納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布與力積電（Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation, PSMC）建立戰(zhàn)略合作伙伴關系，正式啟動并持續(xù)推進業(yè)內(nèi)領先的8英寸硅基氮化鎵技術生產(chǎn)。納微半導體預計將使用位于臺灣苗栗竹南科學園區(qū)的力積電8B廠的8英寸產(chǎn)線。該工廠自2019年起投入運營，支持從微型LED到射頻氮化鎵器件等多種高產(chǎn)能氮化鎵制造流程。 

力積電具備先進的180nm CMOS工藝能力，運用更小、更先進的工藝節(jié)點，從而在性能、能效、集成度以及成本方面實現(xiàn)全面優(yōu)化。納微寬禁帶技術平臺高級副總裁 Sid Sundaresan 博士表示：“在180nm工藝節(jié)點上進行8英寸硅基氮化鎵的生產(chǎn)，使我們能夠持續(xù)創(chuàng)新，實現(xiàn)更高功率密度、更快速度和更高效率的器件，同時提升成本控制、規(guī)?；芰椭圃炝悸省?rdquo; 

力積電將為納微半導體生產(chǎn)100V至650V的氮化鎵產(chǎn)品組合，以滿足48V基礎設施（包括超大規(guī)模 AI 數(shù)據(jù)中心和電動汽車）對氮化鎵日益增長的需求。首批器件預計于2025年第四季度完成認證。其中，100V系列計劃于 2026 年上半年在力積電率先投產(chǎn)，而650V器件將在未來12-24個月內(nèi)從納微現(xiàn)有的供應商臺積電逐步轉(zhuǎn)由力積電代工。 

納微近期在AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車和太陽能市場接連取得多項進展，包括旗下的氮化鎵與碳化硅技術投入研發(fā)，助力NVIDIA800V HVDC架構(gòu)，應用于1兆瓦以上IT機架。 全球領先的太陽能能源解決方案公司Enphase也已宣布其下一代IQ9產(chǎn)品將采用納微的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。同時，納微大功率GaNSafe技術則逐步進入商用車載充電機（OBC）應用領域。 

納微半導體首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Gene Sheridan：“我們非常榮幸能與力積電攜手推進高產(chǎn)能8英寸硅基氮化鎵的生產(chǎn)，并期待未來持續(xù)共同推動技術創(chuàng)新。通過與力積電的合作，我們有能力在產(chǎn)品性能、技術發(fā)展和成本效率方面持續(xù)取得突破。” 

力積電總經(jīng)理暨董事朱憲國：“力積電與納微半導體在硅基氮化鎵技術上已有多年合作經(jīng)驗，如今產(chǎn)品認證即將完成，量產(chǎn)在即，我們倍感振奮。力積電將以此為基礎，繼續(xù)擴大合作，堅定支持納微探索并拓展氮化鎵市場。” 

（來源：納微芯球）