本文作者：中國科學(xué)院微電子研究所研究員葉甜春、苑朋朋、清華大學(xué)朱煜、集成電路裝備創(chuàng)新聯(lián)盟張國銘、集成電路設(shè)計創(chuàng)新聯(lián)盟杜曉黎、集成電路零部件創(chuàng)新聯(lián)盟雷震霖
面向“十五五”，我國半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)面臨技術(shù)封鎖與供應(yīng)鏈脫鉤的雙重挑戰(zhàn)，需從“追趕替代”轉(zhuǎn)向“路徑創(chuàng)新”，突破對國際技術(shù)體系的依賴。文章分析了三大核心需求：支撐自立自強（突破先進制程裝備與零部件瓶頸）、構(gòu)建中國特色創(chuàng)新生態(tài)（探索GAA、3D集成等新技術(shù)路徑）、推動智能化升級（融合AI與數(shù)字化技術(shù)）。同時，提出以“再全球化”策略應(yīng)對逆全球化，通過內(nèi)循環(huán)與國際雙循環(huán)協(xié)同，重塑全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。當(dāng)前，國產(chǎn)裝備在成熟制程取得突破，但高端領(lǐng)域仍被美國、日本、歐洲壟斷，且面臨低水平重復(fù)競爭、供應(yīng)鏈“卡脖子”等問題。建議通過系統(tǒng)性科技攻關(guān)、上下游協(xié)同創(chuàng)新，避免內(nèi)卷，聚焦非對稱技術(shù)優(yōu)勢，實現(xiàn)從自主可控到自立自強的跨越。
半導(dǎo)體已經(jīng)深度滲透到全球經(jīng)濟和社會發(fā)展的各個領(lǐng)域，是產(chǎn)業(yè)升級、數(shù)字化轉(zhuǎn)型、智能化應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)信息基礎(chǔ)設(shè)施的基石，是大國必爭的戰(zhàn)略制高點。我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已成為全球一支不可忽視的力量，遭到美西方前所未有的全方位遏制，成為中美博弈的焦點戰(zhàn)場。作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)支撐，半導(dǎo)體裝備是實現(xiàn)半導(dǎo)體技術(shù)突破和產(chǎn)業(yè)升級的關(guān)鍵。面向“十五五”要求，面對新的國際形勢，我國半導(dǎo)體裝備需要既在現(xiàn)有賽道攻堅克難，也要主動開展路徑創(chuàng)新，支撐起具有中國特色的全球半導(dǎo)體新生態(tài)。
“十五五”期間我國半導(dǎo)體裝備需求
半導(dǎo)體制造分為前道制造和后道封裝測試兩個環(huán)節(jié)。前道制造裝備主要包括光刻、干法刻蝕、摻雜、薄膜、平坦化、熱處理、濕法、量測檢測、工廠輔助設(shè)備等九大類，細分品種總共約190種。不同的制造工藝需要配置不同的制造裝備。一般而言，每代工藝演進升級需要升級現(xiàn)有裝備，并增加10%—20%的新品種裝備。例如，28 nm邏輯芯片生產(chǎn)線共有約120種裝備，14 nm生產(chǎn)線則需要增加到約140種裝備。半導(dǎo)體存儲制造與邏輯制造主要在摻雜和擴散等工藝方面對裝備要求有較大差異，還需要約30%不同品種的裝備。后道封裝測試設(shè)備包括減薄設(shè)備、劃切設(shè)備、測試機、分選機等設(shè)備。隨著芯片集成度的不斷提高、制造工藝的不斷精進，半導(dǎo)體制造工藝也對裝備提出了更高的要求。
面向“十五五”，半導(dǎo)體裝備的機遇和需求主要體現(xiàn)在以下3個方面。
支撐我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從自主可控走向自立自強
