近日，全球最大8英寸碳化硅（SiC）晶圓廠(chǎng)啟動(dòng)。
功率半導(dǎo)體大廠(chǎng)英飛凌8月8日宣布，在馬來(lái)西亞投資20億歐元的新工廠(chǎng)一期項(xiàng)目正式啟動(dòng)運(yùn)營(yíng)，將重點(diǎn)生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體，并涵蓋氮化鎵外延的生產(chǎn)。
位于居林的英飛凌碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠(chǎng)
（圖源：英飛凌官微）
據(jù)悉，新工廠(chǎng)二期項(xiàng)目投資額高達(dá)50億歐元，建設(shè)完成后該工廠(chǎng)將成為全球最大且最具競(jìng)爭(zhēng)力的200毫米（8英寸）碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠(chǎng)，進(jìn)一步鞏固和增強(qiáng)英飛凌作為全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者的地位。
實(shí)際上，近段時(shí)間來(lái)，以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域正在呈現(xiàn)出激烈競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)，包括英飛凌、意法半導(dǎo)體、安森美、羅姆等在內(nèi)的海外頭部廠(chǎng)商，都在加緊升級(jí)工藝，提高產(chǎn)能及生產(chǎn)率，并積極尋求更多長(zhǎng)期合作伙伴，建立更為完全的產(chǎn)業(yè)鏈；國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商也在奮起直追，抓緊窗口機(jī)遇期搶占市場(chǎng)，增資擴(kuò)產(chǎn)步伐加快。
據(jù)Yole Group數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，預(yù)計(jì)到2029年，SiC市場(chǎng)容量將達(dá)到100億美元，除了汽車(chē)之外，工業(yè)、能源和鐵路應(yīng)用現(xiàn)在也提供了額外的增長(zhǎng)動(dòng)力。
在巨大增量市場(chǎng)的吸引下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)欣欣向榮，八方入局，搶奪市場(chǎng)競(jìng)賽重要位置。2024年以來(lái)，行業(yè)延續(xù)了前幾年的火熱態(tài)勢(shì)，企業(yè)圍繞技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)能建設(shè)、簽單合作等方面都在積極推進(jìn)當(dāng)中，不斷為產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新動(dòng)力。
SiC競(jìng)爭(zhēng)，陷入白熱化
隨著英飛源馬來(lái)西亞工廠(chǎng)的正式啟用投產(chǎn)，該生產(chǎn)基地或?qū)椭鋵?shí)現(xiàn)在2030年前擁有全球30%碳化硅市場(chǎng)份額的目標(biāo)。
據(jù)報(bào)道，正在持續(xù)擴(kuò)建的英飛凌居林工廠(chǎng)第三廠(chǎng)區(qū)已經(jīng)獲得了總價(jià)值約50億歐元的設(shè)計(jì)訂單，并且收到了來(lái)自新老客戶(hù)約10億歐元的預(yù)付款。能看到，英飛凌正在加強(qiáng)在碳化硅和氮化鎵等領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
與此同時(shí)，行業(yè)其它廠(chǎng)商也正在以各種方式，拼命擴(kuò)大產(chǎn)能，促進(jìn)供應(yīng)鏈合作。
例如，Wolfspeed的Building 10 Materials工廠(chǎng)已實(shí)現(xiàn)其8英寸晶圓的生產(chǎn)目標(biāo)，預(yù)計(jì)到2024年底，其莫霍克谷SiC晶圓廠(chǎng)可借此將晶圓開(kāi)工利用率提升至約25%；
