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中國(guó)科大研制出一種全方向表面等離子體波照明器件

半導(dǎo)體所在植入式腦機(jī)接口器件研究方面取得新進(jìn)展

勝天光電半導(dǎo)體光電器件封裝項(xiàng)目正式摘牌

京東方第6代新型半導(dǎo)體顯示器件生產(chǎn)線全面量產(chǎn)

CSPSD2025 | 近30位專家學(xué)者齊聚探討氮化鎵及超寬禁帶功率器件新未來(lái)！

CSPSD2025 | 二十余位專家學(xué)者共話硅、碳化硅器件及其他高壓功率器件新進(jìn)展！

2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD2025）在南京盛大召開

新微半導(dǎo)體總經(jīng)理王慶宇應(yīng)邀出席2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議并發(fā)表主旨演講

北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)成功研制無(wú)閾值電壓負(fù)漂650V/10A增強(qiáng)型GaN器件

開幕在即 | 2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）5月22-24日南京見!

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

CSPSD 2025前瞻|南京郵電大學(xué)陳靜：智能TCAD技術(shù)—AI賦能微納電子器件的仿真、建模與設(shè)計(jì)

CSPSD 2025前瞻|超芯星邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負(fù)柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實(shí)驗(yàn)研究

CSPSD 2025前瞻|鎵和半導(dǎo)體邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”

CSPSD 2025前瞻|愛發(fā)科邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”

CSPSD 2025前瞻|南京郵電大學(xué)南通研究院邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”

CSPSD 2025前瞻|揚(yáng)杰科技邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”

CSPSD 2025前瞻|國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”

CSPSD 2025前瞻|矢量科學(xué)儀器邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”

詳細(xì)日程| 2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）5月22-24日南京見!

CSPSD 2025前瞻|中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹：高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究

CSPSD 2025前瞻|香港大學(xué)張宇昊：GaN和Ga2O3中的多維器件超結(jié)、多溝道和FinFET

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)張進(jìn)成:鎵系半導(dǎo)體功率器件研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|山東大學(xué)彭燕：基于金剛石/碳化硅新型異質(zhì)散熱結(jié)構(gòu)的器件應(yīng)用研究

CSPSD 2025前瞻|中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)徐光偉：基于摻雜調(diào)控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究

CSPSD 2025前瞻|浙江大學(xué)王珩宇：碳化硅功率器件空間電荷補(bǔ)償技術(shù)

CSPSD 2025前瞻|揚(yáng)杰科技施?。篠iC功率器件的技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用、挑戰(zhàn)和未來(lái)趨勢(shì)

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)陳敦軍：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其載流子輸運(yùn)與調(diào)控

CSPSD 2025前瞻|九峰山實(shí)驗(yàn)室袁?。盒滦投嗉?jí)溝槽氧化鎵功率器件的研究

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