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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財經(jīng)應(yīng)用

突破！中國科大研究團(tuán)隊創(chuàng)造性開發(fā)出半導(dǎo)體材料激光直寫方法

臺灣中山大學(xué)突破6英寸碳化硅晶體生長！

半導(dǎo)體SERS基底非吸附分析物檢測獲進(jìn)展

半導(dǎo)體所在激子-聲子的量子干涉研究中獲進(jìn)展

簡述SiC碳化硅單晶的生長原理

從600塊降到10塊，中科院攻克重要芯片技術(shù)難關(guān)

簡述碳化硅功率器件封裝的三個關(guān)鍵技術(shù)

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展帶動下 PBN（熱解氮化硼）市場需求空間廣闊

中國科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管

簡述GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長研究

中科院研發(fā)銅摻雜p型半導(dǎo)體材料，可印制1-20nm厚的二維薄膜材料

南科大電子系化夢媛團(tuán)隊揭示與氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機理及應(yīng)用

北京大學(xué)在氧化物半導(dǎo)體器件方向取得系列重要進(jìn)展

簡述影響 MPCVD 法制備金剛石質(zhì)量的因素研究

簡述Ir襯底上金剛石半導(dǎo)體異質(zhì)外延生長技術(shù)與機理研究進(jìn)展

簡述高壓 SiC MOSFET 研究現(xiàn)狀與展望

廈大研究團(tuán)隊利用藍(lán)紫光LED泵浦實現(xiàn)雙波長放大的聚合物光波導(dǎo)放大器

華中科技大學(xué)又一篇Science

東大團(tuán)隊研究成果榮膺2022年度“中國半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展”

簡述氮化鎵的合成制備及展望

2022年度中國半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展

簡述氮化鎵晶格排列氧化氮化鎵納米層的形成及其在電子器件中的應(yīng)用

清華大學(xué)研究組在低維半金屬半導(dǎo)體接觸研究中取得進(jìn)展

上海光機所在高峰值功率皮秒深紫外光源方面取得研究進(jìn)展

簡述選擇GaN或SiC器件的重點

簡述通過柵極驅(qū)動器提高開關(guān)電源功率密度

長春應(yīng)化所在晶態(tài)有機發(fā)光二極管研究中取得重要進(jìn)展

東南大學(xué)兩項研究成果發(fā)表于電子器件領(lǐng)域頂會IEDM

廈大課題組在有機半導(dǎo)體空穴傳輸材料領(lǐng)域取得系列進(jìn)展

山東省新一代半導(dǎo)體技術(shù)與系統(tǒng)等重點實驗室批準(zhǔn)建設(shè)

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