意法半導(dǎo)體目前在全球SiC MOSFET市場(chǎng)份額已超50%，并指出今后三年在SiC領(lǐng)域有三個(gè)工作重點(diǎn)：1）將生產(chǎn)線(xiàn)升級(jí)到8英寸晶圓；2）落實(shí)SiC供應(yīng)鏈垂直整合策略，包括正在卡塔尼亞(Catania)工廠(chǎng)建造的碳化硅襯底綜合廠(chǎng)，將SiC襯底內(nèi)部供應(yīng)量占比提升到40%；3）與Soitec合作在8英寸晶圓上采用SmartSiC技術(shù)。今年6月，意法半導(dǎo)體宣布與吉利汽車(chē)集團(tuán)雙方簽署SiC器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，在原有合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。
羅姆在SiC市場(chǎng)的銷(xiāo)售目標(biāo)是在2025年度大于1100億日元銷(xiāo)售額，預(yù)計(jì)2024-2026三個(gè)年度，有近9000億日元的市場(chǎng)待開(kāi)拓。為了實(shí)現(xiàn)這樣的目標(biāo)，羅姆正不斷進(jìn)行SiC方面的投資，預(yù)計(jì)2021-2025這五年投入1700-2200億日元。
安森美近日也在大手筆提升產(chǎn)能，計(jì)劃通過(guò)一項(xiàng)高達(dá)20億美元的多年期投資來(lái)擴(kuò)大SiC生產(chǎn)。通過(guò)本次投資擴(kuò)建在捷克的工廠(chǎng)，安森美將能夠更好地為全球客戶(hù)供應(yīng)SiC產(chǎn)品，目標(biāo)是到2027年占據(jù)全球汽車(chē)SiC芯片市場(chǎng)40%的份額。而在2023年10月，安森美位于韓國(guó)富川的先進(jìn)SiC超大型制造工廠(chǎng)的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工。全負(fù)荷生產(chǎn)時(shí)，該晶圓廠(chǎng)每年將能生產(chǎn)超過(guò)一百萬(wàn)片8英寸SiC晶圓。安森美富川SiC生產(chǎn)線(xiàn)目前主力生產(chǎn)6英寸SiC晶圓，在2025年完成8英寸SiC工藝驗(yàn)證后，將轉(zhuǎn)為生產(chǎn)8英寸晶圓。
不僅國(guó)際巨頭“跑馬圈地”，國(guó)內(nèi)企業(yè)也不甘落后，紛紛布局碳化硅市場(chǎng)，擴(kuò)張產(chǎn)能、向8英寸邁進(jìn)，試圖以國(guó)產(chǎn)替代爭(zhēng)奪市場(chǎng)份額，以及提升產(chǎn)品的價(jià)值量或出貨量等。
能看到，為滿(mǎn)足SiC不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求、提升公司競(jìng)爭(zhēng)力，產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)廠(chǎng)商在投資擴(kuò)產(chǎn)方面動(dòng)作頻頻。
國(guó)產(chǎn)SiC，實(shí)力與差距“并存”
從行業(yè)整體競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看，美國(guó)、歐洲和日本企業(yè)是SiC行業(yè)的領(lǐng)先者。據(jù)集邦咨詢(xún)統(tǒng)計(jì)，僅意法半導(dǎo)體、安森美、英飛凌、Wolfspeed、羅姆五家，2023年的SiC MOSFET器件營(yíng)收的市占率就達(dá)到了91.9%，同時(shí)創(chuàng)造了創(chuàng)紀(jì)錄的收入。
我國(guó)第三代半導(dǎo)體的市場(chǎng)份額遠(yuǎn)小于海外其他廠(chǎng)商，市場(chǎng)認(rèn)可度相對(duì)較低，導(dǎo)致在產(chǎn)品被應(yīng)用市場(chǎng)選擇時(shí)經(jīng)常處于被動(dòng)的備選地位。
從產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)來(lái)看，SiC主要包括襯底、外延、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝等環(huán)節(jié)，其中襯底和外延合計(jì)占據(jù)SiC產(chǎn)品整體成本的70%以上，是決定器件品質(zhì)的關(guān)鍵；器件制造約占19%。
可謂，得SiC襯底和外延者得天下。
