第六屆全國寬禁帶半導體學術會議
會議通知（第一輪）
會議時間：2025年8月 13日-16日
會議地點：中國·大連
主辦單位：中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業(yè)委員會
中國電子學會電子材料學分會
承辦單位：大連理工大學
東北師范大學
第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
協(xié)辦單位：集成光電子全國重點實驗室
寬禁帶半導體超越照明材料與技術全國重點實驗室
國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（蘇州）
一、會議簡介
近年來，寬禁帶半導體已成為國際半導體及材料領域研究和發(fā)展的熱點，已成為全球高技術競爭戰(zhàn)略制高點之一。基于寬禁帶半導體材料，半導體照明已經(jīng)形成巨大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)，并在電子功率器件、光電子器件等領域繼續(xù)深入發(fā)展。為推動我國寬禁帶半導體領域的發(fā)展，促進產(chǎn)學研交流與協(xié)同創(chuàng)新，中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業(yè)委員會、中國電子學會電子材料學分會共同主辦全國寬禁帶半導體學術會議，會議每兩年一屆，至今已成功舉辦了五屆，已發(fā)展成為我國寬禁帶半導體領域的行業(yè)盛會。
2025年，“全國寬禁帶半導體學術會議”迎來了第六屆，會議由大連理工大學、東北師范大學和第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟聯(lián)合承辦。屆時，來自國內(nèi)寬禁帶半導體領域?qū)W術界、產(chǎn)業(yè)界的專家學者、科研技術人員、院校師生、企業(yè)家代表等，將圍繞寬禁帶半導體材料生長技術、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關設備研發(fā)等領域開展廣泛交流，促進產(chǎn)學研用的交流合作。這次會議必將對我國寬禁帶半導體材料與器件的學術研究、技術進步、產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到有力的推動作用。
二、組織機構(gòu)
名譽主席：甘子釗、王占國、鄭有炓
顧問委員會（按姓氏首字母排序）：
褚君浩、杜國同、顧 瑛、關白玉、郝 躍、黃 如、賈明星、江風益、李愛珍、李晉閩、李樹深、劉紀美、劉 明、劉 勝、羅 毅、申德振、孫祥楨、王立軍、許寧生、楊德仁、葉志鎮(zhèn)、俞大鵬、張國義、張 榮、張 躍、鄭婉華
大會主席：劉益春
共同主席：沈 波、楊 輝、吳 玲
程序委員會
主 席: 徐 科
副主席：黎大兵、張源濤、朱嘉崎
委 員（按姓氏首字母排序）：
敖金平、蔡樹軍、陳 弘、陳 敬、陳堂勝、陳萬軍、陳小龍、程 凱、遲 楠、單崇新、丁琪超、董博宇、馮士維、馮志紅、顧書林、賀東江、黃伯寧、黃 豐、康俊勇、賴占平、李國強、梁 建、劉 斌、劉建平、劉木清、劉 榕、劉新宇、劉 揚、龍世兵、陸 海、羅小蓉、馬曉華、歐 欣、潘 毅、彭俊彪、皮孝東、邱宇峰、盛 況、孫 錢、孫偉鋒、孫小衛(wèi)、孫曉娟、唐 寧、萬成安、萬玉喜、汪 萊、王德君、王 鋼、王宏興、王建峰、王江波、王軍喜、王 立、王新強、吳毅鋒、肖國偉、徐海陽、徐士杰、徐現(xiàn)剛、許福軍、薛玉雄、楊富華、葉建東、于洪宇、云 峰、張保平、張 波、張進成、張 龍、張乃千、張清純、張玉明、趙德剛、趙麗霞、鄭晨炎
組織委員會
主 席: 梁紅偉
副主席：陳志濤、阮軍、張書明
委 員（按姓氏首字母排序）：
蔡端俊、曹峻松、陳敦軍、陳 鵬、陳長清、陳秀芳、陳義強、陳志忠、方 方、方文饒、房玉龍、和巍巍、黃少華、黃文海、耿 博、龔 政、郭 清、郭世平、郭 煒、郝茂盛、胡衛(wèi)國、化夢媛、黃 凱、黃 森、何晨光、紀志坡、蔣 科、矯淑杰、江 灝、鞠光旭、孔月蟬、李炳生、李金釵、李述體、李忠輝、梁劍波、劉軍林、劉可為、劉 雯、劉新科、劉玉懷、劉召軍、劉志強、劉宗亮、陸 敏、呂元杰、梅云輝、馬劍剛、苗振林、母風文、牛萍娟、潘堯波、裴 軼、齊紅基、全知覺、任國強、桑立雯、宋 波、孫海定、孫文紅、孫永強、田朋飛、王光緒、王嘉銘、王來利、王茂俊、王 琦、王榮華、王鑫華、王英民、魏同波、汪煉成、吳 亮、吳嘉偉、吳雅萍、謝志國、徐明升、閆建昌、楊 霏、楊蘭芳、楊 樹、楊學林、殷 紅、于彤軍、張佰君、張 輝、張紀才、張建立、張景文、張葦杭、張 雄、張宇昊、張紫輝、趙璐冰、趙 維、周春華、周 弘、周 琦
大會秘書處
秘書長：張振中
副秘書長：趙 紅 張克雄 張赫之
成 員：賈欣龍等
三、主要日程
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日期 |
上午 |
下午 |
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8月13日（星期三） |
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注冊報到 |
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8月14日（星期四） |
開幕式及大會報告 |
分會報告 |
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8月15日（星期五） |
分會報告 |
大會報告及閉幕式 |
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8月16日（星期六） |
參觀考察及返程 |
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四、大會主題
綠色能源與智能時代的寬禁帶半導體技術
五、會議征文方向：
1.材料生長(氮化物半導體、氧化物半導體、碳化硅、金剛石等)
2.材料物性和表征技術(光、電、磁、熱性質(zhì)、缺陷物理等)
3.光電子器件及其應用(LED、Micro-LED、LD、光電探測器等)
4.電子器件及其應用(射頻電子器件、功率電子器件、傳感器及集成電路等)
5.新型寬禁帶材料與器件(超寬禁帶半導體、二維寬禁帶半導體、有機寬禁帶半導體等)
6.輻射及高能粒子探測器件
征文要求：
1.符合上述內(nèi)容的論文摘要；
2.論文摘要主題突出、內(nèi)容層次分明、數(shù)據(jù)準確、論述嚴謹、結(jié)論明確、采用法定計量單位；
3.論文摘要須以WORD文檔格式，包含標題、作者及其單位地址、正文、圖表、參考文獻等在內(nèi)不超過一頁A4紙；
4.提交截止日前,以電子郵件方式（郵箱:kxzhang@dlut.edu.cn
、hez.zhang@dlut.edu.cn??、zhangzhenzhong@nenu.edu.cn）提交至會議組委會秘書組；相關模板可登錄大會官網(wǎng)或查詢附件；
5.所有論文摘要均編入會議文集。
六、重要截止日期
1.論文摘要提交截止日：2025年4月30日
2.報告錄用通知截止日：2025年6月15日
3.注冊費優(yōu)惠截止日：2025年7月10日
七、論文征集聯(lián)系人
張克雄：15382208398；??Email: kxzhang@dlut.edu.cn??
張赫之：13478911634；Email: hez.zhang@dlut.edu.cn??
張振中：18626668329；?Email: zhangzhenzhong@nenu.edu.cn
熱烈歡迎相關領域的專家、學者、行業(yè)企事業(yè)單位參會交流！
第六屆全國寬禁帶半導體學術會議組委會秘書處
（大連理工大學集成電路學院代章）
2025年3月17日
