第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）近日在蘇州召開。本屆論壇由蘇州實驗室、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（蘇州）(NCTIAS)、江蘇第三代半導體研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。

開幕大會上，中國科學院院士、浙大寧波理工學院校長、浙江大學硅及先進半導體材料全國重點實驗室主任、教授楊德仁帶來了《半導體材料產業(yè)的現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)》的主題報告。

近年來，受益于5G、人工智能、消費電子、汽車電子等需求拉動，全球半導體材料市場規(guī)模呈現(xiàn)波動并整體向上的態(tài)勢。為推動半導體產業(yè)發(fā)展，帶動傳統(tǒng)產業(yè)改造和產品升級換代，進一步促進國民經濟持續(xù)健康發(fā)展，我國推出了一系列支持半導體產業(yè)發(fā)展的政策，半導體材料作為半導體產業(yè)鏈上游，備受關注。 楊德仁院士幾十年來研究不輟，其研究的具有自主知識產權的摻氮、微量摻鍺、重摻磷等成果已在我國航天器、微電子、太陽能硅晶體等領域實際應用，支撐著我國半導體行業(yè)的技術需求。報告詳細分享了硅半導體、化合物半導體材料、寬禁帶半導體材料和半導體材料設備的發(fā)展現(xiàn)狀，分析目前我國半導體材料面臨的挑戰(zhàn)和突圍之路。 

報告顯示，高端 4、6 英寸半絕緣GaAs襯底主要依賴進口，化合物半導體材料InP，技術水平基本達到產業(yè)化需求，但產能不足。寬禁帶半導體材料方面，高端射頻器件用GaN單晶襯底存在“卡脖子”風險，8 英寸SiC單晶大批量產業(yè)化是未來方向。半導體材料設備，12英寸硅外延設備已經有國產。

報告指出，半導體材料產業(yè)具有研發(fā)投入大、周期長，技術難度大、門檻高，全球市場充分競爭，頭部企業(yè)國際壟斷嚴重等特點。從半導體材料產業(yè)來看，也面臨著產品水平處于中低端，先進、高端半導體材料嚴重依賴進口，企業(yè)規(guī)模較小，半導體材料的生長、加工設備缺乏，半導體材料的測試設備幾乎空白等挑戰(zhàn)。專家表示，盡管技術產業(yè)發(fā)展進步很快速，距離依然在。包括氮化物寬禁代半導體的材料和器件研究依然面臨一系列關鍵科學技術問題，需繼續(xù)開展深入、系統(tǒng)的研究工作。

（根據(jù)現(xiàn)場資料整理，僅供參考）