目前國(guó)內(nèi)SiC襯底玩家非常多。其中，天岳先進(jìn)和天科合達(dá)兩家公司襯底在全球合計(jì)份額達(dá)到15%，2023年底從產(chǎn)能看兩家都位列全球前三，擴(kuò)產(chǎn)速度快，2024年有望進(jìn)一步坐實(shí)全球龍頭地位。 此外，三安光電、露笑科技、東尼電子、爍科晶體、科友半導(dǎo)體、河北同光等公司未來(lái)均有相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。
據(jù)估算，2023年我國(guó)6英寸SiC襯底產(chǎn)能占全球產(chǎn)能的42%，預(yù)計(jì)2026年將提升至50%左右。
國(guó)內(nèi)6英寸SiC襯底產(chǎn)能不完全統(tǒng)計(jì)
（圖源：電子工程世界）
對(duì)于國(guó)產(chǎn)SiC當(dāng)前的發(fā)展現(xiàn)狀與差距，北京三安陳東坡認(rèn)為，現(xiàn)在國(guó)內(nèi)SiC襯底和外延技術(shù)發(fā)展已相對(duì)較好，跟全球大廠(chǎng)的水平基本接近。
這一點(diǎn)其實(shí)從業(yè)內(nèi)廠(chǎng)商的動(dòng)態(tài)中也能看到跡象。比如，一些國(guó)際碳化硅大廠(chǎng)也開(kāi)始選擇中國(guó)的襯底材料，作為其長(zhǎng)期供應(yīng)商。其中，英飛凌為滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)SiC器件持續(xù)增長(zhǎng)的需求，積極尋求與中國(guó)的SiC襯底企業(yè)合作，天岳先進(jìn)和天科合達(dá)等已被納入其供應(yīng)鏈；去年4月博世與天岳先進(jìn)簽署長(zhǎng)期協(xié)議；
實(shí)際上，除了天岳先進(jìn)和天科合達(dá)外，還有多家中國(guó)SiC襯底和外延廠(chǎng)商的產(chǎn)品已經(jīng)被國(guó)際器件廠(chǎng)商所采用。
此外，三安光電、意法半導(dǎo)體也在聯(lián)手布局，雙方去年6月宣布在重慶建立一個(gè)新的8英寸SiC器件合資制造廠(chǎng)，該項(xiàng)目總規(guī)劃投資約300億元人民幣，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后將建成全國(guó)首條8英寸SiC襯底和晶圓制造線(xiàn)，具備年產(chǎn)48萬(wàn)片8英寸SiC襯底、車(chē)規(guī)級(jí)MOSFET功率芯片的制造能力，將有力推動(dòng)中國(guó)第三代化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新升級(jí)。
這一系列舉措都在說(shuō)明，國(guó)際大廠(chǎng)對(duì)中國(guó)襯底廠(chǎng)商的生產(chǎn)工藝、原材料品質(zhì)和襯底質(zhì)量已經(jīng)表示認(rèn)同，通過(guò)加強(qiáng)與國(guó)際大廠(chǎng)的合作，可以為中國(guó)廠(chǎng)商提供更多的市場(chǎng)機(jī)會(huì)和技術(shù)支持，共同開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品、新技術(shù)，提高產(chǎn)品的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。
SiC外延片環(huán)節(jié)，目前國(guó)內(nèi)相關(guān)外延廠(chǎng)商?hào)|莞天域、瀚天天成、三安光電、露笑科技等均已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，中電科13所/55所、?？瓢雽?dǎo)體等廠(chǎng)商也能供應(yīng)外延片，不過(guò)當(dāng)前產(chǎn)能仍有較大提升空間，這些廠(chǎng)商未來(lái)一兩年內(nèi)將有許多產(chǎn)能即將釋放。
國(guó)內(nèi)外SiC外延對(duì)比
（圖源：東吳證券）
有業(yè)內(nèi)人士指出，隨著國(guó)產(chǎn)SiC襯底材料廠(chǎng)商的發(fā)展，國(guó)外SiC廠(chǎng)商感受到了一定的危機(jī)。例如全球SiC襯底和外延片市場(chǎng)翹楚的Wolfspeed，近年來(lái)正在遭受巨大沖擊。