從2016年開始，美國奧巴馬、特朗普、拜登3屆政府，不顧國際關(guān)系準(zhǔn)則和貿(mào)易規(guī)則，連續(xù)不斷地出臺政策手段，以半導(dǎo)體為武器對我國高科技產(chǎn)業(yè)進行全方位的限制和打壓。2018年以來，美國更是聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，連續(xù)推出限制措施，步步緊逼，層層遞進，企圖打斷我國半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新發(fā)展進程，減緩我國發(fā)展速度，限制我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向高端發(fā)展。
2022年10月7日，美國再次推出新的限制措施，進一步針對高端芯片所涉及的技術(shù)體系、產(chǎn)業(yè)鏈體系和人才體系中的環(huán)節(jié)進行打擊，妄圖對我國實現(xiàn)“高端鎖死”。2023年10月17日，美國進一步發(fā)布對華半導(dǎo)體出口管制升級規(guī)則。2024年12月2日，美國發(fā)布一份臨時最終規(guī)則，再度加碼對我國半導(dǎo)體制造相關(guān)物項出口管制限制，重點針對半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)。目前，主要的半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)均已經(jīng)被列入美國實體清單等。
從2008年至今，在國家科技重大專項、國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、科技攻關(guān)計劃等十幾年的持續(xù)支持下，結(jié)合科創(chuàng)板等一系列政策扶持措施，我國半導(dǎo)體裝備及零部件已經(jīng)建立基本的保障能力，在成熟制程上初步實現(xiàn)了自主可控。但在先進制程裝備及其配套零部件上的弱項需要全面系統(tǒng)、長期持續(xù)的攻關(guān)，以支撐我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走向自立自強。
支撐我國半導(dǎo)體建立中國特色創(chuàng)新生態(tài)
全球半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展路線正經(jīng)歷著其建立70多年來前所未有的大變局。隨著器件特征尺寸微縮逐漸逼近物理極限，晶體管尺寸的進一步縮小變得愈發(fā)困難且成本高昂，傳統(tǒng)的通過縮小晶體管尺寸來提升性能的方式已愈發(fā)困難。為滿足半導(dǎo)體性能演進的要求，需要下大力氣突破半導(dǎo)體制造工藝及裝備技術(shù)，尤其是半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備將繼續(xù)推動摩爾定律進一步發(fā)展。
表1 集成電路邏輯器件技術(shù)路線圖
與此同時，半導(dǎo)體行業(yè)正積極探索新的技術(shù)路徑，例如，三維結(jié)構(gòu)、光子芯片、量子計算等新興領(lǐng)域，以期突破物理限制，實現(xiàn)性能飛躍。同時，先進封裝技術(shù)如2.5D/3D堆疊集成電路（IC）、嵌入式芯片封裝等，也成為提升集成度、增強算力的重要手段，被業(yè)界視為“新摩爾定律”。這些技術(shù)革新不僅改變了半導(dǎo)體產(chǎn)品的設(shè)計和制造方式，還深刻影響著整個電子信息產(chǎn)業(yè)的格局。此外，全耗盡型絕緣體上硅（FDSOI）相比現(xiàn)有主流鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）具有工藝簡單、制造成本低、高速低功耗等優(yōu)點，對先進光刻機要求低1—2代，制造裝備種類少20%，國產(chǎn)裝備和材料已具有相對完整的支撐能力，能夠為國內(nèi)高端芯片制造提供新的先進制程。
我國應(yīng)抓住這一歷史性的機遇，在半導(dǎo)體領(lǐng)域開展變革性創(chuàng)新，擺脫路徑依賴，探索新的創(chuàng)新發(fā)展路徑，重塑半導(dǎo)體芯片工業(yè)體系，打造新的生態(tài)，走出中國特色自主創(chuàng)新之路。在此過程中，半導(dǎo)體裝備將在“中國特色摩爾定律”的發(fā)展中發(fā)揮至關(guān)重要的支撐和引領(lǐng)作用。
滿足半導(dǎo)體對于網(wǎng)絡(luò)化、數(shù)字化、智能化的需求
