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三星宣布3納米芯片正式開(kāi)始量產(chǎn) 采用新 GAA晶體管架構(gòu) 提高30%性能

重磅！3.5億個(gè)晶體管，國(guó)內(nèi)集成電路領(lǐng)域再突破

二維半導(dǎo)體環(huán)柵晶體管和垂直互補(bǔ)晶體管的陣列驗(yàn)證

應(yīng)用材料推出CVD升級(jí)技術(shù) 以支持GAA晶體管結(jié)構(gòu)

天津大學(xué)李立強(qiáng)教授課題組：有機(jī)晶體管新進(jìn)展—實(shí)現(xiàn)五年長(zhǎng)壽命

南京大學(xué) | 基于MoS2-BN-Graphene范德華異質(zhì)結(jié)的多功能半浮柵晶體管

800億晶體管，20塊GPU 今年GTC大會(huì)上黃仁勛繼續(xù)大秀“AI肌肉”

芯片上的突破！清華制成世界上柵極長(zhǎng)度最小晶體管

清華大學(xué)團(tuán)隊(duì)首次實(shí)現(xiàn)了具有亞1nm柵極長(zhǎng)度的晶體管

清華大學(xué)集成電路學(xué)院任天令教授團(tuán)隊(duì)在小尺寸晶體管研究方面取得重大突破

加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東：GaN功率晶體管和功率模塊的智能柵極驅(qū)動(dòng)器

中科院半導(dǎo)體所張逸韻：基于MOCVD生長(zhǎng)的β-Ga2O3納米線晶體管及其日盲光電晶體管探測(cè)器研究

山東大學(xué)徐明升：基于金剛石金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的日盲探測(cè)器

西安交通大學(xué)王艷豐：大面積單晶金剛石及場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究

阿里平頭哥發(fā)布自研云芯片: 5nm工藝、600億晶體管

【CASICON 2021】蘇州能訊高能半導(dǎo)體Amagad Ali Hasan：基于物理的5G射頻GaN晶體管模型、趨勢(shì)和挑戰(zhàn)

氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET

尺寸小于1納米，中科院物理所單分子晶體管器件新突破

CFET結(jié)構(gòu)晶體管有助于2nm以下制程的新一代半導(dǎo)體技術(shù)

臺(tái)積電：3nm進(jìn)度超前，2nm將轉(zhuǎn)向GAA晶體管

意法半導(dǎo)體推出了新系列雙非對(duì)稱氮化鎵（GaN）晶體管的首款產(chǎn)品

中山大學(xué)黎城朗：凹槽深度對(duì)GaN槽柵型縱向?qū)?span id="gwasmmk" class="highlight">晶體管電學(xué)特性的影響研究

臺(tái)積電和Graphcore準(zhǔn)備合作研發(fā)3nm AI加速芯片

格芯贏得AI芯片業(yè)務(wù)

Transphorm的第二款900 V GaN FET現(xiàn)已投入生產(chǎn)

世界最大AI處理器升級(jí)7nm工藝：85萬(wàn)核心、2.6萬(wàn)億晶體管

GaN器件的直接驅(qū)動(dòng)配置

英國(guó)Graphcore推出比英偉達(dá)更復(fù)雜的新款A(yù)I處理器

超高壓晶體管問(wèn)世旨在提高電動(dòng)車的續(xù)航能力和效率

比官方宣傳還猛！臺(tái)積電5nm晶體管密度比7nm提高88％

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