在設(shè)備環(huán)節(jié)，目前SiC器件產(chǎn)線(xiàn)國(guó)產(chǎn)設(shè)備開(kāi)始連點(diǎn)成線(xiàn)，已逐步形成從設(shè)備、材料、器件到應(yīng)用的全生態(tài)產(chǎn)業(yè)鏈，再加上政策推動(dòng)，有助于進(jìn)一步推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵設(shè)備的自主可控、安全可靠。
國(guó)產(chǎn)SiC，陷入“內(nèi)卷”困局
近年來(lái)，隨著天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、瀚天天成、三安光電等中國(guó)制造商的出現(xiàn)和快速發(fā)展，國(guó)產(chǎn)襯底材料的進(jìn)步十分明顯，SiC晶圓和外延片的生產(chǎn)競(jìng)爭(zhēng)越來(lái)越激烈。但在享受高歌猛進(jìn)的快感時(shí)，也需冷靜面對(duì)現(xiàn)實(shí)問(wèn)題。
由于大陸SiC產(chǎn)能的持續(xù)擴(kuò)大，SiC襯底的價(jià)格下滑速度遠(yuǎn)超過(guò)市場(chǎng)擴(kuò)張的速度。據(jù)業(yè)內(nèi)人士披露，近幾個(gè)月來(lái)國(guó)內(nèi)襯底供應(yīng)商已將價(jià)格下調(diào)達(dá)30%-40%。
同時(shí)，為應(yīng)對(duì)來(lái)自中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的日益激烈的競(jìng)爭(zhēng)，歐美SiC襯底供應(yīng)商對(duì)亞洲客戶(hù)也在小幅下調(diào)價(jià)格。
有從業(yè)者擔(dān)心，由于國(guó)內(nèi)在SiC長(zhǎng)晶、襯底等領(lǐng)域的廠(chǎng)商眾多，如果有人率先掀起降價(jià)模式，恐怕將會(huì)迫使越來(lái)越多廠(chǎng)商跟進(jìn)，進(jìn)而引發(fā)SiC襯底的價(jià)格戰(zhàn)，陷入“內(nèi)卷”困局。
對(duì)此，陳東坡在接受筆者采訪(fǎng)時(shí)表示，襯底降價(jià)有多方面原因：
首先，汽車(chē)是SiC最主要的應(yīng)用市場(chǎng)之一，今年主要車(chē)廠(chǎng)都面臨極大的降本壓力，這個(gè)壓力也會(huì)傳導(dǎo)到SiC產(chǎn)業(yè)鏈，進(jìn)而傳導(dǎo)到成本占比最大的上游襯底與外延等環(huán)節(jié)。
其次，價(jià)格下降的原因與之前建設(shè)的產(chǎn)能陸續(xù)投產(chǎn)也有關(guān)系。這幾年SiC投資強(qiáng)度一直不低，據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，2023年國(guó)內(nèi)有近40項(xiàng)SiC相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目啟動(dòng)。在這些項(xiàng)目當(dāng)中，甚至有不少投資數(shù)十億甚至上百億的大手筆。
隨著新布局產(chǎn)能的陸續(xù)投產(chǎn)，以及近期下游汽車(chē)市場(chǎng)需求的回落，終端用戶(hù)的訂單無(wú)法充分消化產(chǎn)能，國(guó)內(nèi)SiC襯底的價(jià)格迅速下降也不算意外。
另外，陳東坡還指出，業(yè)內(nèi)也不排除一些二、三線(xiàn)SiC廠(chǎng)商想要通過(guò)“價(jià)格戰(zhàn)”的方式，以?xún)r(jià)換量來(lái)獲取更高的市場(chǎng)份額。
還有觀點(diǎn)表示，國(guó)內(nèi)SiC價(jià)格戰(zhàn)之所以更兇，也是因?yàn)閲?guó)內(nèi)市場(chǎng)更卷，同質(zhì)化帶來(lái)的低端內(nèi)卷，是引發(fā)價(jià)格戰(zhàn)的關(guān)鍵原因之一。
有業(yè)內(nèi)人士表示，惡意降價(jià)并不符合當(dāng)下行業(yè)發(fā)展規(guī)律。對(duì)于SiC行業(yè)新進(jìn)入者來(lái)說(shuō)，現(xiàn)階段制約行業(yè)發(fā)展的因素有兩方面，一個(gè)是產(chǎn)能跟不上；另一個(gè)是良率無(wú)法提升，這也導(dǎo)致中小廠(chǎng)商在面對(duì)頭部大廠(chǎng)商競(jìng)爭(zhēng)時(shí)，通過(guò)降價(jià)的方式，換取市場(chǎng)份額；相反，對(duì)于已經(jīng)接入英飛凌、博世等全球頭部SiC上游廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)，穩(wěn)定的產(chǎn)品性能以及批量供應(yīng)能力，才是立足市場(chǎng)的根本，而并非通過(guò)降價(jià)的手段，“出清”市場(chǎng)跟隨者。
