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蔚來(lái)自研SiC模塊C樣正式完成下線

江豐電子與韓國(guó)牙山市政府成功簽約共建現(xiàn)代化半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地

麥捷科技：目前公司在大力推動(dòng)通訊、服務(wù)器等領(lǐng)域的業(yè)務(wù)合作進(jìn)程

積塔半導(dǎo)體臨港300mm車規(guī)半導(dǎo)體集成電路制造基地設(shè)備入場(chǎng)

積塔半導(dǎo)體300mm車規(guī)半導(dǎo)體集成電路制造基地設(shè)備入場(chǎng)開工

廣鋼氣體全年總營(yíng)收18.35億元，同比增長(zhǎng)19.20%

天岳先進(jìn)成立“長(zhǎng)三角-天岳國(guó)家技術(shù)創(chuàng)新中心”

中龍通湖南研發(fā)智造總部基地封頂，將年產(chǎn)1.2億只射頻模組

車規(guī)級(jí)芯片研發(fā)生產(chǎn)企業(yè)英弗耐思落戶武漢經(jīng)開區(qū)

鍇威特獲得發(fā)明專利授權(quán)：“一種新型寬禁帶功率半導(dǎo)體器件及其制作方法”

一圖讀懂｜時(shí)代電氣 2023 年年報(bào)&提質(zhì)增效重回報(bào)年度情況回顧

安森美：從SiC芯片的制造之旅，看垂直整合的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

芯聯(lián)集成：2024年公司還將計(jì)劃建成國(guó)內(nèi)首條8英寸SiC MOSFET試驗(yàn)線

廣電計(jì)量申請(qǐng)SiCMOSFET體二極管雙極退化試驗(yàn)方法及裝置專利，提高了老化效率，加速了雙極退化

芯聯(lián)集成：全球領(lǐng)先的新一代IGBT器件會(huì)在24年下半年量產(chǎn)，大幅提高單位晶圓片的芯片產(chǎn)出數(shù)量

三安光電林科闖：碳化硅產(chǎn)業(yè)前景廣闊電動(dòng)汽車引擎啟動(dòng)

Wolfspeed 全球最大、最先進(jìn)的碳化硅工廠封頂

“長(zhǎng)三角國(guó)家技術(shù)創(chuàng)新中心-天岳半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)新中心”揭牌

中科鑫通半導(dǎo)體制造（天津）有限公司開業(yè)揭牌

睿創(chuàng)微納獲得實(shí)用新型專利授權(quán)：“一種紅外探測(cè)器芯片晶圓及紅外探測(cè)器”

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天岳先進(jìn)：臨港工廠第二階段產(chǎn)能規(guī)劃已步入議程

中科大港已資不抵債，將進(jìn)行破產(chǎn)清算

賽微電子擬收購(gòu)賽萊克斯北京剩余28.5%股權(quán)

宏微科技取得電動(dòng)汽車用IGBT或MOSFET版圖結(jié)構(gòu)專利，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大減小

華為聯(lián)合陜西電信完成 5G-A 地鐵場(chǎng)景首次驗(yàn)證

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南砂晶圓計(jì)劃建設(shè)全國(guó)最大8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)基地

四方達(dá)：自主研發(fā)的MPCVD設(shè)備及CVD金剛石工藝已得到批量驗(yàn)證

華為公司申請(qǐng)半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，降低半導(dǎo)體器件的功率損耗

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