作為信息技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)，半導(dǎo)體技術(shù)在促進信息技術(shù)發(fā)展的同時，信息技術(shù)也在促進半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展。近年來，信息技術(shù)發(fā)展加速推動半導(dǎo)體領(lǐng)域向智能制造發(fā)展。智能制造本質(zhì)上將人工智能（AI）、數(shù)字化、網(wǎng)絡(luò)技術(shù)等信息技術(shù)與傳統(tǒng)制造技術(shù)深度融合，通過感知、分析、推理、決策與控制，貫穿于產(chǎn)品設(shè)計、生產(chǎn)、管理和服務(wù)的各個環(huán)節(jié)，實現(xiàn)產(chǎn)品需求的動態(tài)響應(yīng)。當(dāng)前，半導(dǎo)體制造設(shè)備的智能化水平持續(xù)升級，正逐漸向半導(dǎo)體制造全流程全環(huán)節(jié)智能化的演進。行業(yè)研究機構(gòu)國際器件與系統(tǒng)路線圖（IRDS）的分析顯示，未來半導(dǎo)體設(shè)備將遵循表2所示規(guī)劃的技術(shù)演進路徑，分階段實現(xiàn)更完善的智能化能力。
表2 半導(dǎo)體設(shè)備智能化技術(shù)路線圖
半導(dǎo)體裝備發(fā)展現(xiàn)狀
全球現(xiàn)狀
全球半導(dǎo)體設(shè)備市場呈現(xiàn)產(chǎn)品分工高度全球化、單一產(chǎn)品高度壟斷的競爭局勢，80%以上的市場份額由美國、日本和歐洲（荷蘭）廠商占有，其中，光刻機主要由荷蘭和日本廠商提供，干法刻蝕、摻雜、薄膜、平坦化、熱處理、濕法、量測檢測、工廠輔助設(shè)備等主要由美國和日本廠商提供。CINNO IC Research最新發(fā)布的全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)研究報告顯示，2024年全球半導(dǎo)體設(shè)備商半導(dǎo)體營收業(yè)務(wù)前10位營收合計超1100億美元，同比增長約10%。
2024年全球半導(dǎo)體設(shè)備廠商市場規(guī)模前10位中，荷蘭阿斯麥公司（ASML）2024年營收超300億美元，排名首位；美國應(yīng)用材料公司（AMAT）2024年營收約250億美元，排名第2位；美國泛林（LAM）公司、日本Tokyo Electron公司（TEL）、美國科磊公司（KLA）分別排名第3、第4和第5位。北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司作為前10位中唯一的中國半導(dǎo)體設(shè)備廠商，2023年首次進入全球前10位，2024年排名由第8位上升至第6位。
圖1 2024年全球半導(dǎo)體設(shè)備廠商市場規(guī)模排名前10位
數(shù)據(jù)來源：CINNO • IC Research
我國現(xiàn)狀
2008年之前，我國12寸半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備幾乎空白，只有少量8寸設(shè)備樣機，因此國內(nèi)建造芯片生產(chǎn)線，50%的工藝設(shè)備和檢測設(shè)備需從美國進口，20%的設(shè)備（主要是光刻機）需從歐洲進口，30%的設(shè)備從日本等其他國家進口。過去十多年，國家科技重大專項、關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)工程等重大科技計劃和國家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金、科創(chuàng)板等產(chǎn)業(yè)政策手段合力，形成了“科技引領(lǐng)、產(chǎn)業(yè)跟進、金融支撐”的有效發(fā)展模式，開創(chuàng)了產(chǎn)業(yè)鏈、創(chuàng)新鏈、金融鏈“三鏈融合”推動中國半導(dǎo)體高速發(fā)展的局面，建立了較為完整的技術(shù)創(chuàng)新體系與產(chǎn)業(yè)布局，半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計、制造、封測、裝備和材料等五大板塊齊整，初步具備了體系化的半導(dǎo)體設(shè)備自主供給和創(chuàng)新能力。