國(guó)產(chǎn)SiC上車(chē)難，何解？
雖然國(guó)內(nèi)市場(chǎng)在中低端產(chǎn)品存在產(chǎn)能過(guò)剩風(fēng)險(xiǎn)和內(nèi)卷現(xiàn)象，但國(guó)產(chǎn)SiC功率器件真正有效產(chǎn)出、達(dá)到高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品還不多。
上文提到，目前SiC MOSFET器件市場(chǎng)90%以上份額被歐美大廠(chǎng)占據(jù)。近年來(lái)，隨著新能源汽車(chē)滲透率穩(wěn)步抬升的同時(shí)，頭部車(chē)企對(duì)于SiC功率半導(dǎo)體試水的速度、廣度和深度不斷推進(jìn)，SiC上車(chē)的呼聲越來(lái)越高。
據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)計(jì)，2026年SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)?？赏_(dá)53.3億美元，其中車(chē)用SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模將攀升至39.4億美元。
目前大部分的汽車(chē)市場(chǎng)份額以國(guó)際品牌為主，包括Wolfspeed、意法半導(dǎo)體、安森美、英飛凌等。同時(shí)，國(guó)外車(chē)企已與全球領(lǐng)先的SiC芯片企業(yè)實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)能綁定。尤其是在新能源汽車(chē)主驅(qū)上，目前基本上沒(méi)有使用國(guó)產(chǎn)SiC器件。如果不能進(jìn)入主驅(qū)，未來(lái)會(huì)失去很大的市場(chǎng)。
針對(duì)目前國(guó)產(chǎn)SiC器件的上車(chē)進(jìn)展，有不少下游廠(chǎng)商反饋，車(chē)企正在加速導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)SiC產(chǎn)品，上下游廠(chǎng)商持續(xù)合作以共同改善良率，希望構(gòu)建本土供應(yīng)鏈。
其中，SiC二極管產(chǎn)品已經(jīng)相對(duì)成熟，SiC MOSFET單管也已在OBC和DC-DC等應(yīng)用中開(kāi)始驗(yàn)證測(cè)試和小批量生產(chǎn)。在量產(chǎn)上車(chē)方面，國(guó)內(nèi)SiC廠(chǎng)商已經(jīng)開(kāi)始嶄露頭角。但針對(duì)市場(chǎng)規(guī)模最大的、投資者更看重的主逆變器領(lǐng)域還略顯乏力。陳東坡對(duì)此表示，因?yàn)橹髂孀兤麝P(guān)系到整車(chē)和人員的安全，對(duì)SiC MOSFET的性能、可靠性和車(chē)規(guī)測(cè)試等方面要求極高，國(guó)內(nèi)很多車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET器件還在驗(yàn)證過(guò)程中，能滿(mǎn)足車(chē)規(guī)級(jí)要求的占比不高，還存在技術(shù)和工程化方面的挑戰(zhàn)亟待克服。
因此，本土企業(yè)在積極發(fā)展過(guò)程中要提升差異化優(yōu)勢(shì)，與實(shí)際市場(chǎng)需求相結(jié)合，避免產(chǎn)能盲目擴(kuò)張，避免中低端SiC功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能過(guò)剩風(fēng)險(xiǎn)和內(nèi)卷現(xiàn)象。
國(guó)產(chǎn)SiC廠(chǎng)商如何破局
不難理解，卷的結(jié)果是大家大打價(jià)格戰(zhàn)，誰(shuí)都掙不到錢(qián)。
