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國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心(南京)牽頭承擔省級創(chuàng)新聯(lián)合體項目

日期:2024-01-16 閱讀:892
核心提示:國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心(南京)牽頭7家高等院校、科研院所和龍頭企業(yè)共同組建的江蘇省碳化硅電力電子技術創(chuàng)新聯(lián)合體成功入選

 近日,江蘇省科學技術廳公示2023年度江蘇省創(chuàng)新聯(lián)合體擬建設試點名單,國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心(南京)牽頭7家高等院校、科研院所和龍頭企業(yè)共同組建的江蘇省碳化硅電力電子技術創(chuàng)新聯(lián)合體成功入選,成為本年度全省5家創(chuàng)新聯(lián)合體擬建設試點之一,且為全市唯一入選。

江蘇省創(chuàng)新聯(lián)合體是落實《打造具有全球影響力的產業(yè)科技創(chuàng)新中心行動方案》部署要求,瞄準世界科技前沿、國家重大戰(zhàn)略和江蘇省戰(zhàn)略性新興產業(yè)集群發(fā)展需求,為推進創(chuàng)新鏈產業(yè)鏈深度融合,加快突破制約產業(yè)發(fā)展的重大前沿(關鍵)技術,提升江蘇省企業(yè)和產業(yè)核心競爭力而組建。對經(jīng)備案的創(chuàng)新聯(lián)合體,省、市將在科技項目攻關、經(jīng)費支持、平臺建設等方面給予優(yōu)先支持。

該聯(lián)合體針對新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等重大領域需求,開展基于第三代半導體碳化硅的電力電子器件創(chuàng)新技術攻關,旨在解決高性能高可靠性碳化硅 MOSFET產品技術難點,建立國際先進水平的具有完全自主知識產權的碳化硅 MOSFET和碳化硅 IGBT器件技術,夯實產業(yè)基礎,保障產業(yè)鏈供應鏈安全。

下一步,國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心(南京)將以此次聯(lián)合體組建為契機,持續(xù)加大關鍵核心技術攻關,建立成果孵化高地、人才培養(yǎng)基地和原創(chuàng)技術策源地,支撐高水平科技自立自強。

來源:國創(chuàng)中心

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