在產(chǎn)品設(shè)計方面，國內(nèi)技術(shù)能力大幅提高，處理器（CPU）、現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）、通信系統(tǒng)級芯片（SOC）等取得突破。從制造工藝上看，技術(shù)取得長足進展。從封裝集成上看，從中低端進入高端，傳統(tǒng)封裝規(guī)模居世界第1位，先進封裝達到國際先進水平。特別是國家科技重大專項培育了200余家集成電路制造、封測、裝備、材料和零部件領(lǐng)域的重點骨干企業(yè)，其中上市企業(yè)近60家，構(gòu)成了支撐全產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“四梁八柱”。全行業(yè)50余萬從業(yè)人才，其中核心創(chuàng)新隊伍近10萬人?？傮w來看，我國半導(dǎo)體領(lǐng)域形成了技術(shù)體系，建立了產(chǎn)業(yè)鏈，產(chǎn)業(yè)競爭力大幅提升，差距大大縮小。
在半導(dǎo)體設(shè)備方面：前道制造設(shè)備中的刻蝕、化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、化學(xué)機械拋光、離子注入、氧化及退火、濕法（清洗/涂膠）、測試等12寸高端設(shè)備已完成研發(fā)并批量進入市場，等離子刻蝕機、等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）等多種產(chǎn)品還在國際一線客戶先進工藝中得到應(yīng)用。表3展示了我國半導(dǎo)體裝備的主要企業(yè)。從市場成長上看，2024年國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)銷售總額約為853億元，較2008年17億元規(guī)模增長50.1倍，極大改善了國內(nèi)產(chǎn)線對國外設(shè)備的依賴現(xiàn)狀。
表3 我國半導(dǎo)體裝備主要企業(yè)
同時也要看到，中國市場半導(dǎo)體設(shè)備競爭格局仍主要被美國、日本和歐洲（荷蘭）的廠商占據(jù)，特別是高端領(lǐng)域。其中，美國應(yīng)用材料公司在中國設(shè)備市場占比27.4%、泛林公司占比14.8%、科磊公司占比6.8%，日本的東京電子公司占比16.2%，荷蘭阿斯麥公司占比10.1%，合計市占率超過70%。
半導(dǎo)體裝備面臨的挑戰(zhàn)
擺脫路徑依賴，開展路徑創(chuàng)新，掌握發(fā)展主動權(quán)
半導(dǎo)體是全球化產(chǎn)業(yè)鏈分工合作模式最成功的實踐。過去20年間，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)積極融入國際大循環(huán)，以“追趕”和“替代”為主要策略，在全球化生態(tài)中安營扎寨，逐步壯大實力，努力開疆拓土，積累起今天的基礎(chǔ)和實力，但客觀上也使我們的發(fā)展形成了對外路徑依賴，這是當(dāng)前我國處于戰(zhàn)略被動地位的主要原因。
必須承認，這是一種對國際化體系高度依賴的發(fā)展模式，本質(zhì)上是“拿別人的方案蓋樓，用別人的建材架梁，按別人的方法施工”，在帶來“省心省力”之利的同時，不可避免地陷入了競爭受制、發(fā)展受限的被動格局。在美西方對我國強行脫鉤的逆全球化形勢下，我國從國外獲取先進技術(shù)、高端人才、資金等資源越來越困難，繼續(xù)沿用過去發(fā)展策略的基礎(chǔ)已逐漸喪失，必須建立新的發(fā)展模式，實現(xiàn)“用自己的圖紙蓋樓，用放心的建材架梁，按拿手的方法施工”，掌握發(fā)展的主動權(quán)和主導(dǎo)權(quán)。
破解技術(shù)演進對半導(dǎo)體設(shè)備提出的更高要求
在沿著摩爾定律和新摩爾定律演進過程中，半導(dǎo)體裝備在前道制造和后道制造兩方面面臨挑戰(zhàn)：
在前道制造中，隨著工藝節(jié)點持續(xù)微縮，半導(dǎo)體制造中引入了GAA等類型晶體管，這對制造設(shè)備提出了更高的挑戰(zhàn)。
