2024年10月14日，T/CASAS 021—202X《SiC MOSFET閾值電壓測試方法》等9項SiC MOSFET技術標準已形成委員會草案（CD），9項標準委員會草案按照CASAS標準制定程序，反復斟酌、修改、編制而成。起草組召開了多次正式或非正式的專題研討會，得到了很多CASAS正式成員的支持。請聯(lián)盟標委會正式成員關注秘書處郵件。
聯(lián)盟標委會非正式成員及非聯(lián)盟成員單位如有需要，可發(fā)郵件至casas@casa-china.cn。 委員會草案標準列表
2024年1月11日，SiC功率器件與模塊工作組于浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心召開第一次工作會議，初步確定了SiC MOSFET可靠性評價標準體系建設的整體布局；經(jīng)過標準立項、征集起草小組、召開起草小組會議，標準文稿反復討論、修改；2024年7月10日，SiC功率器件與模塊工作組于復旦大學/上海碳化硅功率器件工程技術研究中心召開第二次工作會議，全面集中討論了標準草案；其中9項標準于7月19日形成征求意見稿，為期一個月的廣泛征求意見秘書處收到了來自行業(yè)上下游百余條意見或建議；10月14日，9項標準形成委員會草案。
