亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

上海積塔半導(dǎo)體取得半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)專利，提升開關(guān)驅(qū)動效率

甬矽電子獲得發(fā)明專利授權(quán)：“半導(dǎo)體封裝方法和半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)”

晶合集成獲得發(fā)明專利授權(quán)：“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法”

瀚薪科技浙江麗水碳化硅封測項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)封頂

瀚薪科技浙江麗水碳化硅封測項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)封頂

CSPSD 2025前瞻|山東大學(xué)彭燕：基于金剛石/碳化硅新型異質(zhì)散熱結(jié)構(gòu)的器件應(yīng)用研究

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)葉建東：氧化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)與器件

年產(chǎn)值8億元，這一激光項(xiàng)目一期主體結(jié)構(gòu)封頂！

瑤芯微申請溝槽型MOSFET器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，降低器件動態(tài)損耗

長光華芯“半導(dǎo)體光子晶體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備方法”專利公布

蘇州長光華芯取得模式調(diào)控半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備方法專利

中國科學(xué)院提出新型平面型面發(fā)光有機(jī)發(fā)光晶體管器件結(jié)構(gòu)

中芯國際申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能

北方華創(chuàng)“晶舟結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體熱處理設(shè)備及其控制方法”專利公布

江西譽(yù)鴻錦取得亞垂直結(jié)構(gòu)氮化鎵肖特基勢壘二極管及其制造方法專利

上海光通信申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，縮小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)線寬提高器件密度

大橙光電新能源汽車光源燈具項(xiàng)目有序推進(jìn)，主體結(jié)構(gòu)預(yù)計(jì)3月底封頂

新微半導(dǎo)體“垂直腔面發(fā)射激光器的外延結(jié)構(gòu)及其校驗(yàn)方法”專利公布

日月光半導(dǎo)體取得一種封裝結(jié)構(gòu)專利，簡化了制造工藝

捷捷微電“一種縱向變摻雜的IGBT結(jié)構(gòu)及制備方法”專利公布

漢道精密年加工1.8億件半導(dǎo)體零部件項(xiàng)目混凝土主體結(jié)構(gòu)全部封頂

南京郵電大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在用于低功率光通信的GaN/CuI異質(zhì)結(jié)構(gòu)紫外光伏探測器取得進(jìn)展

成都士蘭半導(dǎo)體申請半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，降低外延自摻雜效應(yīng)

河北同光半導(dǎo)體申請具有 p/n 結(jié)結(jié)構(gòu)的碳化硅單晶柔性膜專利，實(shí)現(xiàn)碳化硅薄膜高效剝離且無損傷

總投資27.75億元！科大硅谷高新孵化園一期主體結(jié)構(gòu)完成全面封頂

捷捷微電“一種縱向變摻雜的IGBT結(jié)構(gòu)及制備方法”專利公布

森國科申請 MOSFET 結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，降低飽和電流

上海積塔半導(dǎo)體申請?zhí)蓟杈w管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

優(yōu)煒芯紫外LED產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目一期主體結(jié)構(gòu)封頂

芯聯(lián)集成“一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法”專利公布

第1頁/共6頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部