功率密度的提高及器件小型化等因素使熱量的及時導(dǎo)出成為保證功率器件性能及可靠性的關(guān)鍵。作為界面散熱的關(guān)鍵通道，功率模塊封裝結(jié)構(gòu)中連 接層的高溫可靠性和散熱能力尤為重要。納米銀燒結(jié)技術(shù)可以實現(xiàn)低溫連接、高溫服役的要求，且具有優(yōu)秀的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和高溫可靠性，已成為近幾年功率模塊封裝互連材料的研究熱點。

第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會議中心召開。期間，“碳化功率器件及其封裝技術(shù)分會“上，日本大阪大學(xué)副教授陳傳彤做了“SiC功率模塊中微米級Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進展”的主題報告，分享了微米級銀燒結(jié)體的連接與性能研究、Ag-Si復(fù)合漿料提高SiC功率模塊可靠性、全銀燒結(jié)漿料的高散熱SiC結(jié)構(gòu)的研究進展。

涉及用于模具附著材料的銀燒結(jié)漿料連接，銀微粉燒結(jié)漿料，銀薄片漿料燒結(jié)，高溫老化可靠性試驗，熱沖擊試驗（-50℃~250℃），Ag燒結(jié)體功率循環(huán)連接可靠性試驗，SiC SBD試樣的截面研究，全銀燒結(jié)漿料的高散熱SiC結(jié)構(gòu)，高溫老化可靠性試驗，采用銀燒結(jié)膏的先進功率模塊結(jié)構(gòu)等。

報告指出，在高溫老化和功率循環(huán)測試下，銀微米顆粒燒結(jié)連接提供了優(yōu)異的結(jié)合質(zhì)量和可靠性。Ag-Si復(fù)合漿料可提高熱沖擊可靠性；與傳統(tǒng)的焊料和TIM油脂接合相比，全銀燒結(jié)接合使芯片表面溫度從270℃降低到180℃，熱阻也從1.5 K/W降低到0.8 K/W。在功率循環(huán)試驗中，全銀燒結(jié)漿料的失效時間從2340次循環(huán)提高到33926次循環(huán)，提高了14.5倍。

嘉賓簡介

陳傳彤，于2015年獲得日本名古屋工業(yè)大學(xué)機械電子工程博士學(xué)位。2016年至2019年，他擔(dān)任日本大阪大學(xué)科學(xué)技術(shù)研究所助理教授，2020年起就職大阪大學(xué)3D電子封裝聯(lián)合實驗室副教授。專注于第三代寬禁帶半導(dǎo)體大功率模塊器件高溫高頻下的銀漿為代表的高溫互連材料的研究開發(fā)以及電-熱-力學(xué)多外場作用下互連材料的微觀結(jié)構(gòu)與性能演化、和高密度封裝結(jié)構(gòu)的服役可靠性檢測/熱擴散評價的應(yīng)用研究。

發(fā)表包括IEEE T Power Electr、Acta Mater、scripta Mater、Appl Phys Lett、Ceram Int在內(nèi)的Sci和Ei論文190余篇，近5年引用超2300次，h-index 27（Google Scholar?）。 申請日本，美國和國際PCT專利共計20余項。并參與編著第三代功率模塊器件封裝類英語著作1部，日語著作8部。連續(xù)3年獲得日本田中貴金屬獎，和包括日本電子封裝學(xué)會，國際IEEE ICEP最佳論文獎，IEEE EMPC 最佳海報獎和 IEEE CPMT Japan Chapter Young Award (2017)等多個獎項。

另外，擔(dān)任日本電子封裝學(xué)會関西支部委員會委員，日本第三代寬禁帶半導(dǎo)體封裝熱評價體系和設(shè)備國際標準化委員會委員和IEEE ICEPT技術(shù)委員會委員。并受邀參加The Electrochemical Society meeting（ECS），IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC)等在內(nèi)的國際知名學(xué)會20余次。近3年主持的包括日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省（NEDO），文部科學(xué)省在內(nèi)的各項經(jīng)費超過2000萬人民幣和實現(xiàn)了多項成果的市場轉(zhuǎn)化與應(yīng)用。

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經(jīng)嘉賓本人確認，僅供參考！）