天眼查顯示，湖南三安半導體有限責任公司“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布，申請公布日為2024年10月18日，申請公布號為CN118800798A。
本申請?zhí)峁┑奶蓟韫β势骷闹苽浞椒捌涮蓟韫β势骷?，包括，在半導體元胞的溝道區(qū)上形成層疊設置的張應力材料層和壓應力材料層，其中，張應力材料層位于壓應力材料層與半導體外延片之間；且張應力材料層的應力值大于壓應力材料層的應力值；對形成有張應力材料層和壓應力材料層的半導體外延片進行高溫快速退火處理。具體的，通過在半導體元胞的溝道區(qū)上形成層疊設置的張應力材料層和壓應力材料層，且張應力材料層的應力值大于壓應力材料層的應力值，從而在高溫快速退火處理后，張應力材料層與壓應力材料層之間產生的凈剩張應力會傳遞至溝道內，從而改善溝道遷移率，降低比導通電阻。
