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盛合晶微超高密度互聯(lián)三維多芯片集成封裝項目暨J2C廠房開工

日期:2024-05-20 閱讀:589
核心提示:盛合晶微超高密度互聯(lián)三維多芯片集成封裝項目暨J2C廠房開工儀式在江陰高新區(qū)舉行。

 5月19日,盛合晶微超高密度互聯(lián)三維多芯片集成封裝項目暨J2C廠房開工儀式在江陰高新區(qū)舉行。

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盛合晶微半導體有限公司自2014年落戶江陰以來,致力于開發(fā)更小間距、更細線寬、多層互聯(lián)、立體堆疊以及更大尺寸范圍內的先進三維多芯片集成加工技術,不斷滿足人工智能時代日益增長的芯片算力需求。

此次開工的J2C廠房項目建成后,將新增潔凈室面積3萬平方米,推動盛合晶微江陰運營基地的凈化廠房總面積達到10萬平方米以上,有力支撐企業(yè)三維多芯片集成加工和超高密度互聯(lián)三維多芯片集成封裝等項目發(fā)展,更好為智能手機、人工智能、通訊與計算、工業(yè)與汽車電子等領域客戶提供先進封裝測試服務。

“依靠本土設備技術能力,本次采用大視場光刻技術實現(xiàn)了0.8um/0.8um線寬線距技術水平,加工的硅穿孔轉接板產(chǎn)品達到3倍光罩尺寸。”盛合晶微董事長、CEO崔東表示,新項目標志著企業(yè)在先進封裝技術領域正式進入亞微米時代,也意味著盛合晶微有能力以亞微米線寬互聯(lián)技術,在更大尺寸范圍內更有效地提升芯片互聯(lián)密度,從而提高芯片產(chǎn)品的總算力水平。

近年來,盛合晶微發(fā)揮前段晶圓制造和質量管理體系的優(yōu)勢,于多個先進封裝技術領域持續(xù)搶占先機、拔得頭籌,2023年營收逆勢大幅增長,現(xiàn)已成長為國內在12英寸中段凸塊加工、12英寸晶圓級芯片封裝、2.5D芯粒加工等高端集成電路制造領域技術先進、規(guī)模領先的企業(yè),助力無錫在局部領域、關鍵環(huán)節(jié)形成更多標志性成果、引領性突破,不斷擦亮集成電路地標產(chǎn)業(yè)“金字招牌”。

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