那么，在當(dāng)下格局和形勢(shì)下，國(guó)產(chǎn)廠(chǎng)商究竟應(yīng)該如何破局？
事實(shí)上，目前國(guó)產(chǎn)SiC上車(chē)的占比還較低，往往是作為“備胎”的角色，并且對(duì)于SiC廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)，單純追求價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)而忽視產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性是一個(gè)危險(xiǎn)的趨勢(shì)。卷價(jià)格的最終結(jié)果是一損俱損，尤其是在涉及人命安全的應(yīng)用場(chǎng)景中，任何一絲的質(zhì)量問(wèn)題都可能導(dǎo)致嚴(yán)重的后果。
作為國(guó)內(nèi)SiC廠(chǎng)商，真正應(yīng)該“卷”的是上車(chē)應(yīng)用，將更多精力聚焦在產(chǎn)品質(zhì)量和長(zhǎng)期可靠性等方面：
提升產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性：這是最基本也是最重要的，國(guó)內(nèi)SiC廠(chǎng)商應(yīng)該投入更多研發(fā)資源，改進(jìn)生產(chǎn)工藝，確保產(chǎn)品性能穩(wěn)定可靠。同時(shí)，也應(yīng)該建立完善的質(zhì)量檢測(cè)體系，確保每一批產(chǎn)品都符合標(biāo)準(zhǔn)。
加強(qiáng)上車(chē)驗(yàn)證：廠(chǎng)商應(yīng)積極與汽車(chē)制造商合作，爭(zhēng)取更多的上車(chē)驗(yàn)證機(jī)會(huì)，通過(guò)實(shí)際應(yīng)用來(lái)驗(yàn)證產(chǎn)品的性能和質(zhì)量。尤其是要加快主驅(qū)芯片可靠性驗(yàn)證工作，目前SiC最大的應(yīng)用場(chǎng)景就是新能源汽車(chē)的電驅(qū)部分，而電驅(qū)對(duì)芯片的可靠性要求極高，一般對(duì)芯片的驗(yàn)證周期在一年半以上，因此需要盡量抓住時(shí)間窗口，盡快通過(guò)可靠性驗(yàn)證工作。
拓展應(yīng)用領(lǐng)域：雖然新能源汽車(chē)是SiC的主要應(yīng)用領(lǐng)域，但并不意味著其他領(lǐng)域就沒(méi)有機(jī)會(huì)。例如，光伏儲(chǔ)能、工業(yè)、低空經(jīng)濟(jì)等都是非常有潛力的領(lǐng)域。廠(chǎng)商可以根據(jù)不同領(lǐng)域的需求，開(kāi)發(fā)適合的產(chǎn)品，拓展應(yīng)用領(lǐng)域。
加強(qiáng)國(guó)際合作：與國(guó)際大廠(chǎng)合作，不僅可以學(xué)習(xí)到先進(jìn)的生產(chǎn)工藝和管理經(jīng)驗(yàn)，還可借助他們的渠道和資源拓展國(guó)際市場(chǎng)；也可以通過(guò)合作共同推動(dòng)碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
加快行業(yè)人才培養(yǎng)：以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體是一個(gè)非常新興的行業(yè)，國(guó)內(nèi)外相關(guān)人才都非常稀缺，必須加快自身人才的培養(yǎng)，這也是行業(yè)可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵。
提高品牌影響力：通過(guò)優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)提升品牌影響力，讓更多的用戶(hù)了解和信任國(guó)產(chǎn)SiC器件。這不僅可以提高產(chǎn)品的市場(chǎng)占有率，還可以為廠(chǎng)商帶來(lái)更多的商業(yè)機(jī)會(huì)。
8英寸，SiC競(jìng)爭(zhēng)新焦點(diǎn)
成本是把雙刃劍，SiC行業(yè)的規(guī)?；l(fā)展需要降低成本，但也要防止被一味地追求低價(jià)所反噬。
