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瞻芯電子與浙江大學聯(lián)合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果，助力高壓應(yīng)用技術(shù)革新

CSPSD 2025前瞻|浙江大學王珩宇：碳化硅功率器件空間電荷補償技術(shù)

浙江大學研制出90納米像素尺寸LED

中南大學何軍、鐘綿增，浙江大學李京波：通過調(diào)控電場分布實現(xiàn)高均勻性的耐高壓晶圓級4H-SiC紫外光電探測器

浙江大學任娜：基于P型碳化硅襯底材料的結(jié)勢壘肖特基二極管|CASICON重慶站

浙江大學柯徐剛研究員團隊發(fā)布應(yīng)用于大功率AI數(shù)據(jù)中心的第三代半導(dǎo)體氮化鎵高效率智能供電芯片

前瞻|浙江大學任娜將出席“2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”并做報告

芯啟源與浙江大學集成電路學院簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議共啟數(shù)智“芯”征程

SSLCHINA2023│浙江大學李臻珍：彩色文本和背景組合對顯示器閱讀視覺舒適性的影響

浙江大學校友段永平向母校捐贈1億元，專項支持信息與電子工程學院新大樓建設(shè)

浙江大學圖案化晶圓暗場檢測設(shè)備公開招標公告

浙江大學50 mm厚6英寸碳化硅單晶生長獲得成功

中電化合物攜手浙江大學成立聯(lián)合培養(yǎng)實踐基地，聚焦碳化硅和氮化鎵材料

浙江大學科研團隊提出大功率IGBT模塊溫度場評估的新方法

14nm將在明年實現(xiàn)全面量產(chǎn)：院士發(fā)聲、半導(dǎo)體三大趨勢生變

浙江大學與沐曦集成電路共建研究中心，目標高性能GPU芯片國產(chǎn)替代

浙江大學任娜：SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性問題的研究

神經(jīng)元規(guī)模最大類腦計算機問世

浙江大學人工智能專家：麻將AI和阿爾法狗類似，有助于解決實際問題

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