1. 離子注入工藝需要從傳統(tǒng)摻雜轉(zhuǎn)向共形摻雜技術(shù)，以實現(xiàn)三維納米結(jié)構(gòu)中的均勻摻雜分布；
2. 薄膜沉積和刻蝕工藝需實現(xiàn)原子級精度控制，其涉及原子層沉積（ALD）和原子層刻蝕（ALE）等先進工藝技術(shù)；
3. 其他關(guān)鍵工藝設(shè)備包括化學(xué)機械拋光（CMP）、電化學(xué)沉積（ECD）和濕法設(shè)備等都需要進行技術(shù)升級，以應(yīng)對更高精度加工、非銅互連材料應(yīng)用、新型高介電常數(shù)金屬柵極（HKMG）（高k金屬柵）材料應(yīng)用等方面的集成需求。
在后道制造中，為持續(xù)提升封裝效率并優(yōu)化生產(chǎn)成本，晶圓級封裝技術(shù)正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)封裝向先進封裝發(fā)展。例如：矩形板級封裝技術(shù)要求對現(xiàn)有基于圓形基板設(shè)計的工藝裝備需適應(yīng)性改造，以適應(yīng)矩形基板的幾何特性；玻璃基板技術(shù)具備低熱膨脹系數(shù)、良好的介電和光學(xué)性能等優(yōu)勢，適合于大算力封裝，但也需要研發(fā)對應(yīng)的專用設(shè)備；在硅通孔技術(shù)（TSV）工藝技術(shù)方面，需要在設(shè)備層面解決高密度、高深寬比刻蝕等問題；在超薄晶圓處理環(huán)節(jié)，需要解決晶圓翹曲和脆性斷裂等問題。
解決上游半導(dǎo)體零部件等供應(yīng)鏈問題
半導(dǎo)體設(shè)備作為由數(shù)以萬計精密零部件構(gòu)成的復(fù)雜系統(tǒng)，其核心零部件的性能參數(shù)、質(zhì)量水平和加工精度直接決定了整機設(shè)備的可靠性與穩(wěn)定性。半導(dǎo)體零部件主要包括機械類、電氣類、機電一體類、氣體傳輸系統(tǒng)、氣動液壓系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、儀器儀表、光學(xué)類等類型，產(chǎn)品包括射頻電源、流量計、質(zhì)量計、真空泵、靜電吸盤、密封圈等。國內(nèi)半導(dǎo)體零部件行業(yè)起步比較晚，雖然近年來國內(nèi)半導(dǎo)體零部件市場規(guī)模持續(xù)擴大，但當(dāng)前整體技術(shù)水平與國際先進存在明顯差距，本土企業(yè)在核心技術(shù)能力、制造工藝水平、產(chǎn)品精度控制及可靠性驗證等方面目前仍難以滿足設(shè)備和晶圓制造廠商的嚴苛要求。在全球宏觀政治經(jīng)濟日益復(fù)雜，美國不斷打壓遏制我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的背景下，亟須解決零部件這一半導(dǎo)體裝備被“卡脖子”的問題。
解決低水平重復(fù)帶來的內(nèi)卷問題
目前，我國在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的幾乎所有環(huán)節(jié)都呈現(xiàn)出不同程度的內(nèi)卷。主要表現(xiàn)為“國產(chǎn)替代”演變?yōu)?ldquo;替代國產(chǎn)”，中低端產(chǎn)品和產(chǎn)能快速擴張并競爭嚴重，新主體不斷涌入半導(dǎo)體領(lǐng)域且抗風(fēng)險能力差。以裝備業(yè)為例，幾乎每個已經(jīng)實現(xiàn)國產(chǎn)化的領(lǐng)域，國內(nèi)企業(yè)數(shù)量都超過5家以上。
分析原因，從外部因素看，美國限制我國半導(dǎo)體向14 nm以下先進工藝發(fā)展，企業(yè)轉(zhuǎn)向橫向擴張；從內(nèi)部因素看，上市紅利和地方政府支持吸引大量資本和大量新企業(yè)進入半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，高薪挖角、同質(zhì)競爭等亂象不斷顯現(xiàn)。某些企業(yè)依靠產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢，搶占資源，大量重復(fù)國內(nèi)已經(jīng)成熟的產(chǎn)品，嚴重浪費了創(chuàng)新資源。
