天眼查顯示，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、存儲(chǔ)器”專利公布，申請(qǐng)公布日為2024年3月12日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN117693185A。本公開(kāi)是關(guān)于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、存儲(chǔ)器，本公開(kāi)的形成方法包括：提供基底，基底包括襯底和絕緣介質(zhì)層，襯底包括多個(gè)沿第一方向間隔分布的第一溝槽，絕緣介質(zhì)層填充各第一溝槽；對(duì)基底進(jìn)行圖案化蝕刻，以形成多個(gè)沿第二方向間隔分布的第二溝槽，第二方向與第一方向相交；在各第二溝槽內(nèi)分別形成字線結(jié)構(gòu)；在相鄰的兩個(gè)字線結(jié)構(gòu)之間形成氣隙；對(duì)氣隙進(jìn)行封口。本公開(kāi)的形成方法可減小寄生電容，降低功耗，提高產(chǎn)品穩(wěn)定性。