)場(chǎng)回顧
本屆會(huì)議將全新升級(jí)，除了數(shù)十場(chǎng)前沿主題論壇，2025先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展(CASTAS2025) 、青年論壇、產(chǎn)業(yè)鏈供需對(duì)接會(huì)、校友會(huì)、強(qiáng)芯沙龍·會(huì)客廳、芯友薈專訪、City walk等豐富多彩的系列活動(dòng)。同時(shí)，還將啟動(dòng)"2025年度中國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)十大進(jìn)展"征集與評(píng)選，瞄準(zhǔn)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域前沿技術(shù)研究和標(biāo)志性成果，最終結(jié)果令人期待。
論壇長(zhǎng)期與IEEE合作，投稿的錄取論文會(huì)被遴選在IEEE Xplore電子圖書館發(fā)表，優(yōu)秀論壇還將推選至優(yōu)秀期刊發(fā)表，其中IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫(kù)。歡迎行業(yè)專家學(xué)者業(yè)界同仁積極投稿。
值此，論壇組委會(huì)誠(chéng)邀海內(nèi)外第三代半導(dǎo)體產(chǎn)、學(xué)、研、用、資不同環(huán)節(jié)的業(yè)界同仁，11月相聚美麗溫暖的鷺島廈門，共探產(chǎn)業(yè)發(fā)展“芯”機(jī)會(huì)，共創(chuàng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展新未來(lái)。——定檔11月！年度國(guó)際盛會(huì)IFWS & SSLCHINA 2025 廈門見
【聯(lián)系我們】
賈先生/Mr.Jia
電話:010-82387600-303
手機(jī):+86-18310277858
郵箱: jiaxl@casmita.com
張女士/Ms.Zhang
電話:010-82387600-607
手機(jī):+86-13681329411
郵箱:zhangww@casmita.com
備注：上述ISPSD論文數(shù)據(jù)等信息引用自“芯思想”，在此表示感謝。隨手整理，僅供參考！
