初步囊括28個碳化硅項目。

 

其分布情況如下：福建6個、北京5個、湖南4個、江蘇4個、廣東2個、河北2個、山西1個、江西1個、山東1個、上海1個、浙江1個。

北京：北京聚集了中科院半導(dǎo)體所、微電子所、物理所等有關(guān)院所，北京大學(xué)、清華大學(xué)等相關(guān)高校的大校大所優(yōu)勢，在核心技術(shù)上掌握主動。聚集了天科合達公司、泰科天潤公司、世紀金光公司等相關(guān)生產(chǎn)制造企業(yè)，在產(chǎn)業(yè)規(guī)?；矫嬲紦?jù)優(yōu)勢?！侗本┦?G產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動方案（2019年-2022年）》指出，在產(chǎn)業(yè)鏈核心器件上重點支持6英寸碳化硅、氮化鎵芯片工藝平臺項目，初期預(yù)計達到月加工1000片6英寸5G中高頻芯片生產(chǎn)目標。

 

福建：福建碳化硅項目主要集中以廈門為代表，廈門集聚了瀚天天成、三安光電、芯光潤澤等龍頭企業(yè)，布局了全碳化硅智能功率模塊IPM產(chǎn)線、碳化硅半導(dǎo)體外延晶片產(chǎn)線等重點項目，三安光電、乾照光電、士蘭明稼等LED龍頭企業(yè)也加速往第三代半導(dǎo)體轉(zhuǎn)型升級，初步形成了涵蓋襯底、外延、器件到模塊的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈，打造中國“碳化硅谷”。

 

湖南：長沙在布局碳化硅上下了大力氣，引進了泰科天潤半導(dǎo)體碳化硅芯片及器件項目、三安光電長沙項目2個碳化硅項目，其中三安光電長沙項目投資總額達160億元，將研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6寸SiC導(dǎo)電襯底、4寸半絕緣襯底、SiC二極管外延、SiC MOSFET外延、SiC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。長沙提出了圍繞“一條主線、三個中心和五個鏈條”的總體思路，打造新一代半導(dǎo)體材料中心(瀏陽高新區(qū))、新一代半導(dǎo)體科創(chuàng)中心(湖南湘江新區(qū))、新一代半導(dǎo)體應(yīng)用及智造中心(望城經(jīng)開區(qū))三個中心，布局材料芯片產(chǎn)業(yè)鏈、電子電力產(chǎn)業(yè)鏈、微波電子產(chǎn)業(yè)鏈、光電子產(chǎn)業(yè)鏈和配套衍生產(chǎn)業(yè)鏈五條鏈條，旨在打造以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體千億集群。

 

江蘇：江蘇碳化硅項目布局較為均衡，在南京、無錫、揚州、徐州等地均有布局。位于南京的中電科55所具有雄厚的技術(shù)實力，建立了國內(nèi)領(lǐng)先水平高壓大電流SiC MOSFET器件研發(fā)平臺，自主生產(chǎn)了SiC外延材料，在SiC二極管、SiC JFET、SiC MOSFET等器件研制上國內(nèi)領(lǐng)先。