在當(dāng)前“價(jià)格戰(zhàn)”背景下，因?yàn)閮r(jià)格下探幅度較大，國(guó)內(nèi)襯底廠(chǎng)商基本已無(wú)利可圖，價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)已達(dá)極限。同時(shí)，國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商在持續(xù)研發(fā)、建廠(chǎng)投入等方面又耗資巨大，導(dǎo)致經(jīng)營(yíng)性收入虧損嚴(yán)重，這并不是一個(gè)良性可持續(xù)的發(fā)展方式。
對(duì)此，向更大襯底尺寸演進(jìn)成為“天下群雄”踴躍進(jìn)軍的技術(shù)路徑。
從當(dāng)前來(lái)看，6英寸晶圓占據(jù)SiC市場(chǎng)主流，8英寸正處于大規(guī)模產(chǎn)能釋放階段。據(jù)業(yè)界人士預(yù)計(jì)，從2026年至2027年開(kāi)始，現(xiàn)在的6英寸SiC產(chǎn)品都將被8英寸產(chǎn)品替代。
襯底尺寸越大，單位襯底可制造的芯片數(shù)量越多，單位芯片成本就越低。同時(shí)，襯底的尺寸越大，邊緣的浪費(fèi)就越小，據(jù)Wolfspeed統(tǒng)計(jì)，6英寸SiC晶圓中邊緣芯片占比有14%，而到8英寸中占比降低到7%。
據(jù)測(cè)算，SiC晶圓從6英寸擴(kuò)大到8英寸，SiC芯片產(chǎn)量可增加90%，在8英寸晶圓上制造的SiC MOSFET芯片成本有望降低54%，這有利于進(jìn)一步降低芯片成本，進(jìn)一步加速SiC的大規(guī)模應(yīng)用。
從行業(yè)進(jìn)展來(lái)看，英飛凌、Wolfspeed、安森美、意法半導(dǎo)體、羅姆等大廠(chǎng)早早“卷”進(jìn)了8英寸SiC賽場(chǎng)。據(jù)“行家說(shuō)三代半”調(diào)研發(fā)現(xiàn)，截至2024年4月，全球已有20家企業(yè)正在或計(jì)劃推進(jìn)8英寸SiC晶圓產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)，其中有8個(gè)項(xiàng)目落地中國(guó)。
圖源：行家說(shuō)三代半
雖然國(guó)內(nèi)尺寸迭代較海外廠(chǎng)商略慢一籌，但近年來(lái)發(fā)展提速明顯，不少本土廠(chǎng)商掌握了8英寸SiC襯底制備技術(shù)，但基本都還處于驗(yàn)證階段，尚未實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)或僅小規(guī)模量產(chǎn)。
根據(jù)最新規(guī)劃，在未來(lái)幾年內(nèi)將有更多國(guó)內(nèi)外廠(chǎng)商的8英寸SiC晶圓達(dá)產(chǎn)。
另一方面，提升良率也是降低成本的關(guān)鍵，同時(shí)也是SiC繼續(xù)大規(guī)模鋪開(kāi)的關(guān)鍵。提升良率一方面依賴(lài)技術(shù)創(chuàng)新與技術(shù)沉淀，另一方面，在擴(kuò)大產(chǎn)能之下，可以通過(guò)學(xué)習(xí)曲線(xiàn)和規(guī)模優(yōu)勢(shì)，達(dá)到快速降低平均成本的目的。所以目前各大SiC企業(yè)積極擴(kuò)產(chǎn)，一方面可以擴(kuò)大市場(chǎng)份額，另一方面也可以提升良率，從而將價(jià)格下探。
寫(xiě)在最后
總的來(lái)看，SiC市場(chǎng)是異?；馃岬模?024年是關(guān)鍵的一年，也是卷上加卷的一年。
雖然市場(chǎng)產(chǎn)銷(xiāo)兩旺，但我國(guó)SiC產(chǎn)業(yè)仍處于相對(duì)早期階段，國(guó)內(nèi)外產(chǎn)業(yè)模式的差異，技術(shù)差距、設(shè)備挑戰(zhàn)以及國(guó)內(nèi)SiC中低端“互卷”等問(wèn)題，都是擺在眼前的難題。
隨著SiC逐漸進(jìn)入全面的產(chǎn)能和價(jià)格拼殺階段，對(duì)這個(gè)市場(chǎng)話(huà)語(yǔ)權(quán)與附加值的爭(zhēng)奪和追趕，還遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)到結(jié)束的時(shí)候。對(duì)于國(guó)產(chǎn)SiC產(chǎn)業(yè)而言，如何降低成本、穩(wěn)定質(zhì)量、提升良率，都將成為大規(guī)模應(yīng)用落地和應(yīng)對(duì)行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵。