低端內(nèi)卷造成無序、低水平的、惡性的競爭，導(dǎo)致供給端結(jié)構(gòu)性失衡和資源錯配，基礎(chǔ)創(chuàng)新“動力不足”，阻礙了技術(shù)和產(chǎn)業(yè)向中高端邁進，形成低端重復(fù)、中高端難以突破的局面，破壞了半導(dǎo)體創(chuàng)新生態(tài)。
下一步建議
半導(dǎo)體具有技術(shù)密集、人才密集、資金密集的特點，技術(shù)迭代升級極為迅速，創(chuàng)新研發(fā)具有為產(chǎn)業(yè)發(fā)展引領(lǐng)方向的先導(dǎo)作用，是典型的技術(shù)引領(lǐng)型產(chǎn)業(yè)。堅持科技創(chuàng)新引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，是實現(xiàn)半導(dǎo)體全局性、長遠性、可持續(xù)發(fā)展的核心關(guān)鍵。
面向“十五五”，我國需改變以“追趕”和“替代”為主基調(diào)的發(fā)展模式，堅定開展路徑創(chuàng)新，多路并進開辟新賽道，上下游協(xié)同培育新生態(tài)，形成產(chǎn)品定義、特色制造和供應(yīng)鏈可支撐的全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新方案。推動新路徑與傳統(tǒng)路徑的競爭與融合，形成新的主賽道，構(gòu)建技術(shù)制高點，建立非對稱技術(shù)優(yōu)勢和戰(zhàn)略制衡能力，贏得發(fā)展主動權(quán)。以再全球化對抗逆全球化，建立內(nèi)循環(huán)，引導(dǎo)雙循環(huán)，重塑半導(dǎo)體國際循環(huán)體系。利用好國際資源，著力推行中國標(biāo)準(zhǔn)、中國技術(shù)、中國產(chǎn)品、中國應(yīng)用，鼓勵國際產(chǎn)業(yè)資源參與內(nèi)循環(huán)生態(tài)建設(shè)，在國際大循環(huán)里形成內(nèi)循環(huán)，促進國內(nèi)國際雙循環(huán)，重塑全球產(chǎn)業(yè)鏈。
面向“十五五”，必須堅定布局成體系的半導(dǎo)體裝備科技攻關(guān)，系統(tǒng)組織產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同推進供應(yīng)鏈關(guān)鍵產(chǎn)品的驗證應(yīng)用和快速迭代升級，構(gòu)建完備的半導(dǎo)體裝備供應(yīng)鏈體系。瞄準(zhǔn)先進工藝節(jié)點，進一步提升供應(yīng)鏈技術(shù)水平，形成快速迭代能力，支撐我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控良性發(fā)展。結(jié)合我國超大規(guī)模市場優(yōu)勢，打造具有支撐我國獨特優(yōu)勢的半導(dǎo)體裝備供應(yīng)鏈生態(tài)。國家相關(guān)科技計劃要超前部署、梯次布局、聚焦重點、系統(tǒng)攻關(guān)，為工藝研發(fā)、產(chǎn)業(yè)布局和產(chǎn)能建設(shè)開路排雷。繼續(xù)堅持“科技引領(lǐng)、產(chǎn)業(yè)跟進、金融支撐”的高效發(fā)展模式，建立科技計劃與相關(guān)產(chǎn)業(yè)投資計劃緊密互動、高效協(xié)同、相互促進的有效機制。在此過程中，破解行業(yè)“內(nèi)卷”，始終將創(chuàng)新放在第1位，有效發(fā)揮財政資金的引導(dǎo)作用，避免將有限的資金用于低水平技術(shù)的數(shù)量擴張；引導(dǎo)地方政府進行半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)差異化布局；引導(dǎo)產(chǎn)業(yè)鏈上下游遵守商業(yè)規(guī)則，行業(yè)合作伙伴之間建立好的利益分享機制；完善健全符合半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)特點的并購機制。
來源：中國科學(xué)院院刊
