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羅姆第4代SiC MOSFET大量應(yīng)用于吉利旗下品牌“極氪”3款車型

深南電路：無錫基板二期工廠已實(shí)現(xiàn)單月盈虧平衡

國元證券：人工智能需求推動(dòng)將帶動(dòng)新一輪半導(dǎo)體增長曲線

必創(chuàng)科技擬收購創(chuàng)世威納加強(qiáng)在半導(dǎo)體等領(lǐng)域布局

立訊精密子公司擬5247萬元收購東莞信濠100%股權(quán)

華羿微電取得一種寬 SOA 屏蔽柵 MOSFET 器件及制備方法專利，提升器件整體的 SOA

江蘇能華微取得 GaN 肖特基二極管相關(guān)專利，有效提高了 GaN 肖特基二極管的性能

比亞迪入股半導(dǎo)體封裝材料研發(fā)商芯源新材料

中汽研與豪威北方汽車芯片聯(lián)合試驗(yàn)室成立

上海漢虹8英寸碳化硅晶體成功出爐

劉自鴻已被解聘柔宇科技董事長職務(wù)，目前只剩公司大股東身份

蘋果公司和OpenAI向臺(tái)積電預(yù)訂尖端A16芯片

荷蘭首相就芯片設(shè)備對華出口表態(tài)：將考慮阿斯麥公司經(jīng)濟(jì)利益

Facebook開發(fā)的首款增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)AR眼鏡采用碳化硅材料，開拓元宇宙領(lǐng)域的新藍(lán)海市場

中圖科技申請一種高深度微結(jié)構(gòu)圖形化半導(dǎo)體襯底及其制備方法專利

中微公司成功舉辦2024年半年度業(yè)績說明會(huì)

安力科技第三代半導(dǎo)體及大硅片襯底研磨液項(xiàng)目投產(chǎn)

西安奕斯偉材料申請用于外延設(shè)備的處理方法專利

蘇州科陽半導(dǎo)體取得晶圓封裝相關(guān)專利

喆塔半導(dǎo)體AI創(chuàng)新總部啟動(dòng)

鴻利智匯擬收購鴻利顯示5%股權(quán)

基本半導(dǎo)體與賀利氏電子簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

長盈精密接待北美人形機(jī)器人公司F客戶高層到訪

武漢凡谷獲得實(shí)用新型專利授權(quán)：“天線振子及天線”

瀚天天成“一種降低碳化硅外延片生長缺陷的方法及碳化硅襯底”專利獲授權(quán)

突破！鴻海布局第四代半導(dǎo)體跨大步

飛锃半導(dǎo)體香港子公司獲得香港創(chuàng)新科技署創(chuàng)新及科技基金

晶盛機(jī)電：12英寸硅減壓外延生長設(shè)備順利實(shí)現(xiàn)銷售出貨，ALD設(shè)備處于驗(yàn)證階段

國博電子：已開展衛(wèi)星通信領(lǐng)域多個(gè)射頻集成電路的技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品開發(fā)工作

揚(yáng)杰科技：IGBT和SiC產(chǎn)品有序推進(jìn)中

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