據(jù)重慶日?qǐng)?bào)消息，6月16日，自北京大學(xué)重慶碳基集成電路研究院（下稱“北大重慶碳基院”）獲悉，國(guó)內(nèi)首條碳基集成電路生產(chǎn)線近日在渝投運(yùn)，目前已開始量產(chǎn)。

當(dāng)前市場(chǎng)主流芯片為硅基芯片，是以硅為核心材料，但受摩爾定律的影響，硅基芯片的晶體管尺寸已接近極限。碳基芯片則采用碳納米管等為核心材料制作，以求突破集成電路發(fā)展瓶頸。

據(jù)介紹，碳納米管擁有超薄結(jié)構(gòu)、優(yōu)異電學(xué)性能和化學(xué)穩(wěn)定性，綜合性能可以比硅基集成電路提高成百上千倍，且具有成本低、功耗低等優(yōu)勢(shì)。同時(shí)，碳基芯片無需采用最先進(jìn)的光刻工藝，其技術(shù)性能就能與當(dāng)前最先進(jìn)的硅基芯片相當(dāng)。比如，28納米碳基芯片就相當(dāng)于7納米硅基芯片。

經(jīng)過20多年攻關(guān)，北大碳基團(tuán)隊(duì)研發(fā)出一整套高性能碳納米管晶體管的無摻雜制備方法，達(dá)到世界領(lǐng)先水平。基于此，2023年，北大重慶碳基院揭牌成立，致力于推動(dòng)北大成果在渝轉(zhuǎn)化，開展碳基集成電路工程化和產(chǎn)業(yè)化研究開發(fā)，孵化培育碳基集成電路全鏈條產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

此次生產(chǎn)線的投運(yùn)，標(biāo)志著碳基集成電路從實(shí)驗(yàn)室創(chuàng)新走向工程化應(yīng)用邁出了堅(jiān)實(shí)的第一步，將加快我國(guó)碳基集成電路發(fā)展進(jìn)程，有望改變硅基芯片受制于人的局面，助力“中國(guó)芯”實(shí)現(xiàn)“換道超車”。下一步，北大重慶碳基院將加快打造碳基集成電路制造示范線，開發(fā)更先進(jìn)的28納米碳基完整工藝平臺(tái)，預(yù)計(jì)2028年投產(chǎn)后，年產(chǎn)晶圓10萬(wàn)片。