據(jù)臺灣媒體消息，半導(dǎo)體硅芯片廠環(huán)球晶近日與國立交通大學簽署備忘錄，將共同成立化合物半導(dǎo)體研究中心，開發(fā)包括碳化硅（SiC）等第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)。
交大代理校長陳信宏表示，SiC和氮化鎵（GaN）是非常具有發(fā)展前景的半導(dǎo)體材料，在5G、電動汽車等應(yīng)用上，是相當重要的成功關(guān)鍵。
陳信宏指出，交大結(jié)合多所學校相關(guān)研究的教授群，以化合物半導(dǎo)體材料研究和人才培育計劃為主軸，與環(huán)球晶共同合作加速開發(fā)SiC和GaN，創(chuàng)建產(chǎn)學互饋循環(huán)機制，并培育國際級研發(fā)團隊，以便提升臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在全球的競爭實力。
環(huán)球晶表示，在SiC和GaN領(lǐng)域已深耕多年，并開發(fā)多項專利，具有完整的生產(chǎn)線，這次與交大合作，希望結(jié)合各自的專業(yè)領(lǐng)域與技術(shù)優(yōu)勢加速發(fā)展，創(chuàng)造運營增長新契機。
