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北方華創(chuàng)擬4億元參股電控產(chǎn)投投資布局優(yōu)質(zhì)項目

長光華芯“半導(dǎo)體光子晶體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備方法”專利公布

納微半導(dǎo)體推出全新SiCPAK?功率模塊

鎵仁半導(dǎo)體獲批浙江省博士后工作站

重慶萬國半導(dǎo)體申請溝槽型功率半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，提高開關(guān)速度與線性區(qū)能力

時代電氣IGBT制氫電源設(shè)備累計交付突破100臺

蘇州晶湛半導(dǎo)體申請發(fā)光器件相關(guān)專利，提高了發(fā)光器件生產(chǎn)良率

致瞻科技斬獲歐洲頭部企業(yè)數(shù)億元戰(zhàn)略訂單

Polar與瑞薩電子達(dá)成硅基氮化鎵技術(shù)授權(quán)協(xié)議

捷捷微電：6英寸功率半導(dǎo)體項目正處于產(chǎn)能爬坡期，月產(chǎn)出已達(dá)5萬片

法國AlN創(chuàng)企EasyGaN宣布倒閉

三安半導(dǎo)體“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布

納微GaNSafe?正式通過車規(guī)認(rèn)證

廣州南砂晶圓申請用于PVT法生長碳化硅單晶的裝料裝置及應(yīng)用專利，有效提高所制得碳化硅晶體的質(zhì)量

智侖超純完成數(shù)千萬元A+輪融資，專注半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化

廣東比亞迪節(jié)能科技申請MEMS器件及其封裝方法專利，降低主體晶圓與襯底晶圓封裝難度

蘇州長光華芯取得模式調(diào)控半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備方法專利

比利時半導(dǎo)體公司Melexis宣布中國戰(zhàn)略新動向，強調(diào)實現(xiàn)供應(yīng)鏈完全本地化

Allegro MicroSystems 攜新型 XtremeSense? TMR 電流傳感器亮相慕尼黑上海電子展

英諾賽科發(fā)布自主開發(fā)的1200V氮化鎵產(chǎn)品

臺積電計劃2027年量產(chǎn)面板級先進(jìn)封裝

電科芯片牽頭制定的集成電路領(lǐng)域國家標(biāo)準(zhǔn)正式實施

安森美半導(dǎo)體撤回69億美元收購Allegro的提議

意法半導(dǎo)體：未來3年聚焦12英寸Si/8英寸SiC的研發(fā)和建設(shè)

意法半導(dǎo)體推出完整的低壓高功率電機控制參考設(shè)計

概倫電子擬購銳成芯微100%股權(quán)及納能微45.64%股權(quán)

中科新源半導(dǎo)體“一種半導(dǎo)體芯片升降溫用微射流換熱裝置”專利公布

瀚天天成申請降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷專利，可提高碳化硅外延片質(zhì)量

佛山清溢光電首臺主設(shè)備成功搬入

意法半導(dǎo)體管理層動蕩，將裁員2800人

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