隨著GaN半導體需求的持續(xù)增長，英飛凌正抓住這一趨勢，鞏固其作為GaN市場領先垂直整合制造商（IDM，以下同）的地位。近日，公司宣布其在 300mm晶圓上的可擴展GaN生產已步入正軌。隨著首批樣品將于2025年第四季度向客戶提供，英飛凌有望擴大客戶群體，并進一步鞏固其作為領先氮化鎵巨頭的地位。

英飛凌300mm GaN技術

作為功率系統(tǒng)領域的領導者，英飛凌已經掌握全部三種材料的相關技術：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。憑借更高的功率密度、更快的開關速度和更低的功率損耗，氮化鎵半導體可實現(xiàn)更緊湊的設計，從而減少智能手機充電器、工業(yè)和人形機器人，以及太陽能逆變器等電子設備的能耗和熱量產生。

英飛凌全面擴大的300mm GaN生產規(guī)模將幫助我們更快地為客戶提供更高價值的產品，同時推動實現(xiàn)Si和GaN同類產品的成本持平。在英飛凌宣布突破300mm GaN晶圓技術近一年后，我們很高興看到我們的過渡進程進展順利，并且業(yè)界已經認識到英飛凌GaN技術在我們的IDM戰(zhàn)略優(yōu)勢下所發(fā)揮的重要作用。

英飛凌科技氮化鎵業(yè)務線負責人Johannes Schoiswohl表示，英飛凌的生產策略主要以 IDM 模式為主，即擁有從設計到制造和銷售最終產品的整個半導體生產流程。公司的內部生產策略是市場上的一個關鍵差異化因素，具有多重優(yōu)勢，如能提供更高質量的產品、更快的產品上市時間以及出色的設計和開發(fā)靈活性。英飛凌致力于為氮化鎵客戶提供支持，并可擴大產能以滿足他們對可靠的GaN電源解決方案的需求。

憑借其技術領先優(yōu)勢，英飛凌已成為首家在現(xiàn)有大批量生產基礎設施內成功開發(fā)出300mm GaN功率晶圓技術的半導體制造商。與現(xiàn)有的 200mm晶圓相比，300mm晶圓上的芯片生產在技術上更加先進，效率也顯著提高，因為更大的晶圓直徑可使芯片生產效率提高 2.3 倍。這些增強的能力，加上英飛凌強大的GaN專家團隊，以及業(yè)界最廣泛的知識產權組合，恰好可以滿足基于GaN的功率半導體在工業(yè)、汽車、消費、計算和通信等領域快速普及，包括AI系統(tǒng)電源、太陽能逆變器、充電器和適配器以及電機控制系統(tǒng)等。

市場分析師預測，到2030年，GaN在功率應用領域的收入將以每年36%的速度增長，達到約25億美元[1]。英飛凌擁有專門的生產能力和強大的產品組合，去年發(fā)布了40多款新型GaN產品，這使其成為尋求高質量GaN解決方案客戶的首選合作伙伴。