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中電化合物與甬江實驗室簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議,推動SiC材料在AR領(lǐng)域的創(chuàng)新應用

日期:2025-06-19 閱讀:211
核心提示:中電化合物與甬江實驗室正式簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。

6月16日,中電化合物與甬江實驗室正式簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。雙方將圍繞AR眼鏡用光學碳化硅(SiC)晶片展開深度研發(fā)合作,共同推動SiC材料在增強現(xiàn)實(AR)領(lǐng)域的創(chuàng)新應用,為下一代智能穿戴設(shè)備提供更優(yōu)的光學解決方案。

作為國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導體材料供應商,中電化合物專注于SiC與GaN材料的研發(fā)與生產(chǎn),產(chǎn)品廣泛應用于電力電子、射頻通信、光電子等領(lǐng)域。此次與甬江實驗室的戰(zhàn)略合作,標志著中電化合物將在光學用SiC晶片領(lǐng)域進行積極布局,進一步拓展SiC材料的應用邊界。

甬江實驗室作為浙江省重點打造的高能級創(chuàng)新平臺,在新型顯示、光學器件及AR/VR技術(shù)領(lǐng)域具有深厚的研究積累。雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢,推動SiC晶片在AR顯示中的規(guī)模化應用。

此次合作研發(fā)的光學級SiC晶片,將助力AR眼鏡在清晰度、響應速度和耐用性上實現(xiàn)質(zhì)的飛躍,為用戶帶來更沉浸的視覺體驗。

此外,雙方圍繞SiC材料制備所需的熱場涂層、專用原料展開合作研發(fā)。

來源:中電化合物官微

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