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廣州拓諾稀科技氧化鎵外延項目即將投產(chǎn)

日期:2025-05-28 閱讀:464
核心提示:由香港科技大學(xué)霍英東研究院與香港科技大學(xué)(廣州)聯(lián)合孵化的“拓諾稀科技”迎來里程碑時刻——其位于南沙的首個先進生產(chǎn)廠房正式啟用!

 據(jù)香港科技大學(xué)快訊報道,近日,由香港科技大學(xué)霍英東研究院與香港科技大學(xué)(廣州)聯(lián)合孵化的“拓諾稀科技”迎來里程碑時刻——其位于南沙的首個先進生產(chǎn)廠房正式啟用!該廠房配備高標(biāo)準(zhǔn)潔凈室設(shè)施和完善的生產(chǎn)研發(fā)配套,具備批量化外延制備能力,實現(xiàn) “從實驗室走向產(chǎn)業(yè)”,為大規(guī)模推進氧化鎵外延產(chǎn)品走向市場奠定了堅實基礎(chǔ)。

拓諾稀科技生產(chǎn)廠房位于粵港澳大灣區(qū)“黃金內(nèi)灣”廣州南沙,占地約500平方米,集研發(fā)、測試、制造、工藝支持于一體。設(shè)有MOCVD工藝區(qū)和離子注入室、專用的氣體儲存間、固廢處理間,全面保障高科技產(chǎn)品制造的穩(wěn)定與安全。

氧化鎵(Ga?O?)作為一種具有超寬禁帶的半導(dǎo)體材料,在高壓功率電子、射頻通訊、光電探測等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。由香港科技大學(xué)(廣州)陳子強教授與其博士生共同創(chuàng)立的拓諾稀科技,聚焦于氧化鎵外延薄膜的制備及高性能半導(dǎo)體器件的開發(fā),是全球獨家通過MOCVD工藝實現(xiàn)了穩(wěn)定p型導(dǎo)電氧化鎵外延層的企業(yè),填補了氧化鎵材料體系中長期缺失的p型導(dǎo)電空白。

陳子強教授表示:“我們解決了氧化鎵20年的無p型導(dǎo)電性能痛點,解鎖氧化鎵的雙極器件能力,重構(gòu)氧化鎵的產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài),市場規(guī)模提升至少10倍,百億規(guī)模市場變?yōu)閿?shù)干億規(guī)模市場。”

據(jù)悉,團隊成功改造MOCVD工藝的生產(chǎn)設(shè)備在廠房中運行良好,實現(xiàn)了設(shè)備平臺與氧化鎵材料的深度適配,為第四代半導(dǎo)體材料的本土化生產(chǎn)與應(yīng)用提供了可持續(xù)的技術(shù)支持平臺。

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