亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

標(biāo)準(zhǔn) |《UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測(cè)試方法》發(fā)布

國(guó)產(chǎn)集成電路測(cè)試設(shè)備企業(yè)鵬武電子完成A+輪數(shù)千萬元融資

標(biāo)準(zhǔn) |華峰測(cè)控牽頭的3項(xiàng)SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測(cè)試方法形成征求意見稿

標(biāo)準(zhǔn) | ALN位錯(cuò)密度/吸收系數(shù) 2項(xiàng)測(cè)試方法發(fā)布

意見征集 | 北大光電院牽頭的異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

總投資10億元，杭州芯光半導(dǎo)體集成電路先進(jìn)測(cè)試產(chǎn)線項(xiàng)目簽約富陽

標(biāo)準(zhǔn) |華峰測(cè)控牽頭的3項(xiàng)SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測(cè)試方法形成征求意見稿

免費(fèi)報(bào)名中！4月22日九峰山實(shí)驗(yàn)室＆是德科技聯(lián)合舉辦芯片與新技術(shù)測(cè)試研討會(huì)

標(biāo)準(zhǔn) | AlN位錯(cuò)密度/吸收系數(shù)2項(xiàng)測(cè)試方法形成委員會(huì)草案

標(biāo)準(zhǔn) | 《UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測(cè)試方法》形成委員會(huì)草案

免費(fèi)報(bào)名| 是德科技芯片與新技術(shù)測(cè)試研討會(huì)邀您參加！——CSE2025同期活動(dòng)

史密斯集團(tuán)將半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備部分生產(chǎn)線從蘇州遷至美國(guó)

南京派格測(cè)控閃耀SEMICON China 2025：射頻與毫米波測(cè)試解決方案引燃行業(yè)熱情

韜盛科技獲數(shù)億元C輪融資，聚焦半導(dǎo)體測(cè)試賽道

華北電力大學(xué)壓接型IGBT功率循環(huán)及性能測(cè)試試驗(yàn)平臺(tái)采購(gòu)項(xiàng)目公開招標(biāo)公告

總投資20億！湖北半導(dǎo)體封裝測(cè)試項(xiàng)目跑出“芯”速度

偉測(cè)科技擬13億元投建南京二期測(cè)試項(xiàng)目，擴(kuò)大高端芯片測(cè)試產(chǎn)能

總投資10億元，芯光半導(dǎo)體集成電路先進(jìn)測(cè)試產(chǎn)線項(xiàng)目開工

嘉盛先創(chuàng)科技封裝測(cè)試新廠房正式啟用！

總投資10億！科為創(chuàng)芯集成電路封裝測(cè)試項(xiàng)目開工

高裕電子將建設(shè)第三代半導(dǎo)體可靠性測(cè)試設(shè)備生產(chǎn)基地

比亞迪半導(dǎo)體“存儲(chǔ)器測(cè)試方法、存儲(chǔ)器測(cè)試裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)和電子設(shè)備”專利公布

精智達(dá)子公司獲3.22億元采購(gòu)合同，將供應(yīng)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備

UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測(cè)試方法征求意見

2項(xiàng)AlN拋光片測(cè)試方法征求意見

偉測(cè)科技11.75億元募資項(xiàng)目注冊(cè)生效，將投建無錫測(cè)試基地等項(xiàng)目

泰瑞達(dá)收購(gòu)英飛凌測(cè)試業(yè)務(wù)！

山西聯(lián)通成功完成5G-A低空通信測(cè)試

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室（車規(guī)芯片測(cè)試與評(píng)價(jià)）落戶北京亦莊

《異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測(cè)試白光干涉法》CSA團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)第一次討論會(huì)召開

第1頁/共10頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部