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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、存儲(chǔ)器”專利公布

日期:2024-03-14 閱讀:265
核心提示:天眼查顯示,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、存儲(chǔ)器專利公布,申請(qǐng)公布日為2024年3月12日,申請(qǐng)公布號(hào)為CN1176931

 天眼查顯示,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、存儲(chǔ)器”專利公布,申請(qǐng)公布日為2024年3月12日,申請(qǐng)公布號(hào)為CN117693185A。本公開(kāi)是關(guān)于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、存儲(chǔ)器,本公開(kāi)的形成方法包括:提供基底,基底包括襯底和絕緣介質(zhì)層,襯底包括多個(gè)沿第一方向間隔分布的第一溝槽,絕緣介質(zhì)層填充各第一溝槽;對(duì)基底進(jìn)行圖案化蝕刻,以形成多個(gè)沿第二方向間隔分布的第二溝槽,第二方向與第一方向相交;在各第二溝槽內(nèi)分別形成字線結(jié)構(gòu);在相鄰的兩個(gè)字線結(jié)構(gòu)之間形成氣隙;對(duì)氣隙進(jìn)行封口。本公開(kāi)的形成方法可減小寄生電容,降低功耗,提高產(chǎn)品穩(wěn)定性。

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