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晶盛機電旗下求是創(chuàng)芯12英寸常壓硅外延設(shè)備順利交付

日期:2025-06-17 閱讀:205
核心提示:6月16日,晶盛機電在其官微宣布,下屬公司求是創(chuàng)芯自主研發(fā)的12英寸常壓硅外延設(shè)備已于近日順利交付國內(nèi)某頭部客戶。此舉標志著

 6月16日,晶盛機電在其官微宣布,下屬公司求是創(chuàng)芯自主研發(fā)的12英寸常壓硅外延設(shè)備已于近日順利交付國內(nèi)某頭部客戶。此舉標志著晶盛機電12英寸常減壓外延設(shè)備已全面進入硅片制造、功率器件、先進邏輯等不同應(yīng)用領(lǐng)域。

資料顯示,求是創(chuàng)芯成立于2021年,注冊資本約4321萬元,控股股東為晶盛機電全資子公司浙江求是半導體設(shè)備有限公司,專注于8-12英寸先進制程用CVD類半導體設(shè)備開發(fā)。

隨著半導體工藝的不斷進步和新技術(shù)的發(fā)展,集成電路正朝向更高集成度、更高性能和更低功耗的方向發(fā)展。近年來隨著新能源汽車、5G通信、大數(shù)據(jù)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的快速崛起,不僅對高性能硅外延片的需求急劇增加,同時對外延生長設(shè)備的技術(shù)水平也有了更高要求。

據(jù)“晶盛機電”介紹,此次求是創(chuàng)芯交付的12英寸常壓硅外延設(shè)備基于化學氣相沉積技術(shù),可在特定晶向的單晶硅襯底上外延生長晶向一致,且參數(shù)可調(diào)的完整單晶層,其電阻率、厚度均勻性、外延層缺陷密度、生產(chǎn)效率以及工藝重復性等關(guān)鍵指標達到國